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- [发明专利]半导体器件的制造方法-CN202311184376.8在审
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和巍巍;汪之涵;温正欣
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深圳基本半导体有限公司
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2023-09-14
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2023-10-24
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H01L21/768
- 本申请实施例涉及半导体技术领域，并提供一种半导体器件的制造方法。所述半导体器件的制造方法包括提供包括半导体衬底、栅极结构和刻蚀停止层的叠层；于所述刻蚀停止层的远离所述半导体衬底的一侧形成多个介电层，于所述多个介电层的远离所述半导体衬底的一侧形成图案化的光刻胶层；以所述图案化的光刻胶层为掩膜，多次干法刻蚀所述多个介电层，以形成暴露所述刻蚀停止层的开孔；利用氧气处理所述开孔的内壁，以去除形成所述开孔的过程中形成在所述开孔内的反应产物；以及干法刻蚀所述开孔内的所述刻蚀停止层，形成所述刻蚀停止层的损失，进而得到接触孔。
- 半导体器件制造方法
- [实用新型]功率模块-CN202320431555.6有效
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丁宇鹏;和巍巍;周福鸣;汪之涵
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深圳基本半导体有限公司
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2023-02-28
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2023-10-13
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H01L23/473
- 本实用新型涉及半导体设备技术领域，具体是涉及功率模块，包括：散热组件以及功率组件，所述散热组件贴设在所述功率组件的底部，所述散热组件一体成型，所述散热组件内部具有腔体，所述散热组件的两侧分别设有进液口以及出液口，所述进液口和所述出液口分别与所述腔体连通，所述腔体内部设有多个散热针翅，所述腔体靠近所述进液口设有用于引导冷却液从所述进液口均匀分流至所述腔体的第一导流槽，所述腔体靠近所述出液口设有用于引导所述冷却液从所述腔体汇流至所述出液口的第二导流槽。本实用新型使得冷却液由进液口进入后可以均匀地通过整个腔体，从而达到对功率模块所有芯片的均匀散热效果；散热针翅也进一步提高了提高散热效果。
- 功率模块
- [发明专利]一种TEC封装结构及电路结构-CN202311069243.6在审
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丁宇鹏;和巍巍;汪之涵
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深圳基本半导体有限公司
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2023-08-24
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2023-09-15
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H10N19/00
- 本申请公开了一种TEC封装结构及电路结构，其中封装结构包括第一TEC制冷器，第二TEC制冷器，以及设置在所述第一TEC制冷器和所述第二TEC制冷器之间的导热绝缘层、覆铜区和半导体芯片；所述第一TEC制冷器的制冷侧与所述导热绝缘层相贴合，所述第一TEC制冷器的侧壁设置有TEC制冷端子；所述第二TEC制冷器的制热侧与所述半导体芯片相贴合，所述第二TEC制冷器的制冷侧设置有TEC制热端子；所述覆铜区的顶部设置有信号端子，所述信号端子与所述覆铜区的接触端设置有贴片式热电偶，所述信号端子、所述TEC制冷端子和所述TEC制热端子的另一端均与温度控制单元连接，从而突破了传统液冷散热模式所带来的散热瓶颈，实现了对半导体芯片的精准散热。
- 一种tec封装结构电路
- [发明专利]门级驱动电路、芯片及电子设备-CN202310908144.6在审
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和巍巍;胡春林
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深圳基本半导体有限公司
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2023-07-24
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2023-08-25
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H03K17/687
- 本申请公开了一种门级驱动电路、芯片及电子设备，所述门级驱动电路包括：电压检测模块，用于检测MOSFET的漏极和源极之间的漏源电压，根据漏源电压生成第一电平信号；脉冲产生模块，用于接收第一脉冲信号和第一电平信号，根据第一电平信号和第一脉冲信号生成第二脉冲信号、第三脉冲信号和第四脉冲信号；第一控制模块，用于根据第二脉冲信号生成门级开通电流以控制MOSFET导通；根据第三脉冲信号生成第一门级关断电流以控制MOSFET截止；第二控制模块，用于根据第四脉冲信号生成第二门级关断电流以控制MOSFET截止，第二门级关断电流小于第一门级关断电流。本申请仅通过两个门级关断电流关断MOSFET，电路结构简单，大幅度减小了MOSFET的关断延迟，能快速抑制MOSFET的电压尖峰。
- 驱动电路芯片电子设备
- [发明专利]探头相位误差确定装置及方法-CN202310914681.1在审
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和巍巍;黄健聪
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深圳基本半导体有限公司
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2023-07-25
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2023-08-22
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G01R35/00
- 本发明公开了一种探头相位误差确定装置及方法，所述探头相位误差确定装置包括：信号放大模块，用于在接收到目标信号时，放大所述目标信号得到第一目标信号，并输出所述第一目标信号；相位输出模块，用于输入所述第一目标信号，调整所述第一目标信号的电压相位和电流相位至同相，并输出同相的所述第一目标信号的第一电流相位和第一电压相位；探头相位误差确定模块，用于输入探头探测的第一电流相位和第一电压相位，确定探测得到的所述第一电流相位和所述第一电压相位的相位差，其中，所述相位差为所述探头的相位误差。利用本发明公开的探头相位误差确定装置，可以确定用于探测高压、大电流的探头的相位误差。
- 探头相位误差确定装置方法
- [实用新型]一种压接销-CN202122180783.4有效
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唐宏浩;和巍巍;汪之涵;郑泽东;陈霏
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深圳基本半导体有限公司
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2021-09-09
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2023-05-12
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H01R13/05
- 本实用新型提供的压接销，应用于功率模块与驱动的电气连接，功率模块包括封装基板，驱动包括驱动PCB板，压接销一端与封装基板连接，压接销另一端穿过驱动PCB板孔与驱动PCB板连接，压接销包括压接销本体、销头和底座套筒，销头与底座套筒相对设置于压接销本体两端，销头开设有销眼；其中，销头包括销针头以及外沿部，销针头与压接销本体一体式成型，外沿部设置于销针头靠近压接销本体的一端，且设置于销针头周侧，销针头与外沿部远离压接销本体一侧的连接处的宽度自外沿部朝销针头逐渐收窄。通过巧妙的压接销外型设计实现与功率模块与驱动的电气连接，提高压接销与驱动PCB板接连时稳定性和可靠性。
- 一种压接销
- [发明专利]一种减少碳化硅离子注入损伤的方法-CN202211626174.X在审
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张良关;和巍巍
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深圳基本半导体有限公司
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2022-12-15
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2023-05-02
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H01L21/04
- 本发明公开了一种减少碳化硅离子注入损伤的方法，包括：S1、在碳化硅衬底上沉积一层耐高温材料膜，并在上述膜上涂一层光刻胶；S2、通过曝光显影得到所需图形，并将光刻胶做掩膜，用等离子刻蚀将图形转移到耐高温材料膜上；S3、去除残余的光刻胶，并将刻蚀后的耐高温材料膜作为注入掩膜进行高温离子注入；S4、去除刻蚀后的耐高温材料膜并去除碳化硅表面杂质，对碳化硅表面进行等离子体刻蚀；S5、对刻蚀后的碳化硅表面进行清洗、退火，得到碳化硅器件。本发明利用等离子体腐蚀耐高温材料膜而不会腐蚀碳化硅的特点，减少了碳化硅表面损伤，还能够减少退火难度，提升碳化硅器件的电学性能，适用于高性能碳化硅器件的大规模生产制造。
- 一种减少碳化硅离子注入损伤方法
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