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[外观设计]佛像-CN201930342941.7有效
发明人： 夏吉林 -专利权人：成都云端藏地科技有限公司
申请日： 2019-06-29 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： 11-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：佛像。2.本外观设计产品的用途：用于摆放，起装饰作用。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状、图案与色彩的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.请求保护的外观设计包含色彩。6.无设计要点，省略俯视图、仰视图。
佛像

[实用新型]一种多功能鞋柜-CN201420374747.9有效
发明人：杜春宽;李正峰;赵保帅;夏吉林;曹军将 -专利权人：无锡商业职业技术学院
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： A47B61/00 文献下载
摘要：本实用新型公布了一种多功能鞋柜，包括主体框架，其下部设有承载框架，所述承载框架的背面设有立柱；所述立柱上端通过第一轴与摇杆连接，所述摇杆通过第二轴与连杆连接，所述连杆通过第一销轴与大齿轮连接，从而形成铰链四杆机构；所述大齿轮通过第一轴组件安装在所述承载框架内的第一横梁上；所述第一横梁下部设置有第二横梁，所述第二横梁上设置有第二轴承组件；所述第二轴组件两端设置有圆毛刷，第二轴组件的中部设置有小齿轮；所述大齿轮与所述小齿轮相啮合。本实用新型的鞋柜采用齿轮传动、四杆机构等设计而成，结构简单，易于操作和维护。
一种多功能鞋柜

[发明专利]一种纳电子相变存储器的制备方法-CN200410053565.2有效
发明人：宋志棠;夏吉林;刘卫丽;刘波;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2004-08-06 - 公布日： 2005-03-02 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳电子器件的制备方法。特征在于：首先在衬底材料上沉积一层下电极材料W，然后依次沉积一层Al和一层SiO₂。通过曝光、刻蚀，在SiO₂上刻蚀出孔，使下层Al暴露出来，然后通过阳极氧化法在暴露出的部分形成多孔氧化铝，同时对每个孔进行进一步的加工，可以形成唯一的一个纳米尺度的氧化铝小孔，或形成孔径一致，分布均匀纳米孔阵列，或形成孔径分散而分布均匀纳米孔阵列。再用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)沉积薄膜，实现纳米孔的W填充，通过纳米抛光技术实现纳米孔顶端的平坦化，然后沉积相变材料与电极材料，引线，封装，实现纳米存储单元。
一种电子相变存储器制备方法

[发明专利]纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法-CN200410053566.7有效
发明人：宋志棠;夏吉林;陈宝明;张挺;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2004-08-06 - 公布日： 2005-03-02 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法。它是在硅衬底材料上先沉积底电极材料，然后沉积电介质材料，曝光，刻蚀成多孔状，孔径在50－200nm，间距2－5μm，接着向孔内沉积相变材料，化学机械抛光，覆盖掩膜板，沉积上电极。于是薄膜就被掩膜板分成很多小单元，而每个单元大小差不多，引线，简单封装，每个单元内的小器件处于并联状态，然后测试每个单元的性能。此外，可以通过改变掩模板的大小，把上电极做成各种尺寸，画出一次函数关系，通过外延法得出截距，从而得到纳米器件的本征性能。本发明解决了纳米器件测量引线难的问题。由于这些小器件是并联的，不会增加工作电压，准确的反映出器件本身的性能。
电子器件性能测试器件结构制备方法

[发明专利]相变存储器单元器件的制备方法-CN200410015743.2有效
发明人：宋志棠;夏吉林;张挺;封松林;陈宝明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2004-01-09 - 公布日： 2004-12-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种相变存储器单元器件的制备方法，属于微电子技术领域。其特征在于，首先在衬底材料上沉积底电极材料，再沉积电介质材料，然后通过机械方法，用三棱锥，圆锥等多种形状和钻石，金刚石等不同材料的压头在薄膜上打出小孔，使小孔穿透电介质层，尖头部和底电极材料接触。接着，沉积薄薄一层相变材料，表面抛光。接着使用剥离技术，即涂上光刻胶，曝光显影使小孔露出来，然后沉积上电极材料，去胶制成。优点在于相变材料和底电极接触面很小，可达几百纳米，所以很小的电流就可以产生很大的热量，使相变材料在很短时间内就可发生相变。用本发明制备的器件具有较小的功耗，很短的响应时间，对于器件的性能有很大的提高。
相变存储器单元器件制备方法

[发明专利]最小尺寸为纳米量级图形的印刻法制备工艺-CN200310122870.8有效
发明人：宋志棠;张挺;夏吉林;封松林;陈宝明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2003-12-26 - 公布日： 2004-12-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备最小尺寸可达纳米量级的图形的印刻法制备工艺，属于微电子领域。其特征在于先制备出“印”，“印”上刻有所需的凸起或凹进的图形。接着利用得到的印压在较为柔软的材料上，印上突起的部分就在该材料上印刻出了所需的图形。如印凹进则相反。目前微电子工业中制备纳米图形主要采用Spacer技术。Spacer技术的工艺比较复杂，需要经过很多流程而且不易控制；而电子束曝光成本较高，不适合于大批量生产。而本发明提出的印刻方法成本低廉，只要制备出一个印，就能印刻出相同条件的很多样品，有很高的可重复性。
最小尺寸纳米量级图形印刻法制工艺