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[发明专利]半导体激光器腔面温度的测量方法-CN200910081995.8有效
发明人：饶岚;宋国峰;汪卫敏;陈良惠 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-04-15 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： G01K5/48 文献下载
摘要：一种利用扫描近场光学显微镜测量半导体激光器腔面温度的方法，包括如下步骤：将半导体激光器安装在热沉上，并引出电极；测试半导体激光器的参数；将热沉固定在扫描近场光学显微镜样品测试台上；将电极与电流输出装置的电流输出端连接；将扫描近场光学显微镜的探针置于半导体激光器的出光腔面上方；将半导体激光器与扫描近场光学显微镜探针逼近，而处于非接触的工作状态；根据半导体激光器的特征尺寸，确定包含半导体激光器的有源区的扫描范围；在没有电流注入的条件下，扫描获得形貌图像；再注入一个恒定的电流，获得半导体激光器出光腔面的形貌图像和近场光斑图像；比较注入电流前后的形貌图像，计算出形貌变化的差值；根据半导体激光器中各种材料的热膨胀系数，计算出对应的温度变化。
半导体激光器温度测量方法

[发明专利]利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法-CN200910079801.0无效
发明人： 宋国峰;张宇;汪卫敏;陈熙 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-03-11 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01S5/18 文献下载
摘要：一种利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤1：在激光器的出光面上制作一层金属薄膜；步骤2：在金属薄膜上涂敷一层液态阻蚀剂；步骤3：把压印模板上的纳米图案压在液态阻蚀剂上；步骤4：采用压印技术，使液态阻蚀剂固化；步骤5：脱模，把纳米图案转移到阻蚀剂上；步骤6：等离子体刻蚀多余阻蚀剂，在金属薄膜表面形成由阻蚀剂构成的纳米图案；步骤7：反应离子刻蚀，把纳米图案转移到金属薄膜上；步骤8：去除剩余的阻蚀剂，完成制备。
利用纳米压印技术制备发射表面等离子体激光器方法

[发明专利]一种制备微小化固态白光光源的方法-CN200810226286.X有效
发明人：徐云;陈良惠;胡海峰;宋国峰;李玉璋;王玉平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-11-12 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备微小化固态白光光源的方法，该方法包括：将蓝光半导体激光器芯片烧结在热沉上，再将热沉烧结到散热基板上，再将散热基板固定在激光器管壳上；选用光纤棒作柱透镜，对激光器的快轴进行压缩，将压缩后的激光耦合进入光纤，靠近激光器一面的光纤棒和光纤端面均蒸镀增透膜，光纤的出光端面固定在陶瓷插针上；将黄色荧光粉与胶体按照一定比例混合均匀，将混合后的荧光粉和胶体固化在透明薄片上形成荧光粉片；从透明薄片上取下该荧光粉片，并将荧光粉片切成一定的形状，放入石英容器中。利用本发明，解决了如何将微小化的荧光粉片放在光纤端面附近，使其能被光纤出射的激光有效地激发。
一种制备微小固态白光光源方法

[发明专利]一种制备半导体固态白光光源的方法-CN200810226287.4有效
发明人：徐云;陈良惠;宋国峰;李玉璋;王玉平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-11-12 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备半导体固态白光光源的方法，该方法包括：将激射波长位于蓝光的半导体激光器芯片烧结在热沉和基板上，并封装到管壳上；将荧光粉与固化剂混合，并在一定温度下固化在洁净的玻璃片上；利用半导体激光器光源激发固化后的荧光粉，使荧光粉产生白光。利用本发明所制备的白光光源具有较高能效、较高光通量和较高亮度；可单独对核心器件进行温控制冷，避免高温时器件和荧光粉发生退化；可制备出很小尺寸、具有特殊用途的白光光源。
一种制备半导体固态白光光源方法

[发明专利]实现超高真空半导体外延片解理和腔面多层镀膜的系统-CN200810100951.0无效
发明人： 宋国峰;汪卫敏;陈良惠 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-02-27 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现超高真空半导体外延片解理和腔面多层镀膜的系统，该系统包括：超高真空解理子系统，用于在机械外力的作用下把划好的外延片解理成条，并立即送入超高真空多层镀膜子系统中蒸镀多层腔面膜；超高真空多层镀膜子系统，用于对超高真空解理子系统送入的解理成条的外延片进行蒸镀腔面膜。利用本发明，最大限度地避免了在空气中各环节对半导体激光器腔面的污染，有效解决了半导体激光器腔面因发生光学灾变损伤(COD)而使半导体激光器失效的问题，对提高半导体激光器的可靠性有重要意义。
实现超高真空半导体外延解理多层镀膜系统

[发明专利]一种半导体固态白光光源的制备方法-CN200710304216.7无效
发明人：徐云;陈良惠;李玉璋;宋国峰;王玉平;张书明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-12-26 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明是一种制造半导体固态白光光源的方法，包含一个发光波长位于近紫外的半导体激光器芯片，将其出射的激光用来做激发光源，激发由红色、绿色、蓝色三基色按照一定比例混合后的荧光粉，由此制备固态白光光源。由于半导体激光器的光斑易整形为均匀的发散光或是会聚一点的高亮度光源，并且还可与光纤进行耦合输出，可用与某些具有特殊要求的应用领域。该固态白光光源可广泛应用于投影、电视等彩色显示装置的背光源、普通白光照明以及具有特殊要求的白光照明领域。
一种半导体固态白光光源制备方法

[实用新型]一种扭衣架-CN200820048073.8无效
发明人：王宁;李全恒;徐禹;宋国峰 -专利权人：广东轻工职业技术学院
申请日： 2008-05-21 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： D06F51/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种扭衣架，该扭衣架由手臂形受力杆、独立背板和扭衣固定座组成；手臂形受力杆与独立背板连接；独立背板的中心位置设有齿轮，扭衣固定座中心位置设有齿轮旋转齿槽，齿轮与齿轮旋转齿槽相吻合，齿轮安装在扭衣固定座中的齿轮旋转齿槽内。本实用新型可扭干大件的衣物，使大件的衣物在潮湿阴冷的天气容易晾干。该扭衣架结构简单、安装使用方便、省时省力。
一种衣架

[发明专利]一种量子阱边发射半导体激光器的制作方法-CN200710099865.8无效
发明人：徐云;陈良惠;李玉璋;曹青;宋国峰;郭良 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-05-31 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明涉及半导体激光器技术领域，公开了一种用于改善输出光斑的量子阱边发射半导体激光器的制作方法，包括：A.在N型镓砷衬底上依次制备镓砷缓冲层和镓铟磷缓冲层；B.在镓铟磷缓冲层上依次制备铝镓铟磷限制层、光波导层和有源层，并形成分别限制异质结构；C.在外延片上通过两次光刻出双沟脊波导，制备脊形台面作为出光面；D.在脊形台面上淀积电绝缘膜；E.在电绝缘膜上制备P面电极；F.对N型衬底减薄抛光后制备N面电极。利用本发明，在保证脊形光波导激光器原有输出功率、电光转换效率基本不受影响的同时，增大了平行发散角，改善了激光器的输出光斑。
一种量子发射半导体激光器制作方法

[发明专利]红光铝镓铟磷半导体激光器光纤耦合模块的制备方法-CN200710099864.3无效
发明人：徐云;陈良惠;张玉芳;宋国峰;李玉璋;种明;郑婉华;曹青 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-05-31 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体激光器技术领域，公开了一种红光铝镓铟磷半导体激光器光纤耦合模块的制备方法，包括：在N型镓砷衬底上依次制备镓砷缓冲层和镓铟磷缓冲层；在镓铟磷缓冲层上依次制备铝镓铟磷限制层、光波导层和有源层，并形成分别限制异质结构；在外延片上光刻腐蚀出光台面；在出光台面上淀积电绝缘膜；在电绝缘膜上制备P面电极；对N型衬底减薄抛光后制备N面电极；将具有P、N电极的片子解理成条作为激光器的谐振腔面，并在激光器前后腔面蒸镀增透膜和高反膜；将单管芯激光器烧结到铜热沉上；采用柱透镜压缩半导体激光器的垂直发散角；采用自聚焦透镜将半导体激光器的光束压缩聚焦并耦合到多模光纤中。本发明利于制备大功率的半导体激光器。
红光铝镓铟磷半导体激光器光纤耦合模块制备方法

[发明专利]一种用于疾病诊断的光学生物芯片与制备方法-CN200610165543.4有效
发明人： 宋国峰;汪卫敏 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-12-21 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： G01N21/27 文献下载
摘要：一种用于疾病诊断的光学生物芯片及制备方法，是在垂直腔面发射激光器阵列本身的优越性，硅探测器阵列很高的灵敏度和微电子机械系统技术而得到的。具体方案是先在底面出光的垂直腔面发射激光器阵列的出光面上加工若干个微米量级的反应池以及与之相连的若干微米量级的输液槽，然后覆盖一层SiO₂，最后与感光面上沉积有一薄层SiO₂的硅探测器阵列直接键合，探测器阵列用来探测被特定的荧光物质标记的目标生物分子发出的荧光，从而快速检测出患者是否患有某种疾病。所用的激光器的峰值波长为650－980nm，探测器的敏感波长为400－1100nm。
一种用于疾病诊断光学生物芯片制备方法

[发明专利]含高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器-CN200610144306.X有效
发明人：王青;何国荣;渠红伟;韦欣;宋国峰;陈良惠 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-12-01 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：一种含有高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器，包括：一热沉；一散热片，该散热片制作在热沉上；一上N型电极，该上N型电极制作在散热片上的中间处；一上N型DBR层，该上N型DBR层为一倒梯形，该上N型DBR层制作在上N型电极上；一高铝组分氧化限制层，该高铝组分氧化限制层位于上N型DBR层中间的两侧；一绝缘层，该绝缘层制作在上N型DBR层的外侧；一光学谐振腔，该光学谐振腔制作在上N型DBR层上；一下N型DBR层，该下N型DBR层制作在光学谐振腔上；一衬底，该衬底制作在下N型DBR层上；一下N型电极，该下N型电极制作在衬底上，该下N型电极的中间形成一出光窗口。
掺杂隧道垂直发射激光器

[发明专利]微小孔垂直腔面发射激光器的制备方法-CN200610112935.4无效
发明人：高建霞;宋国峰;甘巧强;陈良惠 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-09-13 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：一种微小孔垂直腔面发射激光器的制备方法，包括以下步骤：步骤1：取一普通垂直腔面发射激光器，该激光器包括，N面电极、出光腔面、出光孔、P面电极；步骤2：在普通垂直腔面发射激光器的出光腔面上制备增透膜；步骤3：利用聚焦离子束刻蚀技术刻蚀掉P面电极上的增透膜；步骤4：在出光腔面上的增透膜上和P面电极上制备金属膜；步骤5：在出光孔上刻蚀出亚波长尺寸的微小孔，完成微小孔垂直腔面发射激光器的制作。
微小垂直发射激光器制备方法

[发明专利]多功能半导体晶片键合装置-CN200610082853.X无效
发明人：杨国华;何国荣;石岩;宋国峰;郑婉华;陈良惠 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-06-15 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：一种多功能半导体晶片键合装置，包括键合腔室，该键合腔室中间的下部安装有一下压头；抽真空装置与键合腔室连接，控制真空泵机组对键合腔室抽真空，并且实时监测键合腔室的真空度；加热装置位于键合腔室内，对键合腔室加热到设定的温度，并且通过反馈装置保持键合腔室的温度在一定范围内，并且能够实时监测键合腔室的温度；气体氛围改变装置与键合腔室连接，改变键合腔室的气体氛围分别为真空、氮气氛围、氢气氛围或者氮气氢气混合氛围；施力装置位于键合腔室的任一侧，为键合腔室内的半导体晶片施加压力，并且可以实时监控键合晶片上施加的压力。
多功能半导体晶片装置

[发明专利]近场光学固体浸墨透镜型微小孔径激光器及制作方法-CN200510054470.7无效
发明人：甘巧强;宋国峰;石岩;杨国华;钟源;高建霞;陈良惠 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-03-10 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明一种近场光学固体浸墨透镜型微小孔径激光器，包括：在该激光器出射表面镀有能形成纳米微小孔径的金属膜层，该金属膜层上具有一个亚波长量级的微小孔径，其特征在于，其中，在微小孔径中填充有高折射率的物质。
近场光学固体透镜微小孔径激光器制作方法

[发明专利]高能电子衍射图像处理系统及方法-CN200510051700.4无效
发明人：孙永伟;侯识华;宋国峰;杨晓杰;叶晓军 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-03-01 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： G06F3/05 文献下载
摘要：本发明一种高能电子衍射图像处理系统，其特征在于，包括：一高能电子衍射荧光屏；一CCD摄像头，该CCD摄像头置于高能电子衍射荧光屏的后面，该CCD摄像头用不锈钢圆筒固定；一图像采集卡，该图像采集卡用视频线与CCD摄像头连接，该图像采集卡将CCD摄像头得到的模拟信号转换为数字信号，并保存在内存中；一计算机，该计算机用视频线与图像采集卡连接，该计算机处理内存中的数据，将这些数据在计算机的屏幕上成像。
高能电子衍射图像处理系统方法