专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]石墨烯异质结线栅偏振器-CN202310244945.7在审
  • 祁晋林;周旭;唐志列 - 华南师范大学
  • 2023-03-14 - 2023-07-21 - G02B5/30
  • 本发明涉及一种石墨烯异质结线栅偏振器,包括基底和设于所述基底上的石墨烯异质结线栅,所述石墨烯异质结线栅包括多个间隔且相互平行的线栅单元;每个线栅单元是由第一石墨烯薄膜、介电薄膜和第二石墨烯薄膜组成的异质结,其中所述第一石墨烯薄膜设于所述基底表面上,所述第二石墨烯薄膜设于第一石墨烯薄膜上,所述介电薄膜夹在所述第一石墨烯薄膜与第二石墨烯薄膜之间。本发明的所述石墨烯异质结线栅偏振器工作在可见光到近中红外波段工作波段宽,并且出射的偏振光的偏振态可调。
  • 石墨烯异质结线栅偏振
  • [发明专利]基于级联编码的光无线通信方法、系统及存储介质-CN202310216479.1在审
  • 唐志列;蔡东诚;穆丽伟 - 华南师范大学
  • 2023-03-07 - 2023-07-04 - H04B10/116
  • 本发明公开了一种基于级联编码的光无线通信方法、系统及存储介质,应用于通信技术领域,能够有效降低光无线通信的误码率,提高通信可靠性。该方法包括:将待传输数据进行预设外码编码,得到外码编码数据;预设外码编码包括多元Zipper码编码;根据外码编码数据进行预设内码编码,得到内码编码数据;预设内码编码包括BCH码编码;将内码编码数据输入光无线通信信道进行传输;在光无线通信信道的接收端获取相应的接收数据;当接收到接收数据,对接收数据进行预设内码解码,得到内码解码数据;预设内码解码与预设内码编码相对应;对内码解码数据进行预设外码解码,得到目标传输数据;预设外码解码与预设外码编码相对应。
  • 基于级联编码无线通信方法系统存储介质
  • [发明专利]石墨烯微纳光纤偏振器-CN202210512291.7有效
  • 周旭;邓庆颜;徐小志;唐志列 - 华南师范大学
  • 2022-05-11 - 2023-06-16 - G02B6/02
  • 本发明公开了石墨烯微纳光纤偏振器,涉及光电子技术领域。石墨烯微纳光纤偏振器,包括微纳光纤,所述微纳光纤内设置有实心的二氧化硅纤芯,所述微纳光纤内开设有若干空气孔,所述空气孔包括圆形空气孔和矩形空气孔,所述矩形空气孔内设置有石墨烯薄膜;所述空气孔环绕在二氧化硅纤芯周围并呈周期分布,形成一个等效的光纤包层;本发明提供了一种石墨烯微纳光纤偏振器,通过改变微纳光纤中空气孔的形状,使得微纳光纤在横向和纵向上的结构不对称,从而提高其双折射效应;同时在改变了形状的空气孔中设置石墨烯,以实现一种高双折射、高消光比、不破坏光纤结构、不破坏光原本传输模式、宽工作波段、易集成的高效偏振器。
  • 石墨烯微纳光纤偏振
  • [发明专利]一种在绝缘衬底上制备石墨烯的方法-CN202110818216.9有效
  • 徐小志;王然;曾凡凯;唐志列 - 华南师范大学
  • 2021-07-20 - 2022-11-15 - C01B32/186
  • 本发明公开了一种在绝缘衬底上制备石墨烯的方法,包括以下步骤:S1:将金属衬底置于绝缘衬底上,加热并通入生长碳源和氢气,形成从下至上依次为绝缘衬底层、第一石墨烯层、金属衬底层和第二石墨烯层的四层结构产物;S2:对步骤S1的所述四层结构产物进行加热,使所述金属衬底层软化;S3:将步骤S2的产物浸入酸性溶液中,去除软化的所述金属衬底层,得到绝缘衬底/石墨烯结构的产物。本发明的制备方法工艺简单、成本低廉,且制得的绝缘衬底上的石墨烯产物质量高。
  • 一种绝缘衬底制备石墨方法
  • [发明专利]一种制备双层单晶石墨烯的方法-CN202110215730.3有效
  • 徐小志;梁智华;曾凡凯;王然;唐志列 - 华南师范大学
  • 2021-02-26 - 2022-08-30 - C30B29/02
  • 本发明涉及一种制备双层单晶石墨烯的方法,该方法包括如下步骤:1)将含碳类化合物和铜箔放置于刚玉盒中,再将所述刚玉盒放置于气相沉积炉中;2)往所述气相沉积炉内通入氩气和氢气,将所述气相沉积炉加热至高温1030‑1045℃;3)保持所述气相沉积炉的温度,增大氢气的通入量,将所述铜箔退火;4)往所述气相沉积炉内通入甲烷,减小氢气的通入量,开始双层单晶石墨烯在所述铜箔上的生长过程;5)双层单晶石墨烯生长完毕后,停止通入甲烷,使所述气相沉积炉在氢气和氩气的氛围下自然冷却到室温。本发明的方法通过简单方便的方式优化双层石墨烯的生长,生长出质量高的双层单晶石墨烯,该方法具有步骤简单、制备条件易于控制的优点。
  • 一种制备双层晶石方法
  • [发明专利]一种制备大单晶过渡金属硫族化合物的方法-CN202110216125.8有效
  • 崔国梁;张晓闻;唐志列;王恩科;徐小志 - 华南师范大学
  • 2021-02-26 - 2022-08-30 - C30B29/46
  • 本发明涉及一种制备大单晶过渡金属硫族化合物的方法,该方法包括如下步骤:将装有三氧化钼粉末的带盖石墨盒、衬底和硫粉放置于气相沉积管式炉中加热进行反应,得到生长在所述衬底上的二硫化钼;其中,所述带盖石墨盒中,顶部的盖子开设有通孔,其余部分密闭;所述衬底置于所述带盖石墨盒外并位于所述通孔的正上方;所述三氧化钼粉末置于所述带盖石墨盒内并位于所述通孔的正下方;所述硫粉位于所述带盖石墨盒外;所述硫粉放置于所述气相沉积管式炉中的上游处,所述带盖石墨盒、三氧化钼粉末和衬底放置于所述气相沉积管式炉中的下游处。本发明所述方法可以制得尺寸大的单晶过渡金属硫族化合物。
  • 一种制备大单晶过渡金属化合物方法
  • [发明专利]一种基于带孔光纤结构的声传感器-CN202210447868.0在审
  • 周旭;梁志炜;徐小志;唐志列 - 华南师范大学
  • 2022-04-26 - 2022-07-29 - G01H9/00
  • 本发明公开了一种基于带孔光纤结构的声传感器,属于光纤声传感器技术领域。一种基于带孔光纤结构的声传感器,包括光纤,所述光纤上设置有光纤光栅a和光纤光栅b,在所述光纤侧面开设横向孔得到带孔光纤,所述横向孔设置于光纤光栅a和光纤光栅b之间;所述带孔光纤包括包层和纤芯,所述纤芯设置在包层内部;现有技术中的光纤声传感器主要通过声波对膜、光纤和光栅等结构上的作用改变实现声光信号的转变,由于结构上的限制,灵敏度和频率响应会大大降低,难以实现大带宽和大动态范围,本发明涉及的光纤声传感器原理与传统的声传感器有所不同,其不需要声波对结构的作用,直接让声场和传输光进行耦合,从根本上解决了上述问题。
  • 一种基于光纤结构传感器
  • [发明专利]一种基于石墨烯微纳光纤的可调制光纤偏振器-CN202210512259.9在审
  • 周旭;邓庆颜;徐小志;唐志列 - 华南师范大学
  • 2022-05-11 - 2022-07-29 - G02F1/01
  • 本发明公开了一种基于石墨烯微纳光纤的可调制光纤偏振器,涉及光电子技术领域。一种基于石墨烯微纳光纤的可调制光纤偏振器,包括微纳光纤,所述微纳光纤内设置有实心的二氧化硅纤芯,所述微纳光纤内开设有若干空气孔,所述空气孔包括圆形空气孔和矩形空气孔,所述矩形空气孔内设置有异质结;所述异质结设置在矩形空气孔的两条对边处;所述异质结由氮化硼薄膜和石墨烯薄膜组成,所述石墨烯薄膜和氮化硼薄膜间隔设置;所述石墨烯薄膜和氮化硼薄膜的厚度为1‑2000层不等;本发明的目的是提供一种基于石墨烯的电光可调制性质,通过对石墨烯微纳光纤偏振器空气孔内的异质结施加不同的电压,从而调节偏振吸收效果的可调制光纤偏振器。
  • 一种基于石墨烯微纳光纤调制偏振
  • [发明专利]一种基于偏振态层析的光学成像系统和方法-CN202210295693.6在审
  • 唐志列;杨婷婷;林嘉怡;任汉宏 - 华南师范大学
  • 2022-03-24 - 2022-07-05 - G01N21/23
  • 本发明涉及一种基于偏振态层析的光学成像系统,其包括偏振光发生装置、偏振态相干调制装置和偏振态测量装置,其中,偏振态相干调制装置包括偏振分束器、参考臂和样品臂;偏振光发生装置生成入射线偏振光,入射线偏振光在偏振分束器分光形成偏振方向相互垂直的入射参考光和入射样品光;入射参考光进入参考臂发生反射形成反射参考光,入射样品光进入样品臂发生反射形成反射样品光,反射参考光和反射样品光的偏振方向相互垂直;反射参考光和反射样品光在偏振分束器汇聚并相干合成,形成合成光;偏振态测量装置测量合成光的偏振信息,获得偏振光强图像。本发明所述的基于偏振态层析的光学成像系统具有准确性高、可实时测量的优点。
  • 一种基于偏振层析光学成像系统方法
  • [发明专利]一种穆勒矩阵检测装置的校准方法-CN202110564306.X有效
  • 唐志列;付瑶;陈振华 - 华南师范大学
  • 2021-05-24 - 2022-04-15 - G01N21/21
  • 本发明公开了一种穆勒矩阵检测装置的校准方法,包括以下步骤:S1建立入射光分别倾斜射入至穆勒矩阵检测装置的第一波片和第二波片表面时的相位延迟扰动理论模型,以建立光强值与误差项的关系模型;S2用所述穆勒矩阵检测装置测量标准样品的光强值I;S3将步骤S2获得的所述标准样品的光强值I和已知的所述标准样品的穆勒矩阵式Msample代入方程组;S4通过数值校准法求解光强值与误差项的关系模型中的所有误差x1、x2、x3、x4、x5、x6、x7、x8和x9的值;S5根据步骤S4求解得出的所有误差的值,对所述穆勒矩阵检测装置原仪器矩阵F进行校准,重新建构校准仪器矩阵F’。本发明的校准方法具有操作简单,方便可靠,测量速度快,精度高等特点。
  • 一种穆勒矩阵检测装置校准方法

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