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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810949566.7有效
发明人：李起洪;皮昇浩;孙玄洙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-05-08 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H10B41/50 文献下载
摘要：一种半导体器件，其通过使用分离地形成在第一焊盘结构和第二焊盘结构中的非对称阶梯形状来形成字线的焊盘部分从而至少局部实现了接触区面积减小。与本领域已知的制造工艺相比，接触区面积减小。这使得器件集成度提高、制造工艺复杂性减小。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]利用加热器电流变化的气体传感器模块的温度补偿方法-CN201711076550.1有效
发明人：吴善美;孙玄洙;权宗珉;金良起;李台远;金智惠 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社;韩国纳米传感器技术有限公司
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： G01N27/407 文献下载
摘要：一种利用加热器电流变化的气体传感器模块的温度补偿方法可以包括：从电解质的电解反应等式推导气体传感器模块的输出电压等式，并将输出电压等式推导为针对基于传感器温度而变化的波动温度和未知类型补偿系数的等式；由加热器电流来推导波动温度，并由所述加热器电流和所述补偿系数来推导输出电压等式，所述加热器电流指的是形成于气体传感器模块中的加热器电流值；在两点或多点处测量取决于加热器电流的输出电压，以确定所述输出电压等式的补偿系数，而所述输出电压配置成利用由气体传感器模块测量的加热器电流的变化来补偿，而不考虑外部温度。
利用加热器电流变化气体传感器模块温度补偿方法

[发明专利]固体电解质二氧化碳传感器及其制造方法-CN201611114573.2有效
发明人：吴善美;孙玄洙;权宗珉;金良起;李台远;金智惠 -专利权人：现代自动车株式会社
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： G01N27/406 文献下载
摘要：本发明涉及固体电解质二氧化碳传感器及其制造方法。具体涉及一种固体电解质CO2传感器，其可以包括：固体电解质，其接合至基板以结合并密封基板；感测电极，其形成在固体电解质的第一侧；以及参考电极，其形成在固体电解质的第二侧和基板的一个表面之间，并且被固体电解质和基板所密封。
固体电解质二氧化碳传感器及其制造方法

[发明专利]用于温度补偿的介电材料及其制备方法-CN201410507866.1有效
发明人：吴善美;孙玄洙;金永敏 -专利权人：现代自动车株式会社;株式会社东日技研
申请日： 2014-09-28 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明提供化学式1的用于温度补偿的介电材料及其制备方法。化学式1：(Ba_{1‑a‑b‑3c/}₂Sr_aMg_bLa_c)(Ti_1‑xSn_x)O₃。在以上化学式1中，a为0≤a<0.20；b为0
用于温度补偿材料及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310166162.8有效
发明人：李起洪;皮昇浩;孙玄洙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-05-08 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：一种半导体器件，其通过使用分离地形成在第一焊盘结构和第二焊盘结构中的非对称阶梯形状来形成字线的焊盘部分从而至少局部实现了接触区面积减小。与本领域已知的制造工艺相比，接触区面积减小。这使得器件集成度提高、制造工艺复杂性减小。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]受挥发性有机化合物影响减小的固体电解质型二氧化碳传感器-CN201711019817.3在审
发明人：吴善美;孙玄洙;权宗珉;金良起;李台远;金智惠 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： G01N27/407 文献下载
摘要：本发明公开一种受挥发性有机化合物(VOC)影响减小的固体电解质型二氧化碳传感器，其包括：固体电解质；参比电极，其形成在固体电解质的一侧；检测电极，其一侧接合并形成在固体电解质的另一侧；基板，其形成在参比电极的另一侧；以及氧化催化剂，其形成在检测电极的另一侧。
固体电解质挥发性有机化合物二氧化碳传感器固体电解质型参比电极检测电极减小氧化催化剂基板合并

[发明专利]通过使用共烧结制造固体电解质型二氧化碳传感器的方法-CN201710570225.4在审
发明人：权宗珉;吴善美;孙玄洙;金良起;李台远;金智惠 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： G01N27/416 文献下载
摘要：本发明提供一种通过使用共烧结制造固体电解质型二氧化碳传感器的方法。具体地，本发明提供一种用于制造固体电解质型CO2传感器的方法，所述方法包括：结合步骤，所述结合步骤将参比电极结合至固体电解质的一个表面上；第一堆叠步骤，所述第一堆叠步骤将感测电极堆叠在固体电解质的与参比电极结合的表面相对的另一表面上；以及第二堆叠步骤，所述第二堆叠步骤将基板堆叠在参比电极的与固体电解质结合的表面相对的另一个表面上。根据本发明的用于制造固体电解质型CO2传感器的方法，可以提供一种通过使用共烧结来制造固体电解质型CO2传感器的方法，其中传感器的初始稳定速度增加，制造过程简化，以及传感器的精度得到改善。
固体电解质型传感器堆叠固体电解质参比电极共烧结制造二氧化碳传感器表面相对感测电极基板堆叠速度增加制造过程

[发明专利]压电发电装置-CN201310757108.0有效
发明人：姜赞熙;孙玄洙;吴善美;俞灿世;韩承镐;李炯揆;姜亨远 -专利权人：现代自动车株式会社;电子部品研究院
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H02N2/18 文献下载
摘要：一种压电发电装置不管部件尺寸如何均能使用，并且在多个悬臂串联连接时通过设置彼此相对的悬臂的自由端，能够将质量体的重心定位在中心处。该压电发电装置是变体结构悬臂压电发电装置，其具有被配置为具有彼此相对的自由端的至少两个悬臂和用于弯曲悬臂的一体的质量体。
压电发电装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210458176.2在审
发明人：李起洪;皮昇浩;孙玄洙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-11-14 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明是半导体器件及其制造方法。半导体器件，包括：垂直沟道层；管道沟道层，被配置成连接所述垂直沟道层的下端部；以及管道栅，围绕所述管道沟道层且包括第一区域和剩余的第二区域，所述第一区域与管道沟道层接触并包括第一类型杂质，所述剩余的第二区域包括与所述第一类型杂质不同的第二类型杂质。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]制造半导体存储器件的方法-CN200810132451.5无效
发明人： 孙玄洙 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-07-16 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造半导体存储器件的方法，该方法可以保护隧道绝缘层免受蚀刻损伤，包括以下步骤：在半导体衬底上顺序地形成隧道绝缘层、第一导电层、介电层和第二导电层；蚀刻第二导电层、介电层和第一导电层以形成栅极图案，第一导电层保留在栅极图案之间的隧道绝缘层上以防止隧道绝缘层被暴露；实施清洗工艺以除去在蚀刻步骤中产生的杂质；实施离子注入工艺以使保留在隧道绝缘层上的第一导电层单晶化；和实施氧化工艺以在栅极图案的顶部和侧壁上形成氧化物层，并将单晶化的第一导电层转变为绝缘层。
制造半导体存储器件方法

[发明专利]半导体存储器件结及其形成方法-CN200810126209.7无效
发明人： 孙玄洙 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-06-26 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体存储器件结及其形成方法。该半导体存储器件结可包括其上形成有栅极线的半导体衬底以及结，所述结包括通过将不同摩尔质量的杂质注入栅极线之间的半导体衬底中形成的第一和第二结元件。该半导体存储器件结的形成方法可包括：提供具有栅极线的半导体衬底；沿着包括栅极线的半导体衬底的表面形成辅助层；将杂质注入栅极线之间的半导体衬底内，以形成第一结元件；以及将杂质注入所述半导体衬底内，以形成第二结元件，其中用以形成第一结元件和第二结元件而注入的杂质的摩尔质量互不相同。
半导体存储器件及其形成方法

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