专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种TVS过压保护器件-CN202110601328.9有效
  • 周伟伟;欧阳炜霞;高良通;周懿冉;邓珂;杨许亮;陈赵泷 - 上海维攀微电子有限公司
  • 2021-05-31 - 2023-07-14 - H01L29/861
  • 本发明公开一种TVS过压保护器件,包矩形塑壳,矩形塑壳内部形成安装腔,安装腔内设有芯片组,芯片组的上端以及下端分别焊接有上铜粒以及下铜粒,上铜粒的上表面焊接有连接架,安装腔内设有围绕芯片组与上铜粒以及下铜粒的组合体设置的导热壳,矩形塑壳的侧壁上具有若干通孔,通孔内匹配设有导热柱,导热柱与导热壳连接,矩形塑壳内设有灌封胶,灌封胶将芯片组、上铜粒、下铜粒、连接架、导热壳以及导热柱固定于矩形塑壳内,在塑壳内通过灌封胶固定设有导热壳以及导热柱,导热壳收集TVS芯片散发出的热量,并通过若干导热柱将热量导出塑壳散发到空气中,加快了TVS芯片工作时产生的热量的散发,降低了TVS芯片工作环境的温度,提高了适用寿命。
  • 一种tvs保护器件
  • [发明专利]防腐蚀型岸电插座-CN202310371283.X在审
  • 李大江;周伟伟;薛宏武;王玮;曹辉;朱泉鹏;谭继乐;陈翔;晏铭谦;唐风华 - 中船绿洲天康(南京)电气科技有限责任公司
  • 2023-04-10 - 2023-07-07 - H01R13/52
  • 本发明提供防腐蚀型岸电插座,包括支撑板,所述支撑板顶面固定有可伸展的隔挡组件,所述支撑板底面连接有底撑组件,所述底撑组件顶面连接有定向组件,所述定向组件内部插件有支撑柱,所述支撑柱顶端套接有收展式的插防组件,所述插防组件设置于隔挡组件底部。本发明通过上封盒和下封盒配合插接在一起形成可展开的封闭盒体,将插座本体封闭在盒体内部,能够在不使用插座本体时进行封闭保护,而在使用插座本体时,通过启动气动杆推动上封盒上升与下封盒分离,将插座本体展出使用,从而避免了插座本体受到港口、海岸的雨水以及空气中水分长期的腐蚀作用,提高了岸电插座的安全性和使用寿命。
  • 腐蚀型岸电插座
  • [发明专利]一种基于SiC、MOSFET的大容量半桥功率模块制作工艺-CN202310243886.1在审
  • 周伟伟;张志 - 无锡维矽半导体科技有限公司
  • 2023-03-14 - 2023-07-04 - H01L21/56
  • 本发明公开了一种基于SiC、MOSFET的大容量半桥功率模块制作工艺,涉及半导体制作技术领域,该基于SiC、MOSFET的大容量半桥功率模块制作工艺主要包括以下几个步骤:S1、投放下盖板:将大容量半桥功率模块的下盖板投放在循环间歇转动的每一个模具壳内;S2、模具壳间歇转动:模具壳通过间歇循环转动的链条带动每一个模具壳循环转动,带动投放在每一个模具壳内的下盖板循环转动;S3、上盖板备料:将若干个上盖板整齐投放在其中一个供料组件上。本发明将准备好的上盖板以及芯片通过对应有供料组件实时将物料提供到吸盘可以拾取的位置,通过两个供料组件平行设置在间歇转动的模具壳左侧,利用两个吸盘分别吸取两个供料组件上的上盖板以及芯片,实现同步拾取。
  • 一种基于sicmosfet容量功率模块制作工艺
  • [实用新型]一种流体阀门表面处理设备-CN202320837853.5有效
  • 周如伟;吴春英;周伟伟 - 湖州贝德流体设备有限公司
  • 2023-04-07 - 2023-07-04 - B24B15/04
  • 本实用新型涉及表面处理设备技术领域,具体涉及一种流体阀门表面处理设备,包括设备主体,所述设备主体的底部设置有两组支撑件,两组所述支撑件通过升降机构与支撑座进行连接,所述支撑座的下方设置有夹持板,所述支撑座的两端均通过连接件与夹持板进行连接,所述支撑座的上方设置有旋钮,所述旋钮通过调节杆与支撑座和夹持板进行连接,所述夹持板和支撑座的相对面均设置有橡胶垫,与现有阀门专用表面处理设备相比较,本实用通过设计提高了现有阀门专用表面处理设备的便捷性、调节性以及实用性。
  • 一种流体阀门表面处理设备
  • [发明专利]天然气发动机混合器-CN201710535373.2有效
  • 白林坡;李洪奎;席时文;周伟伟;李亮 - 潍柴西港新能源动力有限公司
  • 2017-07-04 - 2023-06-20 - F02M21/04
  • 本发明公开了一种天然气发动机混合器,包括混合器体,混合器体的一端设置有空气进口,混合器体的另一端设置有混合气出口,混合器体的侧部设置有天然气进口;空气进口端的混合器体内安装有混合器芯,混合器体内设置有多个穿过混合器芯并连通天然气进口和混合气出口的混合腔,混合器芯与混合器体之间设置有环混合腔分布的天然气喷射腔,混合器芯上设置有多个环混合腔分布的燃气喷射口;混合器体内设置有连通天然气进口和天然气喷射腔的环形腔;混合气出口端的混合器体内固定安装有导流锥,混合器体的混合气出口端设置有环导流锥的撞击环;本发明提高了燃气和新鲜空气的混合均匀性,最大喷射距离短,增强了混合的均匀性。
  • 天然气发动机混合器
  • [实用新型]天线组件和电子设备-CN202320352602.8有效
  • 周伟伟 - 北京小米移动软件有限公司
  • 2023-02-20 - 2023-06-20 - H01Q3/36
  • 本公开涉及一种天线组件和电子设备,该天线组件包括天线辐射体、馈源、接地点和设置在天线辐射体上的第一馈电点和第二馈电点,还包括:相位变换电路,该相位变换电路的第一端与馈源连接,该相位变换电路的第二端与所述第一馈电点连接;调频电路,馈源与第二馈电点连接,调频电路的第一端与馈源和第二馈电点连接,该调频电路的第二端与接地点连接。能够通过相位变换电路将该天线组件的馈电方式在共模信号馈电和差模信号馈电之间切换,增加天线覆盖频段,同时,天线覆盖的各个频段均是通过本征模实现,能够使天线覆盖的每个频段均保证优良的辐射效率,且调频电路能够进一步增加天线覆盖的频段,实现频段的全覆盖。
  • 天线组件电子设备
  • [实用新型]一种食品检测混合设备-CN202223014279.8有效
  • 周伟伟 - 宿州市市场监管综合行政执法支队
  • 2022-11-11 - 2023-06-16 - G01N1/38
  • 本实用新型涉及食品检测设备技术领域,尤其是一种食品检测混合设备,包括手提箱、反应管组件,所述手提箱具有开关门,所述手提箱内安装有蓄电池、与蓄电池电连接的旋转电机,所述反应管组件包括切割搅拌辊,所述切割搅拌辊与所述旋转电机的动力输出轴传动连接,且所述切割搅拌辊与所述旋转电机的动力输出轴可拆卸安装,所述反应管组件为一次性设备。本装置体积小,方便携带,反应管组件采用一次性设计,不需要每使用一次就清洗一次该设备,方便工作人员使用,由于不需要送检,节约大量时间。
  • 一种食品检测混合设备
  • [发明专利]一种TVS二极管生产工艺-CN202310234891.6在审
  • 周伟伟 - 无锡维矽半导体科技有限公司
  • 2023-03-13 - 2023-06-09 - H01L21/66
  • 本发明提供一种TVS二极管生产工艺,涉及TVS二极管生产技术领域,包括:材料预备,所述材料预备是对TVS二极管生产所需求材料进行提前准备的步骤;预处理,所述预处理是对所准备材料进行预处理的步骤。本发明,通过设计预处理,将存在受损现象的原材料与完好的原材料进行分离,使原材料具有良好的筛分措施,利用修整仪器对受损的原材料进行修整,使受损的原材料具有良好的修整措施,降低原材料出现浪费现象的概率,提高受损原材料的缺陷修整措施,避免造成存在受损现象的原材料加入TVS二极管生产工序中,降低TVS二极管产品因选择的单晶硅片存在受损现象而造成质量品质受影响现象的概率,提高TVS二极管利用单晶硅片生产的质量效果。
  • 一种tvs二极管生产工艺
  • [发明专利]一种一体式MOS管制作工艺-CN202310243696.X在审
  • 周伟伟;韩石磊 - 南京维攀微电子有限公司
  • 2023-03-14 - 2023-06-06 - H01L21/336
  • 本发明提供一种一体式MOS管制作工艺,涉及MOS管技术领域,包括S1、衬底选择处理工序,选择合适尺寸的衬底,并对衬底进行预处理;S2、保护膜制作工序,将PN结置于高温中进行氧化反应,PN结的外表面与氧气反应形成保护膜。本发明,通过黑白硅胶对MOS管芯进行压膜处理,由于MOS管芯的辨识性,进行黑白硅胶压膜处理时,能够清楚地观察到MOS管芯的正负极,然后通过不同颜色的硅胶进行附着,黑白硅胶附着之后的MOS管能够清晰地辨别正负极,提高蒸发箱内部的氧气含量,同时通过高温大大增加PN结与氧气之间的反应速率,减少工艺所需时间,同时通过提高蒸发箱内部的氧气含量,能够使PN结的外表面发生氧化反应时更加稳定和均匀,进而提高PN结的制作速率。
  • 一种体式mos制作工艺

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