专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]应变减少的氮化铟镓发光二极管-CN202180006831.8在审
  • 奥雷利安·让·弗朗索瓦·大卫 - 谷歌有限责任公司
  • 2021-03-26 - 2022-07-15 - H01L21/02
  • 一种形成LED发射器的方法包括:在衬底(310)上提供III族氮化物层,所述III族氮化物层具有平面顶表面;在所述顶表面上提供离散的横向生长区域;在每个离散的横向生长区域上选择性地外延生长包括In(x)Ga(1‑x)N材料的基极区域(1210),每个基极区域垂直于所述顶表面延伸;在所述基极区域(1210)的部分上提供所述In(x)Ga(1‑x)N材料的表面,所述表面具有弛豫应变,并且其特点在于基极晶格常数在其体弛豫值的0.1%内;以及在所述表面上外延生长LED区域,所述LED区域包括与所述In(x)Ga(1‑x)N材料的所述表面假晶的In(y)Ga(1‑y)N材料发光层,并且其特点在于有源区域(1240)晶格常数在所述基极晶格常数的0.1%内,其中0.05x0.2并且y0.3。
  • 应变减少氮化发光二极管

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