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[发明专利]一种氮化镓基红光外延片结构及制备方法-CN201711052308.0有效
发明人： 姜红苓;钟玉煌;田淑芬 -专利权人：江苏新广联半导体有限公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓基红光外延片结构及制备方法，包括蓝宝石衬底、缓冲层、N型层、有源区发光层和P型层，在蓝宝石衬底上依次覆盖有缓冲层、N型层、有源区发光层和P型层，其特征在于：所述有源区发光层包含若干对MQW阱层和垒层，且MQW阱层和垒层分别为In_yGa_1‑yN量子阱阱层和GaN垒层，其中，y的范围为0.1~0.3；本发明是以GaN基结构来生长红光外延片，其结构简单、原材料安全、工艺容易实现，安全可靠，有利于降低对人体的伤害和环境的污染。
一种氮化红光外延结构制备方法

[实用新型]通用型老化板-CN201720904122.2有效
发明人：周锋;贾美琳;姜红苓;郑宝玉 -专利权人：江苏新广联半导体有限公司
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供通用型老化板，包括双层板的PCB基板，上层设有二十个呈圆形的上层焊盘和十二个上层金手指，下层设有四个下层焊盘和十二个下层金手指，每个上层正焊盘和下层正焊盘均设在内侧，均通过中心导电盘分别与其中两个上层金手指、其中两个下层金手指电连接，上层负焊盘设在外侧，其中十个上层负焊盘引出端与其余十个上层金手指电连接，其余十个上层负焊盘引出端通过引出孔与其余十个下层金手指电连接，每个第一、第二下层负焊盘的引出端与八个下层金手指电连接；本实用新型的老化板通过更改基板的电路布局，使在不改变电源和接线方式的前提下，同时适用4路、10路和20路的芯片，节省物料成本，且操作快捷方便。
通用型老化

[实用新型]可提高发光效率的外延PGaN层生长结构-CN201420021683.4有效
发明人：郭文平;钟玉煌;姜红苓 -专利权人：江苏新广联科技股份有限公司
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型的外延P型GaN层生长结构，尤其是一种可提高发光效率的外延PGaN层生长结构，属于半导体外延结构的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述可提高发光效率的外延PGaN层生长结构，包括衬底及生长于所述衬底上的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括生长于衬底上的缓冲层，所述缓冲层上生长有N型化合物半导体材料层，所述N型化合物半导体材料层上生长有有源层；所述有源层上生长有电子溢出阻挡层；所述电子溢出阻挡层上生长P型化合物半导体材料层，所述P型化合物半导体材料层内生长有P型InGaN-GaN超晶格层。本实用新型结构紧凑，能显著提高发光效率，工艺方便，安全可靠。
提高发光效率外延 pgan 生长结构

[实用新型]改善内圈波长均匀性及拉近各圈波长均值的石墨盘-CN201420009329.X有效
发明人：钟玉煌;姜红苓;田淑芬 -专利权人：江苏新广联科技股份有限公司
申请日： 2014-01-07 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种石墨盘，尤其是一种改善内圈波长均匀性及拉近各圈波长均值的石墨盘，属于MOCVD用石墨盘的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述改善内圈波长均匀性及拉近各圈波长均值的石墨盘，包括盘体及设置于所述盘体内若干均匀分布的凹盘位；所述凹盘位包括内圈盘位及位于所述内圈盘位外圈的外圈盘位；所述内圈盘位及外圈盘位均包括第一台阶、位于第一台阶下方的第二台阶及位于第二台阶下方的弧形底；所述内圈盘位第二台阶的高度为40~100μm，所述外圈盘位的第二台阶的高度比内圈盘位第二台阶的高度低5~25μm。本实用新型结构紧凑，能缩小各圈波长宽度并改善内圈均匀性，适应范围广，安全可靠。
改善内圈波长均匀拉近均值石墨

[发明专利]可提高发光效率的外延PGaN层生长结构-CN201410016758.4在审
发明人：郭文平;钟玉煌;姜红苓 -专利权人：江苏新广联科技股份有限公司
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型的外延P型GaN层生长结构，尤其是一种可提高发光效率的外延PGaN层生长结构，属于半导体外延结构的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述可提高发光效率的外延PGaN层生长结构，包括衬底及生长于所述衬底上的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括生长于衬底上的缓冲层，所述缓冲层上生长有N型化合物半导体材料层，所述N型化合物半导体材料层上生长有有源层；所述有源层上生长有电子溢出阻挡层；所述电子溢出阻挡层上生长P型化合物半导体材料层，所述P型化合物半导体材料层内生长有P型InGaN-GaN超晶格层。本发明结构紧凑，能显著提高发光效率，工艺方便，安全可靠。
提高发光效率外延 pgan 生长结构

[实用新型]提高正向光输出量的图形衬底-CN201220651678.2有效
发明人：钟玉煌;郭明灿;姜红苓 -专利权人：江苏新广联科技股份有限公司
申请日： 2012-12-01 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种图形衬底，尤其是一种提高正向光输出量的图形衬底，属于半导体衬底的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述提高正向光输出量的图形衬底，包括衬底本体及位于所述衬底本体上的图形；所述图形呈圆锥结构，所述圆锥结构图形在衬底本体上周期性分布。本实用新型：在衬底本体上设置圆锥形图形，能够增大正向光的输出量，从而改善得到LED器件的光电性能，提高LED芯片的发光效率及发光亮度。
提高正向输出量图形衬底