专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种屏蔽盾的刻蚀方法-CN202310311446.5在审
  • 孟艳秋;陈跃华 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2023-03-28 - 2023-07-18 - H01L21/28
  • 本发明提供一种屏蔽盾的刻蚀方法,包括在半导体衬底上淀积形成一层栅介质层,然后沉积多晶硅层并刻蚀形成多晶硅栅极,再沉积氧化层将多晶硅栅极覆盖包裹;沉积氮化钛层和钨金属层,氮化钛层和钨金属层全面覆盖整个衬底表面;涂布光刻胶,曝光显影之后光刻胶定义出屏蔽盾的形成区域;在图案化的光刻胶定义下对钨金属层进行主刻蚀;采用轻微刻蚀工艺对刻蚀产生的覆盖在光刻胶上的聚合物进行刻蚀;采用过刻蚀将氧化层表面的氮化钛层全部去除;通过刻蚀工艺移除全部的光刻胶。本发明通过增加轻微刻蚀的步骤去除覆盖在光刻胶上的聚合物,解决了屏蔽盾刻蚀工艺中由于刻蚀产生的含WClx的聚合物导致后续工艺缺陷的问题,并保证屏蔽盾氧化层的厚度。
  • 一种屏蔽刻蚀方法
  • [发明专利]一种MIM结构的下极板金属层的刻蚀方法-CN202310311438.0在审
  • 孟艳秋 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2023-03-28 - 2023-07-04 - H01L23/64
  • 本发明提供一种MIM结构的下极板金属层的刻蚀方法,包括提供具有MIM结构的半导体结构,MIM结构包括下极板金属层和介质层,下极板金属层包括Al层和位于Al层上方的TiN层;通过光刻工艺定义下极板图形;对所述下极板金属层进行刻蚀,所述刻蚀依次包括ME主刻、轻微刻蚀和OE过刻。本发明在原有刻蚀方法利用BCl3和Cl2对下极板金属层进行刻蚀的基础上,增加利用CL2/O2进行轻微刻蚀的步骤,将经过ME主刻残余的少许Al刻蚀掉,同时保护Al不会侧掏,进而使表面平整,解决了由于ME主刻完后,会有少许残留的Al,导致在刻蚀后底部会出现表面粗糙的问题。
  • 一种mim结构极板金属刻蚀方法
  • [发明专利]金属互连结构制作方法-CN202211483456.9在审
  • 汪健;王玉新;季凡;孟艳秋 - 华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-11-24 - 2023-03-07 - H01L21/768
  • 本申请提供的金属互连结构制作方法包括:形成互连介质层和掩模层;使得掩模层形成金属互连线图案窗口;在带有金属互连线图案窗口的掩模层上依次形成抗反射涂层和光阻层;使得光阻层形成金属互连孔图案窗口;基于金属互连孔图案窗口,使用重聚合物气体,对抗反射涂层进行刻蚀,使得金属互连孔图案窗口转移到抗反射涂层中,且转移到抗反射涂层中的金属互连孔图案窗口侧壁上覆盖有聚合物层;基于覆盖有聚合物层的金属互连孔图案窗口,对互连介质层进行刻蚀形成初级金属互连孔槽;去除抗反射涂层和光阻层;基于金属互连线图案窗口,对互连介质层进行刻蚀,在互连介质层中形成金属互连线槽的同时使得初级金属互连孔槽向下延伸形成最终金属互连孔槽。
  • 金属互连结构制作方法
  • [发明专利]一种包合物消毒片剂及其制备方法-CN202210634627.7在审
  • 李磊;梁梦秋;李淑媛;孟艳秋;范郁琳 - 沈阳化工大学
  • 2022-06-07 - 2022-10-11 - A01N25/34
  • 本发明公开一种包合物消毒片剂及其制备方法,包合物消毒片剂组分:TCCA‑HP‑β‑CD包合物50%~70%、填充剂10%~15%、黏合剂8%~17%、崩解剂8%~17%、润滑剂0.5%~1%。本发明采用包合技术制备的消毒片剂,具有良好的杀菌活性,大大提高了主药三氯异氰尿酸的水溶性,解决了其在水中溶解度低、发挥消杀作用滞后的问题;使用时,在保障消毒灭菌的前提下发挥了缓释效果,降低了消杀频次、提高了消杀接触的作用时间及效果;该包合物消毒片提高了三氯异氰尿酸的热稳定性,运输和储藏过程中有效成分不易挥发,刺激性气味显著降低,大大降低了使用时对人的呼吸系统及皮肤的刺激作用。
  • 一种包合物消毒片剂及其制备方法
  • [发明专利]一种刻蚀方法及互联结构形成方法-CN202210946569.1在审
  • 汪健;孟艳秋;陈跃华 - 华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-08-05 - 2022-10-11 - H01L21/311
  • 本公开的实施例提供一种刻蚀方法,包括:提供衬底,包括基底,基底内形成有导电垫层,基底上依次形成有扩散阻挡层和介电层,所述介电层内形成有第一槽和第一孔,所述第一孔与第一槽连通且位于所述第一槽之下,所述第一槽的开口尺寸大于所述第一孔的开口尺寸;所述刻蚀方法还包括:进行第一刻蚀,包括:通入第一刻蚀气体,对所述第一槽和所述第一孔进行刻蚀,以形成第二槽和第二孔;进行第二刻蚀,包括:通入第二刻蚀气体,对所述第二槽和所述第二孔进行刻蚀,形成第三槽和第三孔,所述第三孔的底部位于所述扩散阻挡层;所述第二刻蚀气体比所述第一刻蚀气体具有更小的碳和氟的比值。采用所述刻蚀方法,避免了聚合物导致刻蚀终止的问题。
  • 一种刻蚀方法联结构形成方
  • [发明专利]应用于后道工序中的刻蚀方法-CN202010342342.7有效
  • 马莉娜;丁奥博;孟艳秋 - 华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2020-04-27 - 2022-08-16 - H01L21/762
  • 本申请公开了一种应用于后道工序中的刻蚀方法,包括:通过光刻工艺在第二硬掩模层的目标区域覆盖光阻,第二硬掩模层形成于第一硬掩模层上,第一硬掩模层形成于第二介质层上,第二介质层形成于第一介质层上,第一介质层形成于层间介质和形成于层间介质中的金属通孔上,目标区域是第二硬掩模层上除金属通孔上方的区域以外的其它区域;通过刻蚀去除金属通孔上方的第二硬掩模层、第一硬掩模层和第一预定深度的第二介质层;对光阻进行碳化处理;刻蚀去除第二预定深度的第二介质层。本申请通过对光阻进行碳化处理,然后刻蚀去除第二预定深度的第二介质层,由于对光阻进行碳化处理后能够使光阻的表面坚固,在刻蚀过程中表面坚固的光阻能够保持较好的形貌。
  • 应用于工序中的刻蚀方法

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