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[发明专利]掩模坯料、转印用掩模的制造方法及显示装置的制造方法-CN202210319651.1在审
发明人：浅川敬司;田边胜;安森顺一;打田崇 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制蚀刻掩模膜因用于清洗等的药液而发生剥离的掩模坯料。上述掩模坯料在透光性基板的主表面上依次层叠有图案形成用的薄膜和蚀刻掩模膜，薄膜含有金属、硅及氮，蚀刻掩模膜含有铬，蚀刻掩模膜的外周部的膜厚小于上述蚀刻掩模膜的除上述外周部以外的部分的膜厚，薄膜的外周部的氮含量相对于硅含量的比率大于上述薄膜的除上述外周部以外的部分的氮含量相对于硅含量的比率。
坯料转印用掩模制造方法显示装置

[发明专利]掩模胚料、转印用掩模及其制造方法、显示装置制造方法-CN202310088032.0在审
发明人：田边胜;安森顺一;浅川敬司;打田崇 -专利权人：豪雅株式会社
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种掩模胚料、转印用掩模及其制造方法、显示装置制造方法。该掩模胚料相对于包括紫外线区域的波长的曝光光具有高耐光性，并且具有高耐药性，能够形成良好的转印图案。该掩模胚料具有透光基板、以及在透光基板的主表面上设置的图案形成用薄膜，薄膜含有钛、硅以及氮，在使相对于薄膜的内部区域利用X射线光电子能谱法进行分析而得到的Ti2p窄谱中结合能是455eV的光电子强度为PN、使Si2p窄谱中结合能是102eV的光电子强度为PS时，满足PN/PS比1.18大的关系，内部区域是薄膜的除了透光基板侧的附近区域和与透光基板相反一侧的表层区域以外的区域，内部区域中氮的含量为30原子％以上。
掩模胚料转印用掩模及其制造方法显示装置

[发明专利]光掩模坯料、光掩模、光掩模的制造方法和显示装置的制造方法-CN202211150078.2在审
发明人：田边胜;浅川敬司;中村仁美;安森顺一 -专利权人：豪雅株式会社
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：[课题]提供一种具有高的抗静电击穿特性、并且与以往相比能够降低负载效应等的光掩模坯料、光掩模、光掩模的制造方法和显示装置的制造方法。[解决手段]例如FPD制造用的光掩模坯料的特征在于，其具有透明基板和该透明基板上的遮光膜，遮光膜含有钛(Ti)和硅(Si)，遮光膜的薄层电阻值为40Ω/sq以上。由此，与现有的光掩模坯料相比能够改善抗静电击穿特性，并且能够降低负载效应。
光掩模坯料制造方法显示装置

[发明专利]相移掩模坯料、相移掩模制造方法及显示装置制造方法-CN201711295074.2有效
发明人：坪井诚治;浅川敬司;中村伊都;安森顺一 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：本发明提供一种相移掩模坯料，其具有优异的图案截面形状及优异的CD均匀性，且形成有微细图案，用于显示装置用相移掩模的形成。设置于透明基板上的相移膜具有：第一功能层及第二功能层、配置于两者间的中间层，第一功能层及第二功能层由含有铬、氧、氮的铬系材料构成，铬为30～70原子％，氧为20～60原子％，氮为0.4～30原子％，第一功能层所含的氮的含有率与第二功能层所含的氮的含有率相同或更多，第二功能层所含的氧的含有率比第一功能层所含的氧的含有率多，中间层含有铬和碳，铬的含有率为55～90原子％，碳的含有率为10～45原子％，中间层所含的铬的含有率比第一功能层及第二功能层所含的铬的含有率多。
相移坯料制造方法显示装置

[发明专利]光掩模坯料、光掩模的制造方法、及显示装置的制造方法-CN202210312054.6在审
发明人：田边胜;浅川敬司;安森顺一 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供能够缩短对图案形成用薄膜进行微细图案(图案形成用薄膜图案)的湿法蚀刻时的蚀刻时间、具有高耐光性及耐化学药品性、并且能够形成具有接近垂直的边缘的截面形状及良好的LER的微细图案的显示装置制造用光掩模坯料。所述显示装置制造用光掩模坯料在透明基板上具有图案形成用薄膜，所述图案形成用薄膜由含有钛(Ti)、硅(Si)及氮(N)的材料形成，所述图案形成用薄膜具有柱状结构，所述图案形成用薄膜中所含的氧的含有率为7原子％以下。
光掩模坯料制造方法显示装置

[发明专利]掩模坯料及其制造方法、转印用掩模及其制造方法、及显示装置的制造方法-CN202210185936.0在审
发明人：浅川敬司;田边胜;安森顺一 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制在将图案形成用的薄膜或具有转印图案的薄膜剥离之后透光性基板的主表面的形状劣化、且能够有助于再循环时的制造成品率的提高的掩模坯料。该掩模坯料具备透光性基板、和设置于透光性基板的主表面上的图案形成用的薄膜，薄膜含有金属、硅及氮，薄膜的外周部的膜厚小于薄膜的除上述外周部以外的部分的膜厚，薄膜的上述外周部的氮含量相对于硅含量的比率小于薄膜的除外周部以外的部分的氮含量相对于硅含量的比率。
坯料及其制造方法转印用掩模显示装置

[发明专利]相移掩模及其底板、相移掩模以及显示装置的制造方法-CN202111362078.4在审
发明人：田边胜;浅川敬司;安森顺一 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：提供一种相移掩模底板，即使在相移膜产生膜厚波动的情况下，也能够抑制相对于曝光光的代表波长的透射率的波动而具有所期望的高的透射率并且能够进行良好的图案转印。相移掩模底板在透明基板上具有相移膜，相移膜在曝光波长的代表波长下，透射率为30％以上且80％以下，衰减系数k为0.10以上且0.25以下，折射率n为2.20以上且2.57以下，曝光波长的代表波长处于313～436nm的范围内，代表波长在相移膜的表面反射率与波长的关系中，位于相邻的短波长侧的表面反射率的谷与相邻的长波长侧的表面反射率的峰之间，相移膜含有过渡金属和硅。
相移及其底板以及显示装置制造方法

[发明专利]光掩模坯料及光掩模的制造方法、以及显示装置的制造方法-CN202110307879.4在审
发明人： 安森顺一;浅川敬司;田边胜 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供可以制造遮光膜图案的精度优异、并且具有通过曝光转印图案时可以实现高图案精度的光学特性的光掩模的光掩模坯料。为此，本发明的光掩模坯料是在制作显示装置制造用光掩模时使用的光掩模坯料，其具有：透明基板、和设置于透明基板上的遮光膜，遮光膜从透明基板侧起具备第1反射抑制层、遮光层及第2反射抑制层，第1反射抑制层从透明基板侧起依次具备氧相对于氮的比例相对较少的第1低度氧化铬层、和氧相对于氮的比例相对较多的第1高度氧化铬层，第2反射抑制层从透明基板侧起依次具备氧相对于氮的比例相对较少的第2低度氧化铬层、和氧相对于氮的比例相对较多的第2高度氧化铬层。
光掩模坯料制造方法以及显示装置

[发明专利]光掩模坯料、光掩模的制造方法及显示装置的制造方法-CN202110265084.1在审
发明人：田边胜;浅川敬司;安森顺一 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明的课题在于，提供一种在对相移膜进行湿法蚀刻时可以缩短过刻蚀时间、抑制基板的损伤、可以形成具有良好的截面形状、LER、且耐化学品性也良好的转印图案的光掩模坯料。所述光掩模坯料是用于形成光掩模的原版，光掩模在透明基板上具有通过对相移膜进行湿法蚀刻而得到的相移膜图案，相移膜由单层或多层构成，并且相对于整体膜厚的50％以上且100％以下包含由含有钼、锆、硅及氮的材料形成的MoZrSi系材料层，MoZrSi系材料层中的钼与锆的原子比率为Mo：Zr＝1.5:1～1:4，硅相对于钼、锆及硅的合计的含有比率为70～88原子％。
光掩模坯料制造方法显示装置

[发明专利]光掩模坯料、光掩模坯料的制造方法、光掩模的制造方法及显示装置的制造方法-CN202110243881.X在审
发明人：田边胜;浅川敬司;安森顺一 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种光掩模坯料，其在通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而形成转印图案时能够缩短过蚀刻时间，可以形成具有良好的截面形状、满足图案形成用薄膜或转印图案中所要求的耐清洗性、且满足要求的线边缘粗糙度的转印图案。所述光掩模坯料在透明基板上具有图案形成用薄膜，其中，光掩模坯料是用于形成光掩模的原版，所述光掩模通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而在透明基板上具有转印图案，图案形成用薄膜含有过渡金属和硅，图案形成用薄膜具有柱状结构、且包含上层及下层，构成上层中的柱状结构的粒子的平均尺寸小于构成下层中的柱状结构的粒子的平均尺寸。
光掩模坯料制造方法显示装置

[发明专利]光掩模坯料、光掩模的制造方法、及显示装置的制造方法-CN202010111676.3在审
发明人：田边胜;浅川敬司;安森顺一 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供光掩模坯料、光掩模的制造方法、及显示装置的制造方法，在以过度蚀刻时间对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而形成于透明基板上的转印图案中抑制在与透明基板的界面的浸入。光掩模坯料为用于形成光掩模的底版，光掩模为通过湿法蚀刻图案形成用薄膜而得到的、在透明基板上具有转印图案的光掩模，图案形成用薄膜含有过渡金属、硅、氧、氮，通过XPS分析得到的氧的含有率为1原子％以上且70原子％以下，且在将透明基板与图案形成用薄膜的界面定义为通过XPS分析得到的图案形成用薄膜中包含的过渡金属的含有率为0原子％的位置时，从界面起向上述图案形成用薄膜的表面30nm以内的区域中，氮相对于氧的比率存在最大值。
光掩模坯料制造方法显示装置

[发明专利]光掩模坯料、光掩模坯料的制造方法、光掩模的制造方法及显示装置的制造方法-CN201911179769.3在审
发明人：田边胜;浅川敬司;安森顺一;石原重德;花冈修 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供在通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而形成转印图案时能够缩短过蚀刻时间、可以形成具有良好的截面形状的转印图案的光掩模坯料。所述光掩模坯料在透明基板上具有图案形成用薄膜，其中，光掩模坯料是用于形成光掩模的原版，所述光掩模通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而在透明基板上具有转印图案，图案形成用薄膜含有过渡金属和硅，图案形成用薄膜具有柱状结构。
光掩模坯料制造方法显示装置

[发明专利]光掩模空白片、光掩模的制造方法及显示装置的制造方法-CN201610173066.X有效
发明人：牛田正男;坪井诚治;安森顺一;阿山兼士 -专利权人： HOYA株式会社;HOYA电子马来西亚有限公司
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明提供一种光掩模空白片、光掩模的制造方法及显示装置的制造方法，上述光掩模空白片成为图案截面的形状近似垂直而适合转印特性和微细化、且即使以高曝光量(高剂量)进行转印也可使转印缺陷少的光掩模，上述光掩模的制造方法具有上述特性，上述显示装置的制造方法以高成品率制造高精细显示装置。上述光掩模空白片在透明基板上层叠有遮光层和反射降低层，遮光层由多层层叠膜以蚀刻速度从遮光层表面向透明基板阶段性或连续性地加快的方式构成，该遮光层中的形成于基板侧的下层部在436nm波长下的光学浓度为1.0以上。此外，上述光掩模的制造方法使用该光掩模空白片制造光掩模。并且，上述显示装置的制造方法使用该光掩模制造显示装置。
光掩模空白制造方法显示装置

[发明专利]相移掩模坯料、相移掩模的制造方法及显示装置的制造方法-CN201910216524.7在审
发明人：田边胜;浅川敬司;安森顺一 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种高透过率的相移掩模坯料，其可以将相移膜构图成能够充分发挥相移效果的截面形状。该相移掩模坯料在透明基板上具有相移膜，且在该相移膜上具有蚀刻掩模膜，是用于形成相移掩模的原版，以蚀刻掩模膜形成规定图案的蚀刻掩模膜图案作为掩模，通过对所述相移膜进行湿式蚀刻而在所述透明基板上形成具有相移膜图案的相移掩模，所述相移膜含有过渡金属、硅、氧、氮，所述相移膜包含的氧的含有率为5原子％以上70原子％以下，所述相移膜包含的过渡金属和硅的比例为1:1.5以上1:6以下，所述相移膜的膜应力为0.35GPa以下。
相移相移掩模蚀刻掩模膜坯料过渡金属透明基板图案相移膜图案高透过率截面形状湿式蚀刻显示装置膜应力掩模原版制造

[发明专利]相移掩模坯料及使用其的相移掩模的制造方法、以及显示装置的制造方法-CN201810034453.4在审
发明人：坪井诚治;安森顺一 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种用于形成显示装置用相移掩模的相移掩模坯料，所述显示装置用相移掩模具有优异的图案截面形状及优异的CD均匀性、且形成了微细的图案而使转印精度变得良好。该相移掩模坯料在透明基板上具备相移膜，相移膜由金属系材料或金属硅化物系材料构成，相移膜具有相移层、配置于该相移层的上侧的减反射层、以及配置于相移层和减反射层之间的中间层，中间层是具有比减反射层的金属含有率更高的金属含有率的金属系材料、或者是具有比减反射层的金属和硅的总含有率更高的总含有率的金属硅化物系材料，相移膜的膜面反射率在350nm～436nm的波长范围为15％以下，相移膜对于从透明基板侧入射的光的背面反射率在365nm～436nm的波长范围为20％以下。
相移掩模相移减反射层显示装置相移层坯料金属硅化物金属系材料透明基板中间层波长金属图案截面形状膜面反射率微细反射率均匀性入射转印配置背面制造图案

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