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- [发明专利]一种碳包覆氧化钴及其简单可控制备方法-CN201510184077.3有效
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夏国栋;刘宏;王素梅
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齐鲁工业大学
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2015-04-20
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2017-05-03
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C01G51/04
- 本发明属于新材料、新能源及半导体领域，特别涉及一种碳包覆氧化钴及其简单可控制备方法。包括如下步骤称取可溶性的钴盐、有机燃料及燃烧助剂，配制成水溶液，搅拌溶解至透明溶液；将溶液加热到50‑100℃，水分不断蒸干至粘稠状的凝胶状态；将凝胶加热到140‑290℃，凝胶发生自蔓延燃烧，得到黑色的疏松粉末，将所得粉末加入到溶剂中清洗干燥，即得高纯目标材料。本发明工艺简单容易操作，原料廉价易得，所制备的氧化钴结晶质量高，而且黑色的碳增强了其导电能力，将在高效光催化、太阳能电池、锂离子电池、超级电容器等等领域中得到应用。本发明的工艺成本低，避免了通常的多步复杂工艺、工艺周期长或昂贵设备等，适合工业化大规模生产。
- 一种碳包覆氧化钴及其简单可控制备方法
- [发明专利]一种碳包覆铁掺杂氧化锌及其快速合成方法-CN201510184049.1有效
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夏国栋;陈力;王素梅
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齐鲁工业大学
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2015-04-20
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2017-04-19
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C01G9/02
- 本发明属于新材料、新能源及半导体领域，特别涉及一种碳包覆铁掺杂氧化锌（ZnOFe）及其快速合成方法。包括如下步骤称取可溶性的锌盐、铁盐、有机燃料及燃烧助剂，配制成水溶液，搅拌溶解至透明溶液；将溶液加热到50‑100 ℃，水分不断蒸干至粘稠状的凝胶状态；将凝胶加热到180‑290 ℃，凝胶发生自蔓延燃烧，得到黑色的疏松粉末；将所得粉末加入到溶剂中清洗干燥，即得高纯目标材料。本发明所得ZnOFe结晶质量高，具有很强的吸光能力，有望在高效光催化、光探测、太阳能电池、稀磁半导体器件等领域应用；而且黑色的碳增强了导电能力，将在锂离子电池、超级电容器等器件中得到应用。本发明的工艺成本低，避免了通常的多步复杂工艺、工艺周期长或昂贵设备等，适合工业化大规模生产。
- 一种碳包覆铁掺杂氧化锌及其快速合成方法
- [发明专利]一种高介电氧化锆薄膜的低温溶液制备方法-CN201610821755.7在审
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夏国栋;姚书山;王素梅
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齐鲁工业大学
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2016-09-14
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2017-02-22
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C04B35/48
- 本发明属于新材料及微电子领域，特别涉及一种高介电氧化锆薄膜的低温溶液制备方法。包括如下步骤：称取可溶性的锆盐，量取溶剂，配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的氧化锆前驱体溶液，经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的氧化锆前驱体溶液；制备氧化锆薄膜：将氧化锆前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成氧化锆前驱体薄膜，进行50‑150 ℃的预热处理，然后经过一定功率、时间和温度的光波退火，根据氧化锆薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体氧化锆溶液并退火处理，即得到氧化锆介电薄膜。本发明所得氧化锆薄膜介电性能高，在晶体管、电容器等微电子领域有重要应用前景。通过本发明的工艺可以避免通常的高温溶液工艺、工艺周期长或昂贵设备等，成本低，适合工业化大规模生产。
- 一种高介电氧化锆薄膜低温溶液制备方法
- [发明专利]一种氧化铝介电薄膜的低温溶液制备方法-CN201610821757.6在审
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夏国栋;王素梅
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齐鲁工业大学
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2016-09-14
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2017-02-15
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H01L21/288
- 本发明属于新材料及微电子领域，特别涉及一种氧化铝介电薄膜的低温溶液制备方法。包括如下步骤称取可溶性的铝盐，量取溶剂，配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的氧化铝前驱体溶液，经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的氧化铝前驱体溶液；制备氧化铝薄膜将氧化铝前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成氧化铝前驱体薄膜，进行50‑150 ℃的预热处理，然后经过一定功率、时间和温度的光波退火，根据氧化铝薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体氧化铝溶液并退火处理，即得到氧化铝介电薄膜。本发明所得氧化铝薄膜介电性能高，在晶体管、电容器等微电子领域有重要应用前景。通过本发明的工艺可以避免通常的高温溶液工艺、工艺周期长或昂贵设备等，成本低，适合工业化大规模生产。
- 一种氧化铝薄膜低温溶液制备方法
- [发明专利]一种制备铟铝氧透明半导体薄膜的低温液相方法-CN201610821751.9在审
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夏国栋;王素梅
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齐鲁工业大学
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2016-09-14
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2017-02-01
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H01L21/02
- 本发明属于新材料及半导体领域，特别涉及一种制备铟铝氧透明半导体薄膜的低温液相方法。包括如下步骤称取可溶性的铟盐、铝盐，量取溶剂，配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的铟铝氧前驱体溶液，经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的铟铝氧前驱体溶液；制备铟铝氧薄膜将铟铝氧前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成铟铝氧前驱体薄膜，进行50‑150℃的预热处理，然后经过一定功率、时间和温度的光波退火，根据铟铝氧薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体铟铝氧溶液并退火处理，即得到铟铝氧透明半导体薄膜。本发明所得铟铝氧薄膜在晶体管、存储器、太阳能电池等信息能源领域有重要应用前景。通过本发明的工艺可以避免通常的高温溶液工艺、工艺周期长或昂贵设备等，成本低，适合工业化大规模生产。
- 一种制备铟铝氧透明半导体薄膜低温方法
- [发明专利]一种铟锌氧透明半导体薄膜的低温溶液制备方法-CN201610821752.3在审
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夏国栋;王素梅
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齐鲁工业大学
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2016-09-14
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2017-02-01
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H01L21/02
- 本发明属于新材料及半导体领域，特别涉及一种铟锌氧透明半导体薄膜的低温溶液制备方法。包括如下步骤称取可溶性的铟盐、锌盐，量取溶剂，配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的铟锌氧前驱体溶液，经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的铟锌氧前驱体溶液；制备铟锌氧薄膜将铟锌氧前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成铟锌氧前驱体薄膜，进行50‑150℃的预热处理，然后经过一定功率、时间和温度的光波退火，根据铟锌氧薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体铟锌氧溶液并退火处理，即得到铟锌氧透明半导体薄膜。本发明所得铟锌氧薄膜在晶体管、存储器、太阳能电池等信息能源领域有重要应用前景。通过本发明的工艺可以避免通常的高温溶液工艺、工艺周期长或昂贵设备等，成本低，适合工业化大规模生产。
- 一种铟锌氧透明半导体薄膜低温溶液制备方法
- [发明专利]一种氧化铪介电薄膜的低温液相制备方法-CN201610821754.2在审
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夏国栋;王素梅
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齐鲁工业大学
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2016-09-14
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2017-02-01
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H01L21/02
- 本发明属于新材料及半导体领域，特别涉及一种氧化铪介电薄膜的低温液相制备方法。包括如下步骤称取可溶性的铪盐，量取溶剂，配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的氧化铪前驱体溶液，经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的氧化铪前驱体溶液；制备氧化铪薄膜将氧化铪前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成氧化铪前驱体薄膜，进行50‑150 ℃的预热处理，然后经过一定功率、时间和温度的光波退火，根据氧化铪薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体氧化铪溶液并退火处理，即得到氧化铪介电薄膜。本发明所得氧化铪薄膜介电性能高，在晶体管、电容器等微电子领域有重要应用前景。通过本发明的工艺可以避免通常的高温溶液工艺、工艺周期长或昂贵设备等，成本低，适合工业化大规模生产。
- 一种氧化铪介电薄膜低温制备方法
- [发明专利]一种制备铟钛氧透明半导体薄膜的低温溶液方法-CN201610821730.7在审
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夏国栋;王素梅
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齐鲁工业大学
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2016-09-14
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2017-01-25
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H01L21/28
- 本发明属于新材料及半导体领域，特别涉及一种制备铟钛氧透明半导体薄膜的低温溶液方法。包括如下步骤称取可溶性的铟盐、钛盐，量取溶剂，配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的铟钛氧前驱体溶液，经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的铟钛氧前驱体溶液；制备铟钛氧薄膜将铟钛氧前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成铟钛氧前驱体薄膜，进行50‑150 ℃的预热处理，然后经过一定功率、时间和温度的光波退火，根据铟钛氧薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体铟钛氧溶液并退火处理，即得到铟钛氧透明半导体薄膜。本发明所得铟钛氧薄膜在晶体管、存储器、太阳能电池等信息能源领域有重要应用前景。通过本发明的工艺可以避免通常的高温溶液工艺、工艺周期长或昂贵设备等，成本低，适合工业化大规模生产。
- 一种制备铟钛氧透明半导体薄膜低温溶液方法
- [发明专利]一种氧化镧介电薄膜的低温液相制备方法-CN201610821753.8在审
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夏国栋;王素梅
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齐鲁工业大学
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2016-09-14
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2017-01-11
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H01L21/02
- 本发明属于新材料及半导体领域，特别涉及一种氧化镧介电薄膜的低温液相制备方法。包括如下步骤：称取可溶性的镧盐，量取溶剂，配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的氧化镧前驱体溶液，经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的氧化镧前驱体溶液；制备氧化镧薄膜：将氧化镧前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成氧化镧前驱体薄膜，进行50‑150 ℃的预热处理，然后经过一定功率、时间和温度的光波退火，根据氧化镧薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体氧化镧溶液并退火处理，即得到氧化镧介电薄膜。本发明所得氧化镧薄膜介电性能高，在晶体管、电容器等微电子领域有重要应用前景。通过本发明的工艺可以避免通常的高温溶液工艺、工艺周期长或昂贵设备等，成本低，适合工业化大规模生产。
- 一种氧化镧介电薄膜低温制备方法
- [发明专利]一种制备高迁移率氧化铟薄膜晶体管的低温溶液方法-CN201610821768.4在审
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夏国栋;王素梅
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齐鲁工业大学
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2016-09-14
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2017-01-11
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H01L21/02
- 本发明属于半导体及微电子器件领域，特别涉及一种制备高迁移率氧化铟薄膜晶体管的低温溶液方法。包括如下步骤：称取可溶性的铟盐，量取溶剂，配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的氧化铟前驱体溶液，经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的氧化铟前驱体溶液；制备氧化铟薄膜：将氧化铟前驱体溶液涂覆到预先涂有介电层/栅极薄膜的衬底上形成氧化铟前驱体薄膜，进行50‑150 ℃的预热处理，然后经过一定功率、时间和温度的光波退火，根据氧化铟薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体氧化铟溶液并退火处理，即得到氧化铟透明半导体薄膜。在氧化铟透明半导体薄膜上沉积源漏电极，即得到氧化铟薄膜晶体管。本发明所得氧化铟薄膜晶体管性能高，在信息电子领域有重要应用前景。通过本发明的工艺可以避免通常的高温溶液工艺、工艺周期长或昂贵设备等，成本低，适合工业化大规模生产。
- 一种制备迁移率氧化薄膜晶体管低温溶液方法
- [发明专利]一种低温制备锌锡氧透明半导体薄膜的溶液方法-CN201610821773.5在审
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夏国栋;姚书山;王素梅
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齐鲁工业大学
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2016-09-14
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2017-01-11
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H01L21/02
- 本发明属于新材料及半导体领域，特别涉及一种低温制备锌锡氧透明半导体薄膜的溶液方法。包括如下步骤：称取可溶性的锌盐、锡盐，量取溶剂，配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的锌锡氧前驱体溶液，经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的锌锡氧前驱体溶液；制备锌锡氧薄膜：将锌锡氧前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成锌锡氧前驱体薄膜，进行50‑150 ℃的预热处理，然后经过一定功率、时间和温度的光波退火，根据锌锡氧薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体锌锡氧溶液并退火处理，即得到锌锡氧透明半导体薄膜。本发明所得锌锡氧薄膜在晶体管、存储器、太阳能电池等信息能源领域有重要应用前景。通过本发明的工艺可以避免通常的高温溶液工艺、工艺周期长或昂贵设备等，成本低，适合工业化大规模生产。
- 一种低温制备锌锡氧透明半导体薄膜溶液方法
- [发明专利]一种制备高介电氧化钇薄膜的低温液相方法-CN201610821756.1在审
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夏国栋;王素梅
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齐鲁工业大学
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2016-09-14
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2017-01-04
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H01L21/02
- 本发明属于新材料及半导体领域，特别涉及一种制备高介电氧化钇薄膜的低温液相方法。包括如下步骤：称取可溶性的钇盐，量取溶剂，配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的氧化钇前驱体溶液，经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的氧化钇前驱体溶液；制备氧化钇薄膜：将氧化钇前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成氧化钇前驱体薄膜，进行50‑150℃的预热处理，然后经过一定功率、时间和温度的光波退火，根据氧化钇薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体氧化钇溶液并退火处理，即得到氧化钇介电薄膜。本发明所得氧化钇薄膜介电性能高，在晶体管、电容器等微电子领域有重要应用前景。通过本发明的工艺可以避免通常的高温溶液工艺、工艺周期长或昂贵设备等，成本低，适合工业化大规模生产。
- 一种制备高介电氧化钇薄膜低温方法
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