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[发明专利]半导体装置-CN202310043673.4在审
发明人：中村研贵;塚田能成;米田真也;前田康宏;根来佑树;小堀俊光 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2023-01-29 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置。半导体装置(10)具备：n+源极层(20)及源电极(12)；n+漏极层(17)及漏电极(11)；与n+漏极层(17)相邻，并且杂质浓度比n+漏极层(17)的杂质浓度相对小的n‑漂移层(18)；以及p基极层(19)及基电极(13)。p基极层(19)具有将n+源极层(20)与n‑漂移层(18)分隔的沟道部(19b)。半导体装置(10)具备：在将n+漏极层(17)与p基极层(19)分隔的n‑漂移层(18)的n+漏极层(17)侧与n‑漂移层(18)相邻的p注入层(21)；与p注入层(21)接合的注入电极(16)；以及与注入电极(16)连接的电流源。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202310043719.2在审
发明人：中村研贵;塚田能成;米田真也;前田康宏;根来佑树;小堀俊光 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2023-01-29 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置。半导体装置(10)具备：n+源极层(20)及源电极(12)；n+漏极层(16)、n‑漂移层(17)及漏电极(11)；以及p基极层(19)及基电极(13)。p基极层(19)具有将n+源极层(20)与n‑漂移层(17)分隔的沟道部(19c)。半导体装置(10)具备第二接点部(19b)，该第二接点部(19b)与基电极(13)相邻，并且杂质浓度比p基极层(19)的其他的部位的杂质浓度相对大。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202310105330.6在审
发明人：中村研贵;塚田能成;小堀俊光;前田康宏;米田真也;根来佑树 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置。半导体装置(10)具备：n+源极层(18)及源电极(12)；n‑漂移层(16)及漏电极(11)；以及具有将n+源极层(18)与n‑漂移层(16)分隔的沟道部(17b)的p基极层(17)。半导体装置(10)具备隔着栅极氧化膜(15)与n+源极层(18)、沟道部(17b)及n‑漂移层(16)分别相邻的栅极n‑层(19)及栅极p层(20)。栅极n‑层(19)与栅极p层(20)沿着n+源极层(18)、沟道部(17b)及n‑漂移层(16)顺次排列的方向相邻。半导体装置(10)具备与栅极p层(20)接合的第一栅电极(13)和与栅极n‑层(19)接合的第二栅电极(14)。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202310105507.2在审
发明人：中村研贵;塚田能成;前田康宏;米田真也;根来佑树;小堀俊光 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置。半导体装置(10)具备：n+源极层(19)及源电极(12)；n+漏极层(16)、n‑漂移层(17)及漏电极(11)；以及具有将n+源极层(19)与n‑漂移层(17)分隔的沟道部(18b)的p基极层(18)。p基极层(18)的沟道部(18b)具备多个低浓度部(20)。各低浓度部(20)的杂质浓度设定得比沟道部(18b)中的其他的部位(例如，低浓度部(20)以外的部位等)的杂质浓度相对小。
半导体装置

[实用新型]半导体装置-CN202320563306.2有效
发明人：米田真也;中村研贵;前田康宏;塚田能成;小堀俊光;根来佑树 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体装置，包含设置在至少一半导体基板的表面的主电流电极、电流控制电极以及电压控制电极，并配备把每个电极连接到基板外部的主电流配线、电流控制配线和电压控制配线。所述电压控制电极被绝缘膜覆盖，并在所述表面沿第一方向呈直线状延伸配置。多个电压控制配线沿与第一方向不同的第二方向排列。所述电流控制配线与所述电压控制电极交叉，沿所述第二方向呈直线状延伸配置。所述电流控制配线与设置在多个所述电压控制电极之间的所述电流控制配线下方的所述电流控制电极连接。因此，本实用新型的半导体装置可减少配线层数并借此降低制造成本。而且，源极配线和基极配线交替地配置，有利于获得良好的半导体特性。
半导体装置

[实用新型]BiMOS半导体装置-CN202320656480.1有效
发明人：中村研贵;米田真也;塚田能成;小堀俊光;根来佑树;前田康宏 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种BiMOS半导体装置，包括连续配置的数个BiMOS半导体，每个BiMOS半导体包括：漏电极与形成于漏电极侧的漂移层、源电极与形成于源电极侧的源极接触层、形成在源极接触层旁边的栅电极、形成在漂移层与源极接触层之间的基极层与基电极。基极层包含由栅电极形成的沟道区，基电极与基极层相连。在BiMOS半导体装置中，在连续配置的栅电极之间的漂移层包括柱层，柱层中交替形成有第一导电型与第二导电型的数个柱，且在柱层与基极层之间形成有导电型与基极层不同的中间层。在本实用新型中，即使柱层和柱的数量跟沟道区的数量不匹配，也可以形成电流路径并且有效降低阻值。
bimos 半导体装置

[发明专利]电力转换装置、电力转换装置的控制方法以及存储介质-CN202211122373.7在审
发明人： 塚田能成;大岩久也 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H02M7/48 文献下载
摘要：本发明提供电力转换装置。该电力转换装置具备电力转换部和控制部，该电力转换部至少具有：第一转换器，其将由蓄电池输出的蓄电池电力转换成基于被输入或设定的输出波形轮廓而形成的第一电压波形的第一输出电力并从第一端子对输出；以及第二转换器，其将蓄电池电力转换成矩形的第二电压波形的第二输出电力并从第二端子对输出，该电力转换部向负载供给通过将第一输出电力与第二输出电力相加而生成的交流的控制波形的第三输出电力，该控制部基于被输入的向负载输出的输出电力的要求指令值和由电力转换部输出的第三输出电力的电压值，将使第一转换器输出第一输出电力的电压指令值作为输出波形轮廓而向电力转换部输出。
电力转换装置控制方法以及存储介质

[发明专利]电源系统及移动体-CN202210638517.8在审
发明人： 塚田能成 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： B60L15/00 文献下载
摘要：本发明要解决的问题是，提供一种与以往相比可以降低开关损耗及稳态损耗的电源系统及移动体。为了解决上述问题，本发明的电源系统1，包括：可变电压电源7，从二次侧输入/输出端子对72p,72n输出可变电压E1的电力；及，第一电力线21及第二电力线22，连接二次侧输入/输出端子对72p,72n与负载4；所述电源系统的特征在于，包括：第一开关单元31，设置在第一电力线21上；第三电力线23，连接第一开关单元31的两端；及，旁通线25，连接二次侧输入/输出端子对72p,72n；其中，在第三电力线23上设置输出直流电力的第一直流电源38，在旁通线25上设置容许第一直流电源38的输出电流且阻断其逆向的电流的旁通二极管33a。
电源系统移动

[发明专利]电源系统及移动体-CN202210638489.X在审
发明人： 塚田能成 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： B60L15/00 文献下载
摘要：本发明要解决的问题是，提供一种与以往相比可以降低开关损耗及稳态损耗的电源系统及移动体。为了解决上述问题，电源系统1包括：可变电压电源7，从二次侧输入/输出端子对72p,72n输出可变电压的电力；及，第一电力线21及第二电力线22，连接二次侧输入/输出端子对72p,72n与负载4。在第一电力线21上设置第一开关单元31、及连接该第一开关单元31的两端的第三电力线23，在第三电力线23上串联设置第三开关单元33、直流电源30及第二开关单元32。第四电力线24连接第三电力线23与第二电力线22。在第四电力线24上设置第四二极管34a，所述第四二极管34a容许直流电源30的输出电流且阻断其逆向的电流。
电源系统移动

[发明专利]转换器、转换器的控制装置及转换器的控制方法-CN202210566205.0在审
发明人： 塚田能成 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：提供能够在避免电路的复杂化的同时扩大输出电压的控制范围的转换器、转换器的控制装置及转换器的控制方法。转换器具备：一次侧开关部，其与蓄电池连接；二次侧开关部，其与马达连接；变压器，其设置于所述一次侧开关部与所述二次侧开关部之间；以及控制部，其至少控制所述二次侧开关部，以使沿着期望的波形的输出波形轮廓的电压输出到所述马达侧。
转换器控制装置方法

[发明专利]电力变换装置、电力变换装置的控制方法以及存储介质-CN202210595731.X在审
发明人： 塚田能成 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本发明提供能够适当进行与电动车辆的行驶特性一致的蓄电池的电力变换的电力变换装置、电力变换装置的控制方法以及存储介质。一种电力变换装置，其具备：第一转换器，其至少将由第一蓄电池输出的第一蓄电池电力变换为基于所输入或设定的输出波形曲线得到的第一电压波形的第一输出电力并输出；以及第一生成部，其生成并输出基于第一蓄电池电力得到的第二输出电力，向负载供给通过将第一输出电力与第二输出电力相加从而生成的交流的控制波形的第三输出电力。
电力变换装置控制方法以及存储介质

[发明专利]电源系统及移动体-CN202210640396.0在审
发明人： 塚田能成 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： B60L15/00 文献下载
摘要：本发明要解决的问题是，提供一种与以往相比可以降低开关损耗及稳态损耗的电源系统及移动体。为了解决上述问题，本发明的电源系统1包括：直流电源30，输出直流电力；作为绝缘双向直流/直流转换器的可变电压电源7，从二次侧输入/输出端子对72p,72n输出可变电压E2的电力；正极电力线21及负极电力线22，连接于直流电源30的两极；开关电路5，包括连接电力线21,22与负载4的多个桥臂开关元件51,52,53,54；防逆流用开关元件34)，设置在正极电力线21中的二次侧输入/输出端子对72p,72n之间；电源驱动装置6，操作可变电压电源7及防逆流用开关元件34；及，开关电路驱动装置8，操作开关电路5。二次侧输入/输出端子对72p,72n均连接于正极电力线21。
电源系统移动

[发明专利]BiMOS半导体装置-CN202210113729.4在审
发明人：前田康宏;塚田能成;米田真也;中村研贵;根来佑树 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种BiMOS半导体装置，是具有沟槽栅极结构的n沟道型BiMOS半导体装置，并且，依次形成n+漏极层、交替地接合n‑漂移层及p柱层的并列pn层、以及由p基极层及n+源极层构成的复合层，在形成在前述p柱层上的前述p基极层与前述n+源极层之间的一部分，形成高电阻层，在前述p柱层与前述p基极层之间，形成高电阻层，前述p柱层的杂质浓度低于前述n‑漂移层。
bimos 半导体装置

[发明专利]BiMOS半导体装置-CN202210113723.7在审
发明人：中村研贵;塚田能成;米田真也;前田康宏;根来佑树 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种具有沟槽栅极结构的n沟道型BiMOS半导体装置，依次形成n+漏极层、交替地接合n‑漂移层及p柱层的并列pn层、以及由p基极层及n+源极层构成的复合层。
bimos 半导体装置

[发明专利]驱动装置-CN202110821972.7在审
发明人： 塚田能成 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： B60L15/20 文献下载
摘要：提供能够提高起步、牵引时的加速性能的驱动装置。在驱动装置(100)中，第一电动发电机(MG1)与第一差动机构(1)的太阳齿轮(S1)连结，第二电动发电机(MG2)与第二差动机构(2)的太阳齿轮(S2)连结，第一差动机构的行星架(C1)与第二差动机构的行星架(C2)彼此连结而构成的行星架连结体(6)与输出轴(4)连结，第一差动机构的齿圈(R1)与第二差动机构的齿圈(R1)彼此连结而构成的齿圈连结体(7)与第一离合器(TWC1)连结。在驱动装置(100)中，第一差动机构的太阳齿轮(S1)、行星架连结体(6)、齿圈连结体(7)和第二差动机构(2)的太阳齿轮(S2)构成为依次在列线图上排列。
驱动装置

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