专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]双USB接口防干扰通信电路-CN202021806680.3有效
  • 孙成思;孙日欣;李振华;谢志响 - 深圳佰维存储科技股份有限公司
  • 2020-08-26 - 2021-03-23 - G06F13/40
  • 本实用新型公开了一种双USB接口防干扰通信电路,包括第一USB接口、第二USB接口、多路开关、二极管、第一电阻和第二电阻,二极管的阳极端和第一电阻的第一端连接,第一电阻的第二端与第二电阻的第一端连接,第二电阻的第二端接地;二极管的阳极端与第一USB接口的供电端连接,二极管的阴极端与第二USB接口的供电端连接,第一电阻的第二端与多路开关的通道选择端连接,多路开关的两个数据端分别与第一USB接口的数据端、第二USB接口的数据端连接;第一电阻和第二电阻的阻值比小于(10U‑9)/9,U为第一USB接口的供电电压。本实用新型能使得两个USB接口在各自单独通信时互不干扰,保证通信质量。
  • usb接口干扰通信电路
  • [发明专利]LPDDR芯片测试装置-CN202011464576.5在审
  • 孙成思;孙日欣;刘冲 - 深圳佰维存储科技股份有限公司
  • 2020-12-11 - 2021-03-16 - G11C29/56
  • 本发明公开一种LPDDR芯片测试装置,该LPDDR芯片测试装置包括测试台、设于所述测试台内的测试主板和设于所述测试台上的测试座,所述测试主板位于所述测试座的内腔中,所述测试台上还设有用于将测试数据输出至显示器的显示器接口、用于给所述测试主板供电的电源接口和若干测试按钮,所述显示器接口、所述电源接口和若干所述测试按钮分别与所述测试主板电性连接。本发明实施例所提出的LPDDR芯片测试装置可对不同型号的LPDDR进行测试,譬如LPDDR4和LPDDR4X,具体通过测试按钮切换测试电压即可,同时还可兼容EMCP、UMCP中LPDDR的测试。
  • lpddr芯片测试装置
  • [发明专利]串口共享方法、装置、可读存储介质及电子设备-CN202011144547.0在审
  • 孙成思;孙日欣;李家敏 - 成都佰维存储科技有限公司
  • 2020-10-23 - 2021-02-19 - G06F9/50
  • 本发明公开了串口共享方法、装置、可读存储介质及电子设备,当串口请求方要请求串口时,直接读取预设的串口锁文件,并根据串口锁文件判断请求的串口的状态,若串口处于锁定状态,重复读取串口锁文件直至请求的串口处于释放状态,若串口处于释放状态,直接获取请求的串口,从而避免多个进程访问同一个串口造成的冲突问题;待获取请求的串口成功后,对请求的串口进行收发操作,能够适用于串口频繁操作的情况;现有技术中需要设置服务器在后台对串口统一管理,但是对于周期短的项目,开发成本高,因此相较于现有的串口共享方法,本发明不需要依赖服务器即可快速地进行串口共享,硬件使用效率高,适用于请求数量压力要求不是特别高的开发测试环境。
  • 串口共享方法装置可读存储介质电子设备
  • [发明专利]LPDDR测试方法、装置、可读存储介质及电子设备-CN202011240625.7在审
  • 孙成思;孙日欣;刘冲;雷泰 - 深圳佰维存储科技股份有限公司
  • 2020-11-09 - 2021-02-09 - G11C29/36
  • 本发明公开一种LPDDR测试方法、装置、可读存储介质及电子设备,以预设突发长度为单位先对待测试的LPDDR进行第一次数据读写,再以预设突发长度为单位对待测试的LPDDR进行第二次数据读写,其中数据写入时通过掩码依次选通预设突发长度中的预设位,从而实现在预设突发长度内的每一位写入第一预设数据,其余位写入第二预设数据,实现预设读写单元的按位插空访问,并且进行的是两次不同的按位插空访问,两次的背景以及插空写入的数据不同,能够构造出适合发生耦合故障的读写环境,相较于现有的顺序读写测试方式,不仅能够检测出单cell和多cell故障,也易于检测出耦合故障,提高了测试LPDDR时的故障覆盖率。
  • lpddr测试方法装置可读存储介质电子设备
  • [发明专利]提高存储器寿命的方法-CN201710940632.X有效
  • 孙成思;孙日欣;李振华;刘国华 - 深圳佰维存储科技股份有限公司
  • 2017-10-11 - 2021-02-09 - G06F3/06
  • 本发明提高一种提高存储器寿命的方法,包括:获取存储器样品的ECC最大值对应的擦除次数;获取存储器样品的ECC跳变点对应的擦除次数;读取存储器中各个块的擦除次数;依次判断各个块的擦除次数是否大于或等于所述ECC最大值对应的擦除次数;若是,则使用备份块替换所述块;若否,则判断所述块的擦除次数是否大于或等于所述ECC跳变点对应的擦除次数;若是,则转移所述块中的数据。根据闪存颗粒在不同擦除次数下的分布值和跳变规律,对相应存储器固件进行调整,极大提高了存储器的数据可靠性和使用寿命。
  • 提高存储器寿命方法
  • [发明专利]芯片封装结构及存储器-CN202011354220.6在审
  • 孙成思;孙日欣;刘小刚 - 深圳佰维存储科技股份有限公司
  • 2020-11-26 - 2021-02-05 - H01L25/065
  • 本发明公开一种芯片封装结构,该芯片封装结构包括PCB基板和位于所述PCB基板上且从下至上依次设置的DRAM芯片晶圆、FOW层及FLASH芯片晶圆,其中,所述DRAM芯片晶圆为依次堆叠的若干个,相邻所述DRAM芯片晶圆之间设有第一垫层,所述FOW层与所述DRAM芯片晶圆错位设置以构成位于所述FOW层与PCB基板之间的悬空区域,所述悬空区域内设置有位于所述PCB基板上、用于支撑所述FOW层的垫片。本发明的芯片封装结构封装操作条件稳定可靠,并且有助于降低成本,提升存储产品质量以及数据传输的稳定性。此外,本发明还公开一种存储器。
  • 芯片封装结构存储器
  • [发明专利]DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备-CN202011136998.X在审
  • 孙成思;孙日欣;刘冲;雷泰 - 深圳佰维存储科技股份有限公司
  • 2020-10-22 - 2021-01-12 - G11C29/56
  • 本发明公开一种DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备,对待测试的DRAM先以预设突发长度为单位进行基于第一预设读写单元的突发读写访问操作,再进行基于第二预设读写单元的突发读写访问操作,第一预设读写单元与第二预设读写单元不同,由于预设读写单元的读写访问是从预设读写单元的两端同时向中间进行读写,并且通过掩码依次选通所述预设突发长度的预设写入位并屏蔽其余位直至所述预设突发长度对应的每一位均写入数据,因此,更贴近用户使用的环境,且相较于现有的突发访问测试,通过使用掩码从而实现在一个突发长度内实现按位访问,更能够激发cell与cell之间的故障,提高了测试DRAM时的故障覆盖率。
  • dram测试方法装置可读存储介质电子设备
  • [发明专利]振动测试治具-CN202011202671.8在审
  • 孙成思;孙日欣;温游强;张劲松 - 深圳佰维存储科技股份有限公司
  • 2020-11-02 - 2021-01-08 - G11C29/56
  • 本发明公开了一种振动测试治具,包括测试底板和两个相对设置于测试底板上的测试夹具,测试夹具在与另一测试夹具相对的一侧底部设置有远离另一测试夹具的方向凹陷的夹持滑槽,至少一个测试夹具在与另一测试夹具相对的一侧顶部设置有向着靠近另一测试夹具的方向延伸的上夹板;本发明通过两个测试夹具的夹持滑槽用于夹持存储器件载板的两端,由于待测存储器件是插接在存储器件载板上,则此时在待测存储器件远离存储器件载板的一端设置有上夹板来抵触待测存储器件,从而在振动测试中更好地对待测存储器件进行夹持固定,避免待测存储器件在振动测试中发生的脱落现象,提高测试效率。
  • 振动测试
  • [发明专利]数据块信息继承方法、装置、存储介质及电子设备-CN202011215814.9在审
  • 孙成思;孙日欣;叶欣;张翔 - 深圳佰维存储科技股份有限公司
  • 2020-11-04 - 2021-01-05 - G06F3/06
  • 本发明公开了一种数据块信息继承方法、装置、存储介质及电子设备,该数据块信息继承方法包括:启动并运行重开卡代码;在对标记为好块的存储数据块进行数据清零之前,预先读取数据块历史擦除次数信息,并将数据块历史擦除次数信息存储在结果数据块中;在对数据块擦除次数进行初始化时,将存储在结果数据块中的数据块历史擦除次数信息赋值给重开卡代码中对应的数据块当前擦除次数信息,完成数据块擦除次数信息在重开卡前后的继承。本发明使得重开卡流程后的数据块当前擦除次数信息保留了重开卡之前的数据块擦除次数,使得数据块擦除次数能更好的反应每一个数据块的真实使用情况,从而更好的实现数据块的损耗均衡,提高产品生命周期。
  • 数据信息继承方法装置存储介质电子设备

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