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[发明专利]带音响装置的操作模块-CN202310105098.6在审
发明人：菊池慎一;大塚皓太;坂直树;大矢阳介;佐藤康成 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B60R11/02 文献下载
摘要：本发明提供一种带音响装置的操作模块，其具备框体、开关组、扬声器、第一话筒及第二话筒。框体安装于车顶。开关组由与车辆相关的多个开关构成，且设置在框体的内部。扬声器设置在框体的内部。第一话筒及第二话筒设置在框体的内部。扬声器和话筒隔着开关组而配置在两侧。
音响装置操作模块

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201680053525.9有效
发明人： 坂直树 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-09-02 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种其中抑制了信号失真的发生的半导体装置以及半导体装置的制造方法。所述半导体装置设有：晶体管区域，其设有场效应晶体管；和配线区域，其设有与所述场效应晶体管电气连接的金属层。所述配线区域设有：设置在所述金属层和基板之间的绝缘层，和设置在所述金属层下方的绝缘层中并具有比所述绝缘层低的介电常数的低介电常数层。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]场效应晶体管-CN202111060752.3在审
发明人： 坂直树;冈元大作;田中秀树 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-03-25 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种场效应晶体管，其包括：栅极电极；半导体层，所述半导体层具有把所述栅极电极夹在中间的源极区域和漏极区域；接触插塞，所述接触插塞被设置于所述源极区域和所述漏极区域上；第一金属部，所述第一金属部被堆叠在所述接触插塞上；以及低介电常数区域，所述低介电常数区域在所述半导体层的面内方向上被设置在位于所述第一金属部之间的区域中、且在堆叠方向上至少被设置在位于所述第一金属部的底面下方的第一区域中。
场效应晶体管

[发明专利]场效应晶体管-CN202111079524.0在审
发明人： 坂直树;冈元大作;田中秀树 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-03-25 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种场效应晶体管，其包括：栅极电极；半导体层，所述半导体层具有把所述栅极电极夹在中间的源极区域和漏极区域；接触插塞，所述接触插塞被设置于所述源极区域和所述漏极区域上；第一金属部，所述第一金属部被堆叠在所述接触插塞上；以及低介电常数区域，所述低介电常数区域在所述半导体层的面内方向上被设置在位于所述第一金属部之间的区域中、且在堆叠方向上至少被设置在位于所述第一金属部的底面下方的第一区域中。
场效应晶体管

[发明专利]场效应晶体管-CN202111086886.2在审
发明人： 坂直树;冈元大作;田中秀树 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-03-25 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种场效应晶体管，其包括：栅极电极；半导体层，所述半导体层具有把所述栅极电极夹在中间的源极区域和漏极区域；接触插塞，所述接触插塞被设置于所述源极区域和所述漏极区域上；第一金属部，所述第一金属部被堆叠在所述接触插塞上；以及低介电常数区域，所述低介电常数区域在所述半导体层的面内方向上被设置在位于所述第一金属部之间的区域中、且在堆叠方向上至少被设置在位于所述第一金属部的底面下方的第一区域中。
场效应晶体管

[发明专利]摄像装置-CN202080035657.5在审
发明人： 坂直树;森茂贵;冈本晋太郎;中川进次 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-06-25 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本发明实施例的第一摄像装置包括第一基板、第二基板和贯通配线。所述第一基板包括：设置在第一半导体基板中的用于构成传感器像素的光电转换部和第一晶体管。所述第二基板层叠在所述第一基板上，且包括：设置在具有与所述第一基板相对着的一个表面的第二半导体基板中的用于构成所述传感器像素的第二晶体管及在层叠方向上贯穿所述第二半导体基板的开口。所述第二基板具有用于调整所述第二晶体管的阈值电压的调整部，所述调整部形成在所述开口的位于所述第二晶体管的栅极附近的侧面上和/或所述第二半导体基板的所述一个表面的与所述第一晶体管相对着的区域上。所述贯通配线设置在所述开口内，用于将所述第一基板和所述第二基板电气连接。
摄像装置

[发明专利]成像装置-CN202080034002.6在审
发明人： 坂直树;冈本晋太郎;幸山裕亮;森茂贵 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-06-25 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本公开实施方案的成像装置包括：第一基板，其包括执行光电转换的传感器像素；第二基板，其包括基于从所述传感器像素输出的电荷而输出像素信号的像素电路；和第三基板，其包括对所述像素信号进行信号处理的处理电路，第一基板、第二基板和第三基板按该顺序层叠，并且在设有所述像素电路的场效应晶体管的至少一个或多个半导体层中，在第一基板侧的区域中的导电型杂质的浓度高于在第三基板侧的区域中的导电型杂质的浓度。
成像装置

[发明专利]场效应晶体管、场效应晶体管制造方法和射频器件-CN201580000970.4有效
发明人： 坂直树;冈元大作;田中秀树 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-03-25 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种场效应晶体管，其包括：栅极电极；半导体层，所述半导体层具有把所述栅极电极夹在中间的源极区域和漏极区域；接触插塞，所述接触插塞被设置于所述源极区域和所述漏极区域上；第一金属部，所述第一金属部被堆叠在所述接触插塞上；以及低介电常数区域，所述低介电常数区域在所述半导体层的面内方向上被设置在位于所述第一金属部之间的区域中、且在堆叠方向上至少被设置在位于所述第一金属部的底面下方的第一区域中。
场效应晶体管制造方法射频器件

[发明专利]固态摄像装置和电子设备-CN201980048542.7在审
发明人： 坂直树 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及能够应对取决于电流流动方向的特性波动的固态摄像装置和电子设备。提供了一种固态摄像装置，其包括：像素阵列单元，像素阵列单元包括以二维形式布置的像素，像素具有光电转换单元，其中，像素的晶体管具有如下结构：其中，源极侧LDD区域中与栅极的下侧的重叠量不同于漏极侧LDD区域中与栅极的下侧的重叠量，并且源极侧LDD区域的接合深度不同于漏极侧LDD区域的接合深度。本技术可以应用于例如CMOS图像传感器。
固态摄像装置电子设备

[其他]空调装置的室外单元-CN201890000333.6有效
发明人： 坂直树;酒井瑞朗;坂边野花;山下哲矢;秦优也;村上嘉一;近藤阳贵 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： F24F1/56 文献下载
摘要：空调装置的室外单元(1)具备由多个面板构成的箱状的壳体(2)，壳体在沿一个方向延伸的角部(14)具有把持部(13)，把持部设置于构成角部的面板(7)，以从面板的角部的端部向内侧折弯的形状并且沿一个方向延伸而形成。
空调装置室外单元

[发明专利]场效应晶体管-CN201910332289.X在审
发明人： 坂直树;冈元大作;田中秀树 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-03-25 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种场效应晶体管，包括：栅极电极；半导体层，具有把栅极电极夹在中间的源极区域和漏极区域；接触插塞，包括第一导电材料，其中第一接触插塞被设置在源极区域上且第二接触插塞被设置在漏极区域上；第一金属部，包括第二导电材料，其中第一金属部的第一者被堆叠在第一接触插塞上且第一金属部的第二者被堆叠在第二接触插塞上；至少一层绝缘膜，在半导体层的面内方向上被设置在接触插塞之间且在堆叠方向上被设置在第一金属部的底面下方；以及低介电常数区域，被设置在位于栅极电极的顶面的一部分的上方且在半导体层的面内方向上位于接触插塞之间的区域中，且在堆叠方向上至少被设置在位于第一金属部的底面下方的第一区域中。
接触插塞金属部半导体层栅极电极场效应晶体管导电材料堆叠方向漏极区域源极区域内方向底面堆叠低介电常数区域层绝缘膜第一区域

[发明专利]听力测试提供系统以及听力测试提供方法-CN201480016138.9在审
发明人：森田成纪;叶山英树;坂直树;味元亚希子;松岛良一;正木敏明;楠浦崇央 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： A61B5/12 文献下载
摘要：本发明的目的之一在于提供一种听力测试提供系统，能够使听力下降的人自然地自己察觉到该听力下降的状态，其结果能够促进助听器的销售。本发明具备展示商品的商品展示单元、用于从商品展示单元所展示的商品中选择商品的操作单元、记录表示通过操作单元选择出的商品与助听器之间的亲和性的助听器亲和性信息的数据库、至少根据助听器亲和性信息来判定是否进行听力测试的判定单元以及根据判定单元的判定结果来实施听力测试的听力测试实施单元。
听力测试提供系统以及方法

[发明专利]听力检查装置、听力检查方法以及听力检查用单词制作方法-CN201480016026.3在审
发明人：森田成纪;叶山英树;坂直树;味元亚希子;松岛良一;正木敏明;楠浦崇央 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： A61B5/12 文献下载
摘要：本发明的装置具备：记录部(2)，在该记录部中，以根据有听错的可能性的多个单词的可能性的高低进行了分类的状态记录有有听错的可能性的多个单词；提问输出部(4)，其以语音输出包含至少一个有听错的可能性的单词的提问文章；输入部(5)，其用于输入针对提问文章的回答；判别部(12)，其根据输入到输入部(5)的回答的内容，至少判别回答者的听力有无降低；结果输出部(6)，其输出由判别部(12)判别出的判别结果。
听力检查装置方法以及单词制作方法

[发明专利]家电设备远程监视系统-CN201380050737.8在审
发明人：稗田嘉弘;坂直树;堤内良司 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2013-09-26 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H04Q9/00 文献下载
摘要：本发明的课题在于，在对多个电气设备通电时根据各电气设备的电力波形的测定结果等而确定电源插头上连接的家电设备，进而测量并计算这些家电设备的需求电力量，进一步掌握各电气设备的运转状况而检测异常的运转，并控制EoD系统。作为解决方法，本发明提供一种系统，该系统是包括能够插入一个或两个以上的电气设备的电源插头的智能分接头、内置有智能分接头功能的家电设备以及服务器的家电远程监视系统，且具有以下功能：该智能分接头具备电压波形测量单元和/或电流波形测量单元以及通信单元，该电压波形测量单元和该电流波形测量单元是对经由与它们分别连接的电源插头而供给至一个以上的电气设备的电力的电压波形和电流波形进行测量的单元，该通信单元是将该电压波形和/或该电流波形或它们的波形发送至设置于与该分接头不同场所的该服务器的单元，该服务器基于从该智能分接头接收到的该电压波形和/或该电流波形来判断所连接的各个电气设备的运转状况，在检测出该电气设备的异常的情况下，将该检测内容发送到外部网络。
家电设备远程监视系统

[发明专利]半导体装置及其制造方法、固体摄像装置及其制造方法以及电子单元-CN201210294922.9无效
发明人： 坂直树 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法、固体摄像装置及其制造方法以及电子单元，所述固体摄像装置包括：形成于基板的表面上的元件形成区；将形成于基板上的各像素隔离的元件隔离部；光电转换元件；以及埋入沟道型MOS晶体管。埋入沟道型MOS晶体管包括源极区和漏极区，它们形成于元件形成区中，所述源极区和漏极区的导电型与元件形成区的导电型相反；沟道区，其具有与元件形成区的导电型相反的第一杂质扩散区和第二杂质扩散区；以及栅极。每个第一杂质扩散区在源极区与漏极区之间形成于与一个元件隔离部邻接侧的区域中。第二杂质扩散区形成于源极区与漏极区之间的整个区域上。本发明可在不改变栅极尺寸的情况下实际上扩大了沟道区。因此，可降低噪声。
半导体装置及其制造方法固体摄像以及电子单元

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