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[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN202111623269.1在审
发明人： 天野富大 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。缩短停机时间，以提高装置的运转率。包括：处理气体供给工序，在将衬底支承于衬底支承部的状态下，将衬底加热至第一温度，并且向内置有衬底支承部的处理容器内供给处理气体；降温工序，在处理气体供给工序之后，向处理容器中具备的制冷剂流路以规定时间供给非活性气体或者空气，由此，使处理容器中具备的、若在第一温度的状态下供给清洁气体则将产生不良情况的低温部降温至比第一温度低的第二温度；和，清洁工序，在降温工程之后，向处理容器内供给清洁气体，对低温部进行清洁。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法及计算机可读的记录介质-CN202111079267.0在审
发明人：大桥直史;天野富大;高野智 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置、半导体器件的制造方法及计算机可读的记录介质，为一种抑制基板处理工序中处理室内的气体向移载室内流入、移载室内的气体向处理室内流入的技术。具有：基板载置部，其具有载置基板的基板载置面；处理容器，其形成收纳基板载置部、且对载置于基板载置面的基板进行处理的处理室；气体供给部，其向处理室供给处理气体；第1壁部，其配置在基板载置部的外周侧；第2壁部，其与第1壁部相比配置在基板载置部的更外周侧的位置；排气流路，其形成在第1壁部与第2壁部之间，用于排出处理室内的气体；和屏蔽板，其构成为配置在基板载置部的下方，且至少延伸至第2壁部的下端的下方侧。
处理装置半导体器件制造方法计算机可读记录介质

[发明专利]半导体器件的制造方法、半导体器件的制造装置及记录介质-CN201280062552.4有效
发明人：芦原洋司;天野富大;桧山真;佐久间春信;和田优一;立野秀人 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2012-11-01 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：具有以下工序：将形成有含硅膜的衬底收容于处理室内的工序；从气体供给部向处理室内供给气体而使处理室内成为大气压以上的压力的工序；和从处理液供给部向衬底供给处理液而将含硅膜氧化的氧化工序。
半导体器件制造方法装置记录介质