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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN201310173326.X有效
发明人：仙波昌平;吹野康彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供基板处理方法和基板处理装置，能够缩短在使用多种处理气体对基板连续地实施多个处理时所需要的时间。在具有腔室（11）和向该腔室导入处理气体的处理气体导入管路（12）的导入管（19）的基板处理装置（10）中，在对自上方以第1层、第2层以及第3层的顺序层叠有第1层、第2层以及第3层的基板（S）连续地实施蚀刻处理时，在蚀刻第1层后，使置换气体流入到导入管中而将残留在导入管、腔室中的第1蚀刻气体挤出而排出，在蚀刻第2层后，使置换气体流入到导入管中而将残留在导入管、腔室中的第2蚀刻气体挤出而排出，在蚀刻第3层后，使置换气体流入到导入管中而将残留在导入管、腔室的第3蚀刻气体挤出而排出。
处理方法装置

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN201310616729.7有效
发明人： 吹野康彦;丸山智久 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供能够不使用整流壁或自由基消耗量多的牺牲件，而使被处理基板的周边部的反应性降低以进行均匀的等离子体处理的等离子体处理装置。本发明的等离子体处理装置具备用于收容基板（G）、对该基板（G）实施等离子体处理的处理容器（2）；在处理容器（2）内载置基板（G）的基板载置台（4）；对处理容器内供给处理气体的处理气体供给机构（20、28）；对处理容器（2）内进行排气的排气机构（30）；作为在处理容器（2）内生成处理气体的等离子体的等离子体源的高频电源（14a）；和向基板载置台（4）上的基板（G）的周边部供给捕获气体的捕获气体供给机构（16、19），该捕获气体捕获等离子体中的活性种。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体蚀刻方法-CN201010277910.6有效
发明人： 吹野康彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-09-03 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种能够进行良好的形状控制并且能够以高速进行氮化硅膜的蚀刻的等离子体蚀刻方法。在对具备在自上而下开口面积逐渐减小的开口部的抗蚀剂图案的下层侧形成的被处理基板(S)上的氮化硅膜进行等离子体蚀刻时，包括将被处理基板(S)搬入处理容器(20)内的工序；和向处理容器(20)内供给六氟化硫和氧的混合气体，在133Pa以上、200Pa以下的范围内的压力氛围下进行等离子体化，对上述氮化硅膜进行蚀刻的工序。
等离子体蚀刻方法

[发明专利]半导体装置的制造方法和制造装置-CN201010165751.0无效
发明人：丸山智久;出道仁彦;吹野康彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-07-27 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，在包括对金属膜进行湿式蚀刻的工序和随后对该金属膜进行干式蚀刻的工序的情况下，能够减轻因在湿式蚀刻工序中在金属膜上形成的变质层的残渣引起的对后续工序带来的恶性影响以及对设备特性带来的恶性影响，从而能够稳定地制造质量优良的半导体装置。对金属膜(106)进行湿式蚀刻之后，对n+a-Si膜(105)、a-Si膜(104)进行干式蚀刻。接着，对形成为台阶状的抗蚀剂掩模(107)进行灰化至途中，然后进行除去变质层(108)的变质层除去工序。此后，对金属膜(106)等进行干式蚀刻。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法和制造装置、计算机存储介质以及存储有处理方案的存储介质-CN200710139703.2有效
发明人：丸山智久;出道仁彦;吹野康彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-07-27 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，在包括对金属膜进行湿式蚀刻的工序和随后对该金属膜进行干式蚀刻的工序的情况下，能够减轻因在湿式蚀刻工序中在金属膜上形成的变质层的残渣引起的对后续工序带来的恶性影响以及对设备特性带来的恶性影响，从而能够稳定地制造质量优良的半导体装置。对金属膜(106)进行湿式蚀刻之后，对n+a－Si膜(105)、a－Si膜(104)进行干式蚀刻。接着，对形成为台阶状的抗蚀剂掩模(107)进行灰化至途中，然后进行除去变质层(108)的变质层除去工序。此后，对金属膜(106)等进行干式蚀刻。
半导体装置制造方法计算机存储介质以及处理方案

[发明专利]等离子体蚀刻方法和半导体装置的制造方法-CN200610146815.6有效
发明人：谷口谦介;吹野康彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-11-24 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻方法，该方法即使在处理大型玻璃基板的情况下，也能够得到氮化硅膜相对于含有高熔点金属材料的源极－漏极电极的充分的蚀刻选择比。通过使用含有CF₄和O₂的处理气体进行等离子体蚀刻处理，一次形成贯通钝化膜(108)和栅极绝缘膜(103)、到达栅极电极(102)的孔(111)，和贯通钝化膜(108)、到达漏极电极(107)的孔(112)。栅极绝缘膜(103)相对于漏极电极(107)表面的Mo层(107c)以高的蚀刻选择比被蚀刻。
等离子体蚀刻方法半导体装置制造

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