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[发明专利]热电装置-CN201880053556.3有效
发明人： B.戈茨曼;J.古思;F.门格斯 -专利权人： 国际商业机器公司
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10N10/00 文献下载
摘要：实施例特别地涉及包括热电元件的热电装置。热电元件包括Weyl半金属和多个磁化元件。所述多个磁化元件被配置成在所述Weyl半金属上施加定向磁场。实施例还涉及用于冷却装置的相关方法和用于产生电能的相关方法。
热电装置

[发明专利]开放寻址的探测屏障-CN201880062835.6有效
发明人： Y·沙茨基;A·波拉特-斯托勒;T·西万 -专利权人： 国际商业机器公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G06F12/1027 文献下载
摘要：开放地址探测屏障与存储器容器相关联地被利用。起始存储器槽针对要在存储器容器中被找到的项目而被计算。响应于该项目未能占用起始存储器槽，紧跟在起始存储器槽之后的第一预定数量的存储器槽被探测。响应于该项目占用那些存储器槽中的一个存储器槽，该项目被返回给应用。响应于该项目未能占用那些存储器槽中的一个存储器槽，关于屏障位是否已经与第一预定数量的存储器槽中的起始存储器槽相关联地被设置进行确定。如果是，则存储器容器的至少一部分针对该项目而被探测，并且如果被找到，则该项目被返回给应用。如果屏障位未被设置，则通知被返回给应用。
开放寻址探测屏障

[发明专利]化合物及有机膜形成用组合物-CN201910539258.1有效
发明人：橘诚一郎;渡边武;新井田惠介;长井洋子;泽村昂志;荻原勤;亚历山大·爱德华·赫斯;格雷戈里·布雷塔;丹尼尔·保罗·桑德斯;鲁迪·J·沃伊泰茨基 -专利权人：信越化学工业株式会社;国际商业机器公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C07C43/21 文献下载
摘要：本发明提供一种化合物，其能够形成不仅在空气中、而且在惰性气体中的成膜条件下也固化而不产生副产物，耐热性及形成在基板上的图案的嵌入或平坦化特性优异，且基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机下层膜。该化合物为下述通式(1‑1)所示的化合物。[化学式1]式中，AR1、AR2表示芳香环或含有氮原子、硫原子中的1个以上的芳香环，2个AR1、AR1与AR2、2个AR2可连接；AR3为苯环、萘环、噻吩环、吡啶环或二嗪环；A为有机基团，B为阴离子性离去基团，Y为2价有机基团，p为1或2，q为1或2，r为0或1，s为2～4；s＝2时，Z为单键、2价原子或2价有机基团，s＝3或4时，Z为3价或4价的原子或有机基团。
化合物有机形成组合

[发明专利]VFET的底部接触件的电阻降低-CN201880033111.9有效
发明人：望月省吾;李忠贤;鲍如强;H.贾根内森 -专利权人： 国际商业机器公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施例针对具有减小的底部接触电阻的垂直场效应晶体管(VFET)的方法和所得结构。在衬底上形成具有交替的掺杂层和掺杂牺牲层的多层底部掺杂区域。通过去除掺杂牺牲层的一部分来形成一个或多个空腔。在多层底部掺杂区上方形成底部接触件。底部接触件包括一个或多个填充空腔的导电凸缘。
vfet 底部接触电阻降低

[发明专利]通过准概率分解的容错T门-CN202180076616.5在审
发明人： C·毕维托;D·苏特;P·泰姆;S·布拉维;J·甘贝塔;S·沃尔纳 -专利权人： 国际商业机器公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G06N10/70 文献下载
摘要：使用准概率分解方法，将量子误差校正和量子误差减轻相结合的技术被用于以低采样开销模拟容错T门。在一些实施例中，可使用两个逻辑位和减少对魔幻态提取的需要且因此具有低取样开销的魔幻态准备来模拟T门。或者，可基于对表面码执行的码变形来模拟T门。基于学习的逻辑错误率使用准概率分解从T门去除噪声。
通过概率分解容错

[发明专利]电阻式开关存储单元-CN202180077627.5在审
发明人： P·埃杜苏米利;安藤崇志;R·维加;池澄 -专利权人： 国际商业机器公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：提供了一种电阻随机存取存储器(ReRAM)器件。该ReRAM器件(100)包括堆叠结构，该堆叠结构包括第一电极(126)、与第一电极接触的金属氧化物层(128)、以及与金属氧化物(128)层接触的第二电极(130)。通过离子注入来修改堆叠结构的一部分，并且堆叠结构的修改部分从堆叠结构的边缘偏移。
电阻开关存储单元

[发明专利]减少负载平衡工作窃取-CN202180078101.9在审
发明人：堀江伦大;绪方一则;竹内干雄 -专利权人： 国际商业机器公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G06F9/46 文献下载
摘要：提供了一种方法，该方法包括确定盗取方线程尝试了从垃圾收集(GC)所有方队列窃取工作。此外，该方法包括确定GC所有方队列中的任务数目满足预定阈值。此外，该方法包括确定GC所有方队列包括重量级任务。该方法还包括将所述重量级任务移动到所述GC所有方队列的顶部位置。
减少负载平衡工作窃取

[发明专利]集成非易失性存储器电极薄膜电阻器盖和蚀刻停止件-CN202180078557.5在审
发明人： K·W·布雷弗;安藤崇志;M·里佐罗;L·A·克莱文杰 -专利权人： 国际商业机器公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种非易失性存储单元包括串联、并且在顶部状态影响电极和顶部导线之间的薄膜电阻器(TFR)。TFR限制或通常减小来自顶部导线的顶部状态影响电极处的电流。这样，可以提高非易失性存储器单元耐久性，并且可以限制对与非易失性存储器单元相邻的(一个或多个)部件的不利影响。当形成与顶部导线的制造相关联的顶部导线沟槽时，TFR被附加的利用为蚀刻停止件。在需要单元对称性的一些非易失性存储器单元中，可以在底部导线与底部状态影响电极之间形成附加TFR。
集成非易失性存储器电极薄膜电阻器蚀刻停止

[发明专利]识别用于在硬件加速器上执行的控制序列中的依赖性-CN202180076666.3在审
发明人： S·里德;M·肖尔 -专利权人： 国际商业机器公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G06F9/44 文献下载
摘要：提供了用于识别控制序列中的依赖性的计算机实施的方法、系统和计算机程序产品。该计算机实现的方法包括：接收包括第一错误依赖性(EDEP)等级的控制块；维持第一EDEP等级；以及确定所接收的控制块是否被成功执行。实施例还包括：接收包括第二EDEP等级的后续控制块；比较第一EDEP等级和第二EDEP等级；以及至少部分地基于所接收的控制块的成功执行并且基于第二EDEP等级小于或等于第一EDEP等级来提供后续控制块以供执行。
识别用于硬件加速器执行控制序列中的依赖性

[发明专利]电力线地理校正-CN202180076752.4在审
发明人：初琳淞;M·斯里瓦特萨;R·K·甘蒂 -专利权人： 国际商业机器公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G01S17/89 文献下载
摘要：本发明的各方面包括从点云数据和描述电力线的原始位置的参考数据生成组合光栅图像。从组合光栅图像选择描述电力线的更新位置的候选像素集合，其中所述选择至少部分地基于组合光栅图像中描述原始位置的像素的位置。检测来自候选像素集合的描述电力线的更新位置的像素。修改组合光栅图像以反映电力线的更新位置。
电力线地理校正

[发明专利]计算资源漏洞的基于上下文的风险评估-CN202180071018.9在审
发明人： A·坎苏;M·F·布卢特;黄珍镐;S·纳德戈达 -专利权人： 国际商业机器公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H04L9/40 文献下载
摘要：一种计算机实现的方法可以包括：使用处理器查验分别与荚相关联的一组容器图像；使用处理器标识包含漏洞的荚的第一子集；使用处理器将荚的第一子集分类为初级感染荚；使用处理器生成其中初级感染荚部署在网络内的名称空间的第一列表；使用处理器检查与名称空间的第一列表相关的网络策略，以确定有能力与初级感染荚通信的次级可疑荚；使用处理器生成其中次级可疑荚部署在网络内的次级可疑名称空间的列表；使用处理器标识与一个或多个初级感染荚通信的一个或多个次级可疑荚；以及使用处理器生成次级感染荚的列表。
计算资源漏洞基于上下文风险评估

[发明专利]同态加密数据的安全重加密-CN202180075554.6在审
发明人： N·K·拉塔;K·南达库马尔;S·潘坎蒂 -专利权人： 国际商业机器公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H04L9/00 文献下载
摘要：安全地重新加密同态加密数据，通过接收来自客户端设备的完全同态加密(FHE)信息，使用FHE信息训练机器学习模型，产生FHE密文，将第一变换应用于FHE密文，产生混淆的FHE密文，将混淆的FHE密文发送到安全设备，从安全设备接收混淆的FHE密文的重加密版本，将第二变换应用于混淆的FHE密文的重加密版本，产生去混淆的重加密FHE密文，根据去混淆的重加密密文确定FHE ML模型参数，并将FHE ML模型参数发送给客户端设备。
同态加密数据安全

[发明专利]电阻式开关存储单元-CN202180077623.7在审
发明人：安藤崇志;P·埃杜苏米利;R·维加;池澄 -专利权人： 国际商业机器公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：提供了一种电阻式随机存取存储器(ReRAM)器件。该ReRAM器件包括第一电极、与第一电极接触的第一电阻结构、与第一电阻结构接触的介电层、以及与介电层接触的第二电阻结构。第二电阻结构包括电阻材料层和高功函数金属芯。ReRAM器件还包括与第二电阻结构接触的第二电极。
电阻开关存储单元

[发明专利]阻燃聚二酮烯胺-CN202180077692.8在审
发明人： B·M·科比尔卡;J·T·沃茨;S·K·恰普列夫斯基-坎贝尔;E·J·坎贝尔 -专利权人： 国际商业机器公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C08G12/00 文献下载
摘要：公开了组合物、方法和制品。该组合物是通过使单体聚合而形成的，并且包括至少一种阻燃双(三酮)单体和至少一种胺单体。所述方法包括获得至少一种阻燃双(三酮)单体，获得至少一种胺单体，和使所述单体聚合以形成阻燃聚二酮烯胺。所述制品包括通过使至少一种阻燃双(三酮)单体和至少一种胺单体聚合而形成的聚合物。
阻燃聚二酮烯胺

[发明专利]一种MRAM的外部磁底触点结构-CN202180077864.1在审
发明人： S·扎雷;M·里佐洛;V·V·梅塔;E·R·埃瓦茨;T·斯坦达尔特 -专利权人： 国际商业机器公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：一种装置，包括：磁性隧道结(MTJ)；扩散势垒，其中，所述MTJ位于所述扩散势垒上；以及底部触点，所述底部触点包括磁场生成部件，其中，所述扩散势垒位于所述底部触点的顶部，其中，由所述磁场生成部件所生成的磁场影响所述MTJ的稳定性。
一种 mram 外部触点结构