“宋垠锡”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果37个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]有源整流器-CN201710620901.4有效
发明人： 宋垠锡 -专利权人：江西联智集成电路有限公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H02M7/219 文献下载
摘要：本发明提供一种有源整流器，可用于无线充电系统。该有源整流器以桥接方式连接了第一至第四开关元件，各开关元件分别连接了比较器和参考电压切换器。根据各参考电压切换器，消除各开关元件基于自身寄生电容工作的时间，从而能够提高有源整流器的转换效率。因此，能够提供可在输入电流范围宽的无线充电系统中稳定工作的同时，可用于要求高效率的系统中的高效率的有源整流器。
有源整流器

[发明专利]无线电发射器的工作频率校正方法及其装置-CN202010031889.5有效
发明人：金燮;宋垠锡;李尚胤;闵东振 -专利权人：江西联智集成电路有限公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H04B17/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种无线电发射器的工作频率校正方法及其装置，该校正方法包括：获取无线电发射器发射的测试信号的测试接收时间间隔CLKmeasured与设定的目标接收时间间隔CLKtarget之间的偏差Error；获取测试接收时间间隔CLKmeasured与目标接收时间间隔CLKtarget之间的差量绝对值CLKerror，当差量绝对值CLKerror小于预设Thd值时，根据偏差Error获取无线电发射器的校正工作频率Freal；或根据偏差Error与无线电发射器的振荡器校正频率Fosc_trim无线电发射器的校正工作频率Freal；其中，预设Thd值根据无线电发射器的振荡器的误差范围设定。
无线电发射器工作频率校正方法及其装置

[发明专利]包括多个半导体芯片的半导体封装-CN202210119737.X在审
发明人：李满浩;宋垠锡;吴琼硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：一种半导体封装包括下重分布层、下半导体芯片、以及附接到下重分布层的多个导电连接结构。上重分布层设置在下半导体芯片和多个导电连接结构上。上半导体芯片具有与下半导体芯片的有源面相对应的有源面，并设置在上重分布层上。下半导体芯片包括半导体衬底，该半导体衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。上布线结构设置在半导体衬底的第一表面上。掩埋电力轨道填充从第一表面朝向第二表面延伸的掩埋轨道孔的一部分。贯通电极填充从第二表面朝向第一表面延伸的通孔。
包括半导体芯片封装

[发明专利]半导体封装-CN202111118376.9在审
发明人：李满浩;宋垠锡;金京范;吴琼硕;张彦铢 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：提供一种半导体封装，该半导体封装包括第一半导体芯片和与第一半导体芯片接合的第二半导体芯片，第一半导体芯片包括逻辑结构。第一半导体芯片可以包括：在第一半导体衬底的第一表面上并与逻辑结构连接的信号线；在第一半导体衬底的第二表面上的电力输送网络，第二表面与第一表面相对；以及穿通过孔，穿透第一半导体衬底并将电力输送网络连接到逻辑结构。第二半导体芯片可以包括电容器层，所述电容器层在第二半导体衬底上并且与电力输送网络相邻。
半导体封装

[发明专利]具有BS-PDN结构的集成电路芯片-CN202110757834.7在审
发明人： 宋垠锡;白洪周;吴琼硕;李满浩;李赫宰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种集成电路芯片包括：衬底，具有有源表面和与有源表面相反的背表面；前道工艺(FEOL)结构，设置在衬底的有源表面上；第一后道工艺(BEOL)结构，设置在FEOL结构上；中间连接层，设置在衬底的背表面下方，所述中间连接层包括电荷存储器和围绕电荷存储器设置的金属柱；以及再分布结构层，设置在中间连接层下方。
具有 bs pdn 结构集成电路芯片

[发明专利]半导体封装-CN202110899111.0在审
发明人：李满浩;宋垠锡;吴琼硕;全成桓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：根据本发明构思的半导体封装包括：第一半导体芯片，配置为包括第一半导体器件、第一半导体衬底、穿透所述第一半导体衬底的多个贯通电极、以及布置在所述第一半导体衬底的上表面上的多个第一芯片连接焊盘；多个第二半导体芯片，依次堆叠在所述第一半导体芯片的上表面上，并且配置为各自包括第二半导体衬底、由所述第一半导体芯片控制的第二半导体器件、以及布置在所述第二半导体衬底的上表面上的多个第二芯片连接焊盘；多条接合线，配置为将所述多个第一芯片连接焊盘连接到所述多个第二芯片连接焊盘；以及多个外部连接端子，附接到所述第一半导体芯片。
半导体封装

[发明专利]基板及包括其的半导体封装和显示设备-CN201710140526.3有效
发明人：文盛煜;金旻成;宋垠锡;金暻浩;金东喆;金晋镐;李知岘 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-03-10 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开涉及基板及包括其的半导体封装和显示设备。一种半导体封装包括：安装在基板上的集成电路；设置在基板上或之上并且被配置为将工作电压传输到集成电路的第一电源线；以及设置在基板上或之上并且被配置为将地电压传输到集成电路的第二电源线，其中第一电源线和第二电源线中的每个具有第一宽度，第一电源线与第二电源线间隔开第一距离，第一电源线和第二电源线中的每个的厚度小于或等于20μm，并且第一宽度与第一距离的比值大于2.5。
包括半导体封装显示设备

[发明专利]半导体封装件-CN202110639435.0在审
发明人： 宋垠锡;吴琼硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：一种半导体封装件，包括：第一重新分布衬底；第一半导体芯片，其安装在第一重新分布衬底上；第二半导体芯片，其设置在第一半导体芯片的顶表面上；绝缘层，其围绕第一重新分布衬底上的第一半导体芯片和第二半导体芯片；第二重新分布衬底，其设置在第二半导体芯片上，并且第二半导体芯片安装在第二重新分布衬底上；以及连接端子，其设置在第一半导体芯片和第二半导体芯片的一侧，并且连接至第一重新分布衬底和第二重新分布衬底。第二半导体芯片的无源表面与第一半导体芯片的无源表面接触。在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间的界面处，第一半导体芯片的上部和第二半导体芯片的下部构成由相同的材料形成的一体。
半导体封装

[发明专利]一种转换速率增强电路以及利用其的缓冲器-CN201810473777.8有效
发明人：李玟宰;宋垠锡 -专利权人：阿科尼克株式会社
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G09G3/3233 文献下载
摘要：本发明涉及一种转换速率增强电路。根据本发明实施例的控制第1电流源的电流流动的转换速率增强电路包括：第1晶体管，位于第1电源和第11节点之间，门电极连接在上述第11节点，通过电流反射镜与上述第1电流源连接；第3电流源，另一侧连接在比上述第1电源低的第2电源；第2晶体管，连接在上述第1电源和上述第11节点之间；第3晶体管，连接在上述第11节点和上述第3电流源的一侧之间，且门电极接收第1控制电压；第4晶体管，连接在上述第1电源和第12节点之间，门电极连接在上述第2晶体管的门电极及上述第12节点；第5晶体管，连接在上述第12节点和上述第3电流源的一侧之间，门电极接收第2控制电压。
一种转换速率增强电路以及利用缓冲器

[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN202011175741.5在审
发明人： 宋垠锡;吴琼硕;俞世浩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：提供了一种半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：封装基板；逻辑芯片，所述逻辑芯片堆叠在所述封装基板上并包括至少一个逻辑元件；以及堆叠结构。所述堆叠结构包括：集成电压调节器(IVR)芯片，所述IVR芯片包括调节所述至少一个逻辑元件的电压的电压调节电路；以及无源元件芯片，所述无源元件芯片堆叠在所述IVR芯片上并包括电感器。
半导体封装及其制造方法

[实用新型]负载感测模块以及充电装置-CN202020091604.2有效
发明人：朴英俊;金晖哲;宋垠锡;闵东振 -专利权人：江西联智集成电路有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G01R31/54 文献下载
摘要：本实用新型涉及负载感测模块和充电装置。负载感测模块具备：探针，用于感测是否连接有负载；第一开关和第二开关的串联电路，一端与基准电压连接，另一端接地，第一开关和第二开关的连接点与探针连接，第一开关和第二开关根据时钟信号进行导通、断开；电容器，一端与探针连接，另一端接地，进行充电或放电；上升沿感测器，在电容器被充电至基准电压并继续被充电给定的第一时间之后，感测电容器的电压，并与第一参考电压进行比较，作为第一比较结果；下降沿感测器，在电容器放电给定的第二时间之后，感测电容器的电压，并与第二参考电压进行比较，作为第二比较结果；和判定模块，根据第一比较结果和第二比较结果，判定是否连接有负载。
负载模块以及充电装置

[发明专利]模子以及利用该模子的混凝土构造物制造方法-CN201680026581.3有效
发明人：李东镐;郑原赞;宋垠锡 -专利权人：宋贤TECH
申请日： 2016-05-02 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： E04G9/02 文献下载
摘要：本发明涉及模子，该模子包括：支撑板(100)，该支撑板(100)形成有贯通本体的两侧面的多个贯通孔(101)，以使叉车的叉子插入；侧方闭合构件(200)，该侧方闭合构件(200)设置于所述支撑板(100)的上部，所述支撑板(100)沿长度方向设置有多个，从而在混凝土构造物的制造时，能够获得优异的经济性和施工性。
模子以及利用混凝土构造制造方法

[实用新型]同步整流器及无线充电系统-CN201921779918.5有效
发明人：廖京;宋垠锡;金晖哲;朴英俊;闵东振 -专利权人：江西联智集成电路有限公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：一种同步整流器及无线充电系统，同步整流器包括：两组低位MOS管，分别连接在交流输出的两端，每组低位MOS管中并联有若干个低位MOS管；两个高位MOS管，一端分别连接于交流输出的两端，另一端连接该同步整流器的直流输出端。通过设置两组低位MOS管，并且通过栅压控制电路对每组低位MOS管中若干个并联的低位MOS管开闭状态的控制，若干个并联的低位MOS管具有如下工作状态：同时关闭、第一数量的低位MOS管开启第二数量的低位MOS管关闭以及同时开启，对应该同步整流器能够在低电流(0～1mA)、小电流(1mA～5mA)以及中大电流(大于5mA)下工作，效率最高可达95％～99％，且适用于宽范围输出电流，对于各种电流值范围的交流电可以进行高效率整流，具有广泛的应用前景。
同步整流器无线充电系统

[发明专利]负载感测模块、负载感测方法以及充电装置-CN202010045756.3在审
发明人：朴英俊;金晖哲;宋垠锡;闵东振 -专利权人：江西联智集成电路有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： G01R31/54 文献下载
摘要：一种负载感测模块，具备：探针，用于感测是否连接有负载；第一开关和第二开关的串联电路，一端与基准电压连接，另一端接地，第一开关和第二开关的连接点与探针连接，第一开关和第二开关根据时钟信号进行导通、断开；电容器，一端与探针连接，另一端接地，通过第一开关以及第二开关的导通、断开，进行充电或放电；上升沿感测器，在电容器被充电至基准电压并继续被充电给定的第一时间之后，感测电容器的电压，并与第一参考电压进行比较，作为第一比较结果；下降沿感测器，在电容器放电给定的第二时间之后，感测电容器的电压，并与第二参考电压进行比较，作为第二比较结果；以及判定模块，根据第一比较结果和第二比较结果，判定是否连接有负载。
负载模块方法以及充电装置

[实用新型]功率放大器、发射器及无线电力传输系统-CN201920818320.6有效
发明人： 宋垠锡;廖京 -专利权人：江西联智集成电路有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本公开提供了一种功率放大器、发射器及无线电力传输系统，其中，所述功率放大器包括：升压单元、与升压单元连接的驱动单元，及与驱动单元连接的全桥单元；其中，所述全桥单元包括：第一NMOS、第二NMOS、第三NMOS、第四NMOS；第一NMOS与第二NMOS的源极连接，且源极共同接地；第三NMOS与第四NMOS的漏极连接，且漏极共同接VIN；第一NMOS的漏极与第三NMOS的源极连接，第二NMOS的漏极与第四NMOS的源极连接。本公开功率放大器、发射器及无线电力传输系统提高了转换效率及稳定性，降低了成本。
功率放大器发射器无线电力传输系统

1
2
3
下一页»
尾页
共 37 条