专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]钙铁掺杂的锑锰锆钛酸铅压电陶瓷-CN201310421430.6无效
  • 孙清池;徐青;马卫兵;刘群;张琦 - 天津大学
  • 2013-09-13 - 2014-01-08 - C04B35/491
  • 本发明公开了一种钙铁掺杂的锑锰锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法,其化学计量式为Pb1.02(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3+x wt.%2CaO-Fe2O3,式中x=0.05~0.30。本发明以锑锰锆钛酸铅体系压电陶瓷为基础,采用传统的氧化物混合方法,加入钙铁氧化物来调节综合性能,制备出具有较好综合性能的Pb1.02(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3+x wt.%2CaO-Fe2O3的大功率型压电陶瓷材料,最佳烧结温度为1240℃,其d33=336pC/N,εr=1610,tanδ=0.29%。本发明主要应用于高电压与高压力驱动,在信息、军工、电子电器、航空、石油勘探等行业得到广泛应用。
  • 掺杂锑锰锆钛酸铅压电陶瓷
  • [发明专利]一种铌锌铌镍锆钛酸铅压电陶瓷-CN201310406344.8无效
  • 孙清池;刘群;马卫兵;张琦;徐青 - 天津大学
  • 2013-09-09 - 2013-12-25 - C04B35/491
  • 本发明公开了一种铌锌铌镍锆钛酸铅压电陶瓷,化学计量式为:0.7Pb(ZrxTi1-x)O3-yPb(Zn1/3Nb2/3)O3-(0.3-y)Pb(Ni1/3Nb2/3)O3,其中,0.44≦x≦0.47,0.07≦y≦0.13,采用传统固相法制备了具有良好综合性能的压电陶瓷。本发明满足了高压电系数(d33=500-650pC/N)、高居里温度(Tc>250℃)和低损耗(﹤2%),在室温下具有极高的应变能力(0.8kV/mm交变电场下对应0.25%应变量)。在1120-1180℃烧结具有较小的晶粒尺寸,有助于提高抗老化性能。本发明适用于较大温度范围内的大应变应用,在微位移驱动器、补偿器和制动器领域有重要的应用价值。
  • 一种铌锌铌镍锆钛酸铅压电陶瓷
  • [发明专利]锰锑掺杂的锆钛酸铅压电陶瓷-CN201310293846.4无效
  • 孙清池;徐青;马卫兵;刘群;张琦 - 天津大学
  • 2013-07-12 - 2013-10-23 - C04B35/491
  • 本发明公开了一种锰锑掺杂的锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法,其化学计量式为Pb1.02(Mn1/3Sb2/3)x(Zr0.47Ti0.48)(1-x)/0.95O3,式中x=0.01~0.07。本发明以Pb(TiZr)O3体系压电陶瓷为基础,采用传统的氧化物混合方法,加入MnO2和Sb2O3来调节综合性能,制备出具有较好综合性能的Pb1.02(Mn1/3Sb2/3)x(Zr0.47Ti0.48)(1-x)/0.95O3,且x=0.01~0.07的大功率型压电陶瓷材料,最佳烧结温度为1260℃,其d33=352PC/N,εr=1689,tanδ=0.25%。本发明主要应用于高电压与高压力驱动,在信息、军工、电子电器、航空、石油勘探等行业得到广泛应用。
  • 掺杂锆钛酸铅压电陶瓷
  • [发明专利]钨镁铌镍锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法-CN201310293809.3无效
  • 孙清池;张琦;马卫兵;刘群;徐青 - 天津大学
  • 2013-07-12 - 2013-10-23 - C04B35/491
  • 本发明公开了一种钨镁铌镍锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法,其化学计量式为Pb[(Mg1/2W1/2)0.01(Ni1/3Nb2/3)0.40Ti0.356Zr0.234]O3,以PZT二元系压电陶瓷为基础,由复合钙钛矿型化合物和锆钛酸铅形成固溶体,采用传统固相烧结法,通过调整烧结温度来提高其压电性能,制备出具有较好综合性能的大应变压电陶瓷材料,提供了一种压电系数d33、居里温度Tc较高、综合性能好的压电陶瓷,烧结温度为1240℃时,其d33=653PC/N、tgδ=2.0%、εr=4442、Tc=190℃。本发明主要应用于压电陶瓷微位移驱动器,在信息、军工、移动通信、电子电器、航空、石油勘探等行业得到广泛应用。
  • 钨镁铌镍锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法
  • [发明专利]镧锑掺杂的锆钛酸铅压电陶瓷-CN201310293867.6无效
  • 孙清池;张琦;马卫兵;刘群;徐青 - 天津大学
  • 2013-07-12 - 2013-10-23 - C04B35/49
  • 本发明公开了一种镧锑掺杂的锆钛酸铅压(PZT)电陶瓷及其制备方法,其化学计量式为Pb0.96-xLax(Zr0.55Ti0.45)1-x/4+1.5%wtSb2O3,式中X=0.035~0.05。本发明以PZT二元系压电陶瓷为基础,采用传统的固相合成法,加入La、Sb两种物质来提高其压电性能,制备出具有较好综合性能的大应变压电陶瓷材料。当X=0.045时,性能最好,此时最佳烧结温度为1280℃时,其d33=569PC/N、tgδ=1.91%、εr=2486、Tc=238℃。本发明主要应用于压电陶瓷微位移驱动器,在信息、军工、移动通信、电子电器、航空、石油勘探等行业得到广泛应用。
  • 掺杂锆钛酸铅压电陶瓷
  • [发明专利]铌钛酸锌微波介质陶瓷及其制备方法-CN201310147903.8无效
  • 马卫兵;唐翠翠;孙清池;陈天凯;徇正利 - 天津大学
  • 2013-04-25 - 2013-07-24 - C04B35/495
  • 本发明公开了一种铌钛酸锌微波介质陶瓷及其制备方法,其原料组分及摩尔百分比含量为(Zn0.95Mg0.05)TiNb2O8-0.8TiO2-2wt.%BaCu(B2O5),简称BCB。其制备方法为:以(Zn0.95Mg0.05)TiNb2O8-0.8TiO2体系微波介质陶瓷为基础,采用传统的氧化物混合方式,加入BCB作为烧结助剂,在975℃烧结,制备出的(Zn0.95Mg0.05)TiNb2O8-0.8TiO2微波介质陶瓷材料,其εr=43.7,Q×f=17906GHz,τf=-2.3ppm/°C,因此具有烧结温度相对较低、综合性能好的特点。本发明可应用于与贱金属电极低温共烧的MLCC陶瓷器件,成本低,污染少;并广泛应用于信息、军工、移动通信、电子电器、航空、石油勘探等行业。
  • 铌钛酸锌微波介质陶瓷及其制备方法
  • [发明专利]氧化钴掺杂铌钛酸锌微波介质陶瓷-CN201310017493.5无效
  • 马卫兵;陈天凯;孙清池;郇正利;唐翠翠 - 天津大学
  • 2013-01-17 - 2013-04-24 - C04B35/495
  • 本发明公开了一种Co2O3掺杂铌钛酸锌微波介质陶瓷及其制备方法,其化学计量式为(Zn1-xCox)TiNb2O8-1wt.%BaCu(B2O5),BaCu(B2O5)简称BCB,式中x=0.32~0.38。本发明以ZnTiNb2O8-1wt.%BCB体系微波介质陶瓷为基础,采用传统的氧化物混合方法,加入Co2O3来降低烧结温度,制备出具有较好综合性能的(Zn1-xCox)TiNb2O8-1wt.%BCB微波介质陶瓷材料,提供了一种烧结温度相对较低、综合性能好的微波陶瓷,最佳烧结温度为975℃,其εr=33.04、Q×f=22,000GHz、τf=-2.7ppm/℃。本发明主要应用于与贱金属电极低温共烧的MLCC陶瓷器件,在信息、军工、移动通信、电子电器、航空、石油勘探等行业得到广泛应用。
  • 氧化钴掺杂铌钛酸锌微波介质陶瓷
  • [发明专利]BaCu(B2O5)掺杂铌钛酸锌微波介质陶瓷-CN201310017494.X无效
  • 马卫兵;陈天凯;孙清池;郇正利;唐翠翠 - 天津大学
  • 2013-01-17 - 2013-04-24 - C04B35/495
  • 本发明公开了一种BaCu(B2O5)简称BCB掺杂铌钛酸锌微波介质陶瓷及其制备方法,其化学计量式为ZnTiNb2O8-0.8TiO2-xwt.%BCB,式中x=2~3。其制备方法为:以ZnTiNb2O8-0.8TiO2体系微波介质陶瓷为基础,采用传统的氧化物混合方式,加入BCB作为烧结助剂,最佳烧结温度为975℃,制备出的ZnTiNb2O8-0.8TiO2微波介质陶瓷材料,其εr=39.01,Q×f=22,678 GHz,τf=+2.1ppm/°C,具有烧结温度相对较低、综合性能好的特点。本发明可应用于与贱金属电极低温共烧的MLCC陶瓷器件,在信息、军工、移动通信、电子电器、航空、石油勘探等行业得到广泛应用。
  • bacusub掺杂铌钛酸锌微波介质陶瓷

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