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[发明专利]基于WSe2-CN202011263509.7有效
发明人：周泽;姜昱丞;周鹏飞;殷凌煜;沈嘉昕;霍炜霄;董悦 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于WSe2/KTaO3范德华异质结的光电探测器及其制备方法，属于光电材料技术领域。将少层WSe2转移到单晶KTO表面，再制备金属电极、二硒化钨和钽酸钾表面电子气及其构成的范德华异质结。本发明提供的基于WSe2/KTaO3范德华异质结构可实现对光照条件开/关的瞬时光电响应，开/关电流之比高达104；同时，在不加偏压时也能产生短路电流，可作为自供能光电探测器使用。这种光电器件结构简单、制备简单、性能优良。本发明技术方案为2D材料/2DEG系统的范德华异质结在高性能光电器件和光电探测器中的应用提供了可能。
基于 wse base sub

[发明专利]一种氟化诱发零带隙二维材料荧光的方法-CN202211477161.0在审
发明人： 姜昱丞;薛越;高炬 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C09K11/65 文献下载
摘要：本发明涉及一种氟化诱发零带隙二维材料荧光的方法，属于二维材料技术领域。本发明所述的制备方法包括以下步骤，将零带隙二维材料转移至衬底表面，得到样品；将样品和含氟聚合物加入加热容器中，经氟化，得到具有荧光的二维材料。所述的制备方法使得原来无法发光的零带隙二维材料在不改变其导电性能的同时表现出了良好的荧光特性，通过氟化过程将材料的能带打开，使材料的导带的最低点与价带的最高点远离其费米能级，在一定光源的激发下，电子从价带跃迁到导带，材料从基态转变为激发态。之后，导带中的电子通过与价带中的空穴复合，将多余的能量以光的形式放出，并使材料返回基态，发出的光的强度随波长变化，从而显示出荧光特性。
一种氟化诱发零带隙二维材料荧光方法

[发明专利]一种用于污水环境检测装置-CN202211629397.1有效
发明人：侯锦英;丁福盛;左跃;张锋;赵倩;周政;于海波;杜志远;董金萧;王振;孙志洪;郭伟伟;范睿;袁伟;孙贝贝;蒋潇航;张琳娜;郭然;刘有为;姜昱丞;王卓然 -专利权人：河北省沧州生态环境监测中心
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01N33/18 文献下载
摘要：本发明涉及分析检测技术领域，更具体的公开了一种用于污水环境检测装置，包括检测装置箱体，所述检测装置箱体包括装置箱体主体，所述装置箱体主体的顶部开设有箱体放置腔，所述箱体放置腔底部的一侧固定连接有试管放置板，所述试管放置板的顶部开设有多个试管放置槽，所述箱体放置腔一侧位于试管放置板顶部四周开设有盖板固定槽，所述箱体放置腔底部位于试管放置板的背面开设有绳索放置槽；本发明通过设置有可拆卸取样管，在进行清理时，由于取样固定端盖与取样管主体之间为可拆卸结构，在实验结束后可随时对两者进行清理消毒工作，同时也可对检测取样外壳与检测连接装置等其他物品拆卸进行相应的清理消毒。
一种用于污水环境检测装置

[发明专利]一种城市碳中和数据处理系统及方法-CN202211237262.0在审
发明人：孙志洪;侯锦英;杜志远;董金萧;王振;左跃;路瑞娟;郭伟伟;范睿;袁伟;赵倩;张锋;丁福盛;马立琨;周政;王卓然;郭然;刘有为;姜昱丞;李浩;张淑华 -专利权人：河北省沧州生态环境监测中心
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明涉及电数字数据处理技术领域，具体公开了一种城市碳中和数据处理系统及方法。在规划监测前，根据产业排布数据和绿化排布数据进行区域划分；按照碳中和规划信息进行目标分析，生成碳中和目标数据；规划监测后，对多个城市碳中和区域进行碳中和监测；将多个碳中和监测数据与碳中和目标数据进行比较与标记。能够按照城市的产业排布数据和绿化排布数据进行区域划分，得到多个城市碳中和区域，且获取碳中和目标数据，对规划监测后的多个城市碳中和区域进行碳中和监测，进而进行数据比较，按照比较结果，将多个城市碳中和区域分别标记，有效避免整个城市达到阶段性的碳中和目标时，而出现的各个区域生态环境相差甚远的情况。
一种城市中和数据处理系统方法

[发明专利]一种基于氧化物二维电子气的阻态可调的低维二端器件-CN202210706428.2在审
发明人：仇杰;刘国珍;李举;高炬;姜昱丞 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氧化物二维电子气的阻态可调的低维二端器件的制备方法，包括以下步骤：S1、采用机械剥离法将少层MoTe2从块材MoTe2上转移到KTaO3单晶基片表面，将样品在50℃下加热2～3h，使MoTe2更加牢固地附着在KTaO3表面；S2、接着使用正性光刻胶将MoTe2及KTaO3衬底覆盖，采用光刻工艺将一侧1/3面积的MoTe2及同侧KTaO3衬底曝光；S3、下一步在2×10^(‑4)～6×10^(‑4)mbar气压下，进行磁控溅射，时间为5～7min，在样品表面沉积约30nm厚的金电极；S4、接着对另一侧1/3面积的MoTe2及同侧KTaO3衬底进行光刻处理，本发明介绍了由MoTe2和KTaO3表面2DEG所构成低维二端器，该器件在无需栅极偏压的情况下，实现可调电阻态，并且该电阻态具有循环记忆和可擦除特点，显示在逻辑计数器和存储器方面具有应用价值。
一种基于氧化物二维电子可调低维二端器件

[发明专利]一种基于二维碲烯纳米线的场效应忆阻器及其制作方法-CN202111023547.X有效
发明人： 姜昱丞;龚帅楠;高炬 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于二维碲烯纳米线的场效应忆阻器及其制作方法,属于微电子技术领域。本发明所述忆阻器包括衬底，所述衬底上设有忆阻层，所述忆阻层为二维碲烯纳米线；所述二维碲烯纳米线的中部被一绝缘层覆盖，其两端部保持裸露；所述二维碲烯纳米线裸露的两端部和所述绝缘层的表面分别设有金属电极。本发明所述的场效应忆阻器的电阻由场电压进行调控，电阻变化3个数量级。场电压的短暂作用会对器件的电阻产生非易失性的影响，导致电阻变化达到1个数量级。忆阻器不仅可以利用其场效应实现逻辑运算，还可利用其电阻记忆的功能。本发明所述的忆阻器结构简单、制备简单、响应速度快、性能优越，是一种存算一体器件，有广阔的应用前景。
一种基于二维纳米场效应忆阻器及其制作方法

[发明专利]基于二维碲烯/二维电子气异质结的二极管及其制备方法-CN202111006739.X在审
发明人： 姜昱丞;龚帅楠;高炬 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于二维碲烯/二维电子气异质结的二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明将二维碲烯转移至钛酸锶衬底表面，再通过氩离子束轰击在钛酸锶衬底表面诱导出二维电子气，与二维碲烯接触形成范德华异质结。本发明所述的二维碲烯纳米线/二维电子气异质结、二维碲烯纳米片/二维电子气异质结的正向电流比反向电流分别高出103和107倍，两者均具有良好的二极管整流特性。本发明所述的二极管具有很高的稳定性，即便负向电压高达‑100V，也无法将其击穿。这种异质结二极管结构简单、制备简单、性能优良，可广泛运用于电子芯片、智能器件等领域。
基于二维电子气异质结二极管及其制备方法

[发明专利]一种黑磷-二维电子气异质结忆阻器及其制备方法-CN202111006746.X在审
发明人： 姜昱丞;马兴龙;高炬 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种黑磷‑二维电子气异质结忆阻器及其制备方法，该忆阻器从下至上依次为钛酸锶衬底、二维异质结、金属电极、保护层及导线，其制备方法主要包括以下步骤：机械剥离减薄黑磷、光刻、磁控溅射金电极、光刻、离子束轰击制备二维电子气、涂覆保护层、焊接导线，得到由黑磷作为P端、二维电子气作为N端的异质结忆阻器。由黑磷与钛酸锶衬底表面的二维电子气构成的二维异质结在其界面处具有铁电性，使其内电势可被外界施加的激发电压所调控，由该异质结构筑的忆阻器可通过控制外加电压调节电阻，且其电阻表现出非易失性的变化，在106秒内保持稳定，结构简单、性能优越使该忆阻器在模拟神经网络和存储器方面具有极大的应用潜能。
一种黑磷二维电子气异质结忆阻器及其制备方法

[实用新型]一种环境监测用支架-CN202120344301.1有效
发明人：郝晗;李娟;孙贺;王楠;宋小刚;孙志洪;毛娜;姜昱丞;孙智强 -专利权人：郝晗
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： F16M11/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种环境监测用支架，包括底座，所述底座的顶部固定连接有电源箱，所述电源箱的顶部固定连接有支杆，所述支杆的前侧固定连接有主机，所述支杆的顶部固定连接有第一支撑板，所述第一支撑板顶部的两侧均固定连接有湿度传感器，所述支杆的顶部固定连接有第二支撑板，所述第二支撑板顶部的两侧均固定连接有风速传感器。本实用新型通过设置底座、电源箱、支杆、主机、第一支撑板、湿度传感器、第二支撑板、风速传感器、限位机构、旋转机构、滑块、滑槽、挡板、扭簧和转动块的配合使用，达到了便于主机的安装拆卸，在需要进行多方位的环境监测时，更加便捷的进行安装和拆卸，便于携带，进行转移监测地点的效果。
一种环境监测支架

[发明专利]一种自激发可存储式光电导器件及其制备方法-CN201911061486.9有效
发明人： 姜昱丞;贺安鹏 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种自激发可存储式光电导器件及其制备方法。本发明以单晶STO衬底为绝缘氧化物，经离子束轰击后，其表层将形成纳米导电薄层——表面电子气SSEG，为N型半导体；WSe2为P型二维半导体材料，层与层之间靠范德瓦尔斯力结合在一起，形成二硒化钨和钛酸锶表面电子气及其PN结,具有结构简单、光电效率高、可存储的特点，可实现光生电子空穴对的存储，获得无限寿命的光生载流子；其工作过程自激励、外量子效率高且结构简单，可用于纳米能源器件领域。
一种激发存储电导器件及其制备方法

[实用新型]一种可快速组装的环境监测用环境监测装置-CN202022373480.X有效
发明人：孙贺;王楠;孙志洪;姜昱丞;郑思齐;胡学联;牛娟娟;王磊;张淑华;孙智强 -专利权人：孙贺
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： G01D11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可快速组装的环境监测用环境监测装置，包括本体，本体的前侧设置有显示屏，显示屏后侧的两侧均固定连接有限位块，限位块靠近本体的一侧固定连接有卡块，本体的表面开设有卡槽，卡块靠近卡槽内壁的一侧与卡槽的内壁接触。通过设置本体、显示屏、限位块、卡块、卡槽、定位块、定位孔、活动槽、固定机构、固定杆、支撑块、拉簧、调节槽、活动机构、拉杆、活动环、活动杆、活动孔、固定孔、固定槽和固定套的配合使用，解决了现有的环境监测装置的显示屏大多数都是采用螺丝组装的，使用者在组装的过程中会浪费使用者大量的时间和精力，给使用者带来不必要的麻烦，不方便使用者使用的问题。
一种快速组装环境监测装置

[实用新型]一种环境监测装置用安装结构-CN202022245762.1有效
发明人：王楠;郑思齐;孙贺;蒋潇航;孙志洪;姜昱丞;刘天伟;郭然;张淑华;孙智强 -专利权人：王楠
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G01D11/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种环境监测装置用安装结构，包括支撑柱，支撑柱前侧的顶部设置有支撑杆，支撑杆顶部的两侧均固定连接有监测装置本体，支撑杆的后侧设置有定位块，定位块的后侧开设有与支撑柱配合使用的定位槽，定位块的两侧均开设有活动槽，活动槽内腔的后侧设置有固定机构，支撑柱靠近活动槽的一侧开设有与固定机构配合使用的固定槽。通过设置支撑柱、支撑杆、监测装置本体、定位块、定位槽、活动槽、固定机构、固定槽、调节机构、第二通孔和第三通孔的配合使用，解决了现有环境监测装置不便于对支撑杆进行固定，在安装时，需要借助工具进行安装，不便于使用者对环境监测设备进行快速安装的问题。
一种环境监测装置安装结构

[发明专利]一种基于钽酸钾表面电子气的自激励电阻计时器及其制备方法-CN202011157568.6在审
发明人： 姜昱丞;黄根生;周鹏飞;殷凌煜 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于钽酸钾表面电子气的自激励电阻计时器及其制备方法。以钽酸钾单晶材料为衬底，采用Ar+氩离子束轰击工艺，在钽酸钾表面产生氧空位，形成二维电子气层；通过改变Ar+轰击电压，调制二维电子气的载流子密度，得到对应的电阻随时间增长速率不同的自激励电阻计时器。经电学测量结果表明，该器件的电阻随时间线性增加，利用这种线性关系即可实现对时间的记录。在稳恒条件下，其具有固定的电阻增长速率，且可长时间保持。本发明提供的自激励电阻计时器性能稳定、结构简单，时间记录过程中无需电驱动，可广泛应用于电子芯片、智能器件等领域。
一种基于钽酸钾表面电子激励电阻计时器及其制备方法

[发明专利]一种钛酸锶表面电子气PN结的制备方法-CN201911061487.3在审
发明人： 姜昱丞;贺安鹏 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸锶表面电子气PN结的制备方法，属于材料技术领域。本发明在钛酸锶基片表面沉积或粘贴P型材料，利用光刻技术将P型材料表面的部分面积用光刻胶覆盖，用离子束将未被光刻胶覆盖的P型材料全部刻蚀掉后，再经刻蚀钛酸锶衬底使其表面形成钛酸锶表面电子气，最后用丙酮、酒精、去离子水去除光刻胶后，即可获得钛酸锶表面电子气与P型材料的PN结。本发明提供了一种简易、普适性的方法用于构建钛酸锶表面电子气与P型材料的PN结。
一种钛酸锶表面电子 pn 制备方法

[发明专利]一种柔性电子功能材料及其制备方法-CN201711118044.4在审
发明人： 姜昱丞;王彬;赵润;刘国珍;高炬 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性电子功能材料及其制备方法。以硅片为衬底，在衬底上生长氧化层为牺牲层；采用化学或物理的方法，在牺牲层上生长功能性薄膜材料；将柔性衬底粘贴于功能性薄膜表面，再采用酸腐蚀方法将牺牲层腐蚀后，得到一种柔性电子功能材料。本发明针对现有的柔性电子功能材料制备工艺无法在高温条件下实现，以及某些功能材料不能制备成柔性器件的不足，采用先制备牺牲层，并在高温等苛刻条件下生长所需要的功能层，再利用腐蚀剥离的方法，得到一种既有良好的柔韧特性，又能具备所需功能的柔性电子材料，具有原材料价格低廉，制备工艺简单、环保的特点。
一种柔性电子功能材料及其制备方法

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