专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种U钻暴力钻及其应用-CN202211021974.9在审
  • 姚力军;潘杰;张云雄;王学泽 - 宁波江丰电子材料股份有限公司
  • 2022-08-24 - 2022-11-04 - B23B51/00
  • 本发明涉及一种U钻暴力钻及其应用,所述U钻暴力钻包括钻杆、连接部和刀柄;所述钻杆上设置有螺旋结构的排屑槽;所述钻杆顶部的外侧端面上设置有出水口;所述出水口以所述钻杆的中轴线为中线对称分布。本发明提供的U钻暴力钻的钻杆上设置有螺旋结构的排屑槽;所述钻杆的顶部的外侧端面上设置有出水口;且所述出水口以所述钻杆的中轴线为中线对称分布;将所述U钻暴力钻用于加工高纯铝材料溅射靶材时,通过控制U钻暴力钻的进给量、转速和吃刀量等加工参数,可将产生的碎屑及时排除,进而有利于改善加工效果,提高加工效率,加工的高纯铝材料能够满足半导体靶材溅射的表面要求。
  • 一种暴力及其应用
  • [发明专利]一种焊接缺陷靶材组件的脱焊方法-CN202210927505.7在审
  • 姚力军;潘杰;钟鹏龙;王友科;杨杰 - 宁波江丰电子材料股份有限公司
  • 2022-08-03 - 2022-11-01 - B23P19/00
  • 本发明涉及一种焊接缺陷靶材组件的脱焊方法,所述脱焊方法包括:将焊接缺陷靶材组件和垫圈进行组装,之后依次进行第一挤压和第二挤压,即得到分离的靶材和背板;所述第一挤压为在焊接缺陷靶材组件的背板上设置第一垫块进行挤压;所述第二挤压为第一挤压后的背板上设置第二垫块进行挤压;第一垫块的直径>第二垫块的直径。本发明提供的脱焊方法,通过采用特定的挤压过程和挤压组件相配合,实现了焊接缺陷靶材组件的高效脱焊,使得脱焊后的靶材和背板的焊接面经整平和机加工后即可进行二次焊接。
  • 一种焊接缺陷组件方法
  • [发明专利]一种MoTi/Cu靶材焊接品缺陷的检测方法-CN202211020758.2在审
  • 姚力军;潘杰;雷宇;王学泽 - 宁波江丰电子材料股份有限公司
  • 2022-08-24 - 2022-11-01 - G01N29/06
  • 本发明涉及一种MoTi/Cu靶材焊接品缺陷的检测方法,所述检测方法包括以下步骤:(1)将靶材焊接品进行机加工处理,得到预处理靶材;(2)将标准样品放置于水下,使超声波探头伸入水下,对超声波探头进行校正,使超声波检测的增益为40‑60dp;(3)将标准样品替换为步骤(1)得到的所述预处理靶材,然后采用超声波探头进行检测,得到所述靶材焊接品的缺陷信息。本发明提供的检测方法能够准确地探测焊接品内部的焊接状态,包括是否有缺陷及缺陷的位置、范围、大小和形状,直观地看到缺陷的图像,得到产品的缺陷率,缺陷识别率高,并且不会对产品造成破坏。
  • 一种moticu焊接缺陷检测方法
  • [发明专利]一种螺纹孔的三坐标检测方法-CN202010808482.9有效
  • 姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;陈文庆 - 宁波江丰电子材料股份有限公司
  • 2020-08-12 - 2022-10-28 - G01B21/04
  • 本发明提供了一种螺纹孔的三坐标检测方法,所述三坐标检测方法包括如下步骤:(1)沿螺纹孔轴向的不同高度的牙顶处共选取至少2个起始点,根据螺纹孔的螺距P取点,从而构建至少2个圆柱,得到牙顶轴线位置;(2)沿螺纹孔轴向的不同高度的牙根处共选取至少2个起始点,根据螺纹孔的螺距P取点,从而构建至少2个圆柱,得到牙根轴线位置;(3)步骤(1)所述牙顶轴线位置与步骤(2)所述牙根轴线位置的平均位置为所述螺纹孔的中心轴线。本发明所述三坐标检测方法以现有的三坐标检测仪为基础,通过简单的操作即可克服螺纹牙顶与牙根对螺纹孔定位检测准确度的影响;同时也能够降低螺纹间距误差对检测准确度的影响。
  • 一种螺纹坐标检测方法
  • [发明专利]一种二氧化硅靶坯的制备方法-CN202011529734.0有效
  • 姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;江胜君 - 宁波江丰电子材料股份有限公司
  • 2020-12-22 - 2022-10-28 - C04B35/14
  • 本发明涉及一种二氧化硅靶坯的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:(1)将二氧化硅粉末进行烘干,之后加入到烧结模具内进行夯实,得到生坯;(2)将步骤(1)得到的所述生坯进行热压烧结,除去磨具,得到所述二氧化硅靶坯;其中,所述热压烧结包括依次进行的抽真空、第一升温、第一保温、第二升温、第二保温、第三升温、第三保温、加压、保温保压和冷却。本发明提供的制备方法,通过对制备方法的改进,采用特定的热压烧结工艺,采用多次的升温保温交替进行使得制备得到的二氧化硅靶材有效降低封装材料的热膨胀系数、吸水率、成型收缩率及成本率,进一步地,还提高了封装材料的耐热性能、机械强度、介电性能及热导率。
  • 一种二氧化硅制备方法

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