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[发明专利]MEMS麦克风-CN202310298593.3在审
发明人：丝山寿毅;叶肇;内田雄喜;吉田拓马;大尾光明;堀本恭弘 -专利权人： MMI半导体有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS麦克风，其在抑制MEMS麦克风的电路规模的增大的同时，生成相位反转的差动信号。MEMS麦克风具有：具有导电性的振动膜；第一可变电容器，其具有与振动膜对置的第一固定电极，且静电电容根据振动膜的振动而变化；第二可变电容器，其具有与振动膜对置的第二固定电极，且静电电容根据振动膜的振动而变化；第一电压输出部，其输出根据第一可变电容器的静电电容的变化而变化的第一电压；以及第二电压输出部，其输出根据第二可变电容器的静电电容的变化而变化的第二电压，对第一固定电极施加第一偏置电压，对第二固定电极施加基准电压，对振动膜施加第二偏置电压，该第二偏置电压与基准电压之差为第一偏置电压与基准电压之差的一半。
mems 麦克风

[发明专利]MEMS结构及具有MEMS结构的电容式传感器、压电型传感器、声音传感器-CN201780042283.8有效
发明人：村上步;井上匡志;堀本恭弘 -专利权人：欧姆龙株式会社
申请日： 2017-02-21 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H04R7/04 文献下载
摘要：本发明提供在使用MEMS技术制作的电容式传感器中，可获得高的SN比，且可提高对输入压力的耐压性的技术。本发明的电容式传感器将膜片的位移转换成该膜片与所述背板之间的电容的变化，其中，从法线方向观察，膜片的外形的一部分配置于基板的开口的内侧，膜片的外形的其它部分配置于基板的开口的外侧。
mems 结构具有电容传感器压电声音

[发明专利]半导体装置的制造方法及麦克风的制造方法-CN201180068237.8有效
发明人： 堀本恭弘;中河佑将;井上匡志;高桥敏幸 -专利权人：欧姆龙株式会社
申请日： 2011-03-18 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H04R31/00 文献下载
摘要：在硅晶片（73）的上方设置多个声敏传感器（51）。利用硅晶片（74），一体形成具有空腔（70）或贯穿电极（65、66）等的多个内插件（52）。将多个声敏传感器（51）的与硅晶片（73）相反一侧的面与多个内插件（52）接合一体化。此后，在将声敏传感器（51）与内插件（52）接合一体化的状态下，对声敏传感器（51）的硅晶片（73）进行研磨，来减薄硅晶片（73）的厚度。此后，将在接合的状态下逐个分割成单体的声敏传感器（51）及硅晶片（73）与信号处理电路一并安装在封装内。
半导体装置制造方法麦克风

[发明专利]音响转换器、及利用该音响转换器的传声器-CN201180026170.1有效
发明人：笠井隆;内田雄喜;堀本恭弘;S·康蒂 -专利权人：欧姆龙株式会社;意法半导体股份有限公司
申请日： 2011-05-10 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本发明的音响传感器(11)在半导体基板的上表面形成有振动膜(22)及固定膜(23)，根据振动膜(22)中的振动电极(22a)和固定膜(23)中的固定电极(23a)间的静电电容的变化，来检测声波。为了使声波从外部到达振动膜(22)，在固定膜(23)上形成有多个音孔部(32)，固定电极(23a)是以缘部(40)的边界不和音孔部(32)相交的方式形成的。
音响转换器利用传声器

[发明专利]麦克风-CN201180001986.9有效
发明人：中河佑将;堀本恭弘;井上匡志;高桥敏幸 -专利权人：欧姆龙株式会社
申请日： 2011-03-16 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种麦克风，能减小从上看的平面面积，并进而增加声音传感器的后室容积。一插入体(52)被置于电路板(43)的顶表面上，一声音传感器(51)被置于其顶表面上。一信号处理电路(53)被置于插入体(52)内的空间(70)中，并置于电路板(43)上。声音传感器(51)通过一插入体(52)内的布线结构与电路板(43)相连。声音传感器(51)、插入体(52)及类似物被一放在电路板(43)顶表面的外罩(42)罩住。在外罩(42)里，一声音导入孔(48)在相对着声音感应器(51)的前室的位置敞开。插入体(52)藉由一通风凹穴(71)形成为声音通讯在声音传感器(51)的隔膜(56)下面的一空间有一在外罩(42)内和插入体(52)外的一空间。
麦克风

[发明专利]麦克风-CN201010163546.0有效
发明人：笠井隆;堀本恭弘;加藤史仁;宗近正纪;若林秀一;高桥敏幸;犬贺正幸 -专利权人：欧姆龙株式会社
申请日： 2007-07-20 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本发明提供一种麦克风。在硅基板(12)的表面形成由SiO2薄膜构成的保护膜(20)，在将保护膜的一部分除去而开设的蚀刻窗(22)成膜由多晶硅构成的保护层(23)。从保护层(23)之上开始在硅基板表面形成由SiO2构成的保护膜(24)，从保护膜之上形成由多晶硅构成的元件薄膜(13)。在背面的保护膜(21)开设背面蚀刻窗(26)。将硅基板浸渍在TMAH中而从背面蚀刻窗对硅基板进行晶体各向异性蚀刻，在硅基板设置贯通孔(14)。保护层在贯通孔内露出时，将保护层蚀刻除去，在保护膜与硅基板之间生成间隙(19)，从表面侧和背面侧对硅基板进行晶体各向异性蚀刻。
麦克风

[发明专利]振动传感器及其制造方法-CN200780031774.9有效
发明人：笠井隆;堀本恭弘;加藤史仁;宗近正纪;若林秀一;高桥敏幸;犬贺正幸 -专利权人：欧姆龙株式会社
申请日： 2007-07-20 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L29/84 文献下载
摘要：本发明提供一种振动传感器及其制造方法。在硅基板(12)的表面形成由SiO₂薄膜构成的保护膜(20)，在将保护膜的一部分除去而开设的蚀刻窗(22)成膜由多晶硅构成的保护层(23)。从保护层(23)之上开始在硅基板表面形成由SiO₂构成的保护膜(24)，从保护膜之上形成由多晶硅构成的元件薄膜(13)。在背面的保护膜(21)开设背面蚀刻窗(26)。将硅基板浸渍在TMAH中而从背面蚀刻窗对硅基板进行晶体各向异性蚀刻，在硅基板设置贯通孔(14)。保护层在贯通孔内露出时，将保护层蚀刻除去，在保护膜与硅基板之间生成间隙(19)，从表面侧和背面侧对硅基板进行晶体各向异性蚀刻。
振动传感器及其制造方法

[发明专利]麦克风的制造方法-CN200780013260.0有效
发明人： 堀本恭弘;笠井隆 -专利权人：欧姆龙株式会社
申请日： 2007-02-23 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H04R31/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种麦克风的制造方法。使牺牲层(36)从药液投入口(31)露出，利用从药液投入口(31)导入的蚀刻剂将牺牲层(36)和牺牲层(35)蚀刻除去。由于在除去了牺牲层(35)后的痕迹的蚀刻窗口(34)使Si衬底(22)的表面露出，因此，在蚀刻窗口(34)的下方对Si衬底(22)进行结晶各向异性蚀刻并产生空腔(23)。与此相对，由于在蚀刻除去了牺牲层(36)的空间，Si衬底(22)的表面由保护膜(32)覆盖，因此，Si衬底(22)未被蚀刻而在此形成通风孔(26)。可通过来自表面侧的蚀刻在半导体衬底形成空腔。另外，能够很容易制造声阻大的通风孔。
麦克风制造方法