“吴利翔”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果87个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种高熵合金连接碳化硅陶瓷连接件及其制备方法和应用-CN201910656246.7有效
发明人：郭伟明;牛文彬;吴利翔;朱林林;车金涛;林华泰 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C04B37/00 文献下载
摘要：本发明属于非氧化物陶瓷连接技术领域，公开了一种高熵合金连接碳化硅陶瓷连接件及其制备方法和应用。所述高熵合金连接碳化硅陶瓷连接件是将高熵合金AlCoCrFeNi粉体与SiC粉体混合，用无水乙醇作溶剂，搅拌超声成均匀的钎料，将钎料均匀涂抹于抛光后的SiC表面，采用SPS烧结在1000～1400℃热处理，连接压力为5～30MPa制得；所述连接件的结构为SiC/AlCoCrFeNi‑SiC/SiC。本发明高熵合金作为连接层时，不仅可以实现碳化硅陶瓷的低温连接，而且可以减小陶瓷连接体的内应力，连接件可应用于高温高压等苛刻的工作环境，尤其在核工业具有广泛的应用。
一种合金连接碳化硅陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种氮化硅陶瓷及其制备方法-CN201810821476.X有效
发明人：郭伟明;牛文彬;吴利翔;曾令勇;林华泰 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C04B35/591 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷制备领域，具体涉及一种氮化硅陶瓷及其制备方法。本发明提供的一种氮化硅陶瓷的制备方法包括以下步骤：步骤1：将二氧化硅粉体和三聚氰胺粉体混料得到二氧化硅‑三聚氰胺混合粉体；步骤2：将所述二氧化硅‑三聚氰胺混合粉体通过干压法制得二氧化硅‑三聚氰胺坯体；步骤3：将所述二氧化硅‑三聚氰胺坯体经过第一烧结、保温和第二烧结得到氮化硅陶瓷。本发明提供了一种氮化硅陶瓷及其制备方法，解决了现有技术中制备周期长、工艺复杂且制备得到的氮化硅陶瓷粉体纯度不高进而导致氮化硅陶瓷致密性不高和性能不佳的技术问题。
一种氮化陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅陶瓷连接件及其连接方法和应用-CN202110098467.4在审
发明人：詹创添;何盛金;吴利翔;郭伟明;林华泰 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C04B37/00 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷连接技术领域，公开了一种碳化硅陶瓷连接件及其连接方法和应用，该方法是将SiC纳米粉和液相烧结助剂的混合粉体与有机溶剂混合得到连接钎料，均匀涂覆在碳化硅母材之间进行连接，制得初步连接件；再将前驱体浆料涂覆或浸没于初步连接件的连接区域，在Ar或真空气氛中100～300℃固化，在1000～1500℃，0.01～1MPa裂解，得到碳化硅陶瓷连接件。所得连接件的接头厚度为20～100μm，室温剪切强度为40～100MPa，在1200℃的剪切强度为45～120MPa，泄漏率为1×10‑13～1×10～9Pa·m3/s。碳化硅陶瓷连接件可应用核能、航空、航天或军工等领域。
一种碳化硅陶瓷连接及其方法应用

[发明专利]一种新型陶瓷3D打印成型方法-CN201810447784.0有效
发明人：郭伟明;吴利翔;牛文彬;魏世宏;尹梓绅;林华泰 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型陶瓷3D打印成型方法，其包括以下步骤：将陶瓷的3D结构模型输入至3D打印机中；在3D打印机中设置两个料槽，分别为装有光敏树脂的料槽A和装有陶瓷浆料的料槽B；启动3D打印机开始打印，通过3D打印机控制料槽A利用光敏树脂打印陶瓷胚体的首层和/或支撑结构，通过3D打印机控制料槽B利用陶瓷浆料打印陶瓷胚体，直至得到陶瓷胚体；对陶瓷胚体进行脱脂和烧结得到陶瓷产品。本发明通过设计陶瓷3D打印机的系统和料槽，采用光敏树脂打印陶瓷的首层以及支撑结构，解决了陶瓷浆料打印过程中首层成型难的问题，并且，由于光敏树脂可以直接在脱脂过程中去除，因此，可以实现在打印坯体时不用去除支撑，直接制备复杂形状陶瓷材料。
一种新型陶瓷打印成型方法

[发明专利]一种通过自扩散制备Si3N4梯度材料的方法-CN201711271134.7有效
发明人：郭伟明;吴利翔;牛文彬;林华泰 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过自扩散制备Si3N4梯度材料的方法。本发明以Si3N4和MO2(M＝Ti，Zr，Hf)粉为原料，以MgO‑Re2O3为烧结助剂，经混料、干燥后得到混合粉体；混合粉体经过冷等静压后，将样品埋粉后放入烧结炉中，最终获得Si3N4梯度材料；本发明方法得到的Si3N4材料表面为一层梯度MN层，MN作为一种高硬度、耐磨以及导电相物相，在提高Si3N4陶瓷的表面硬度、抗磨损性的同时，还可实现直接对其表面进行涂层处理；且相对密度高于95％，表层硬度为18～25GPa，断裂韧性为10～14MPa·m1/2，抗弯强度为1000～1500Mpa，梯度层厚度为10～200μm。
一种通过自扩散制备 si3n4 梯度材料方法

[发明专利]一种具有高温强度和硬度的高熵陶瓷及其制备方法和应用-CN201910040601.8有效
发明人：郭伟明;张岩;吴利翔;张威;林华泰 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷材料技术领域，公开了一种具有高温强度和硬度的高熵陶瓷及其制备方法和应用。所述陶瓷是以HfO2、ZrO2、WO3、MoO3、TiO2和无定型硼粉为原料，球磨混合后压制成坯体；放入石墨坩埚中进行真空热处理得(HfxZryWzMonTim)B2固熔体粉体；采用放电等离子烧结将上述固熔体粉体升温至1000～1400℃时充入保护气氛，然后升温至1800～2200℃煅烧制得。所述陶瓷的分子式为(HfxZryWzMonTim)B2，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，0≤n≤1，0≤m≤1；且满足x+y+z+n+m＝1；该陶瓷的硬度为28～42GPa，断裂韧性5～10MPa·m1/2，抗弯强度和高温强度均为800‑1500MPa，热处理后重量变化率为0.3～0.5％。
一种具有高温强度硬度陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种新型核用碳化硅陶瓷的连接方法及其制备的碳化硅陶瓷和应用-CN201811196379.2有效
发明人：郭伟明;吴利翔;牛文彬;卫紫君;林锐霖;刘秋宇;林华泰 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C04B37/00 文献下载
摘要：本发明属于非氧化物陶瓷连接技术领域，公开了一种新型核用碳化硅陶瓷的连接方法及其制备的碳化硅陶瓷，该方法将连接材料聚碳硅烷、硅粉和含碳有机物，加入溶剂和球磨介质经混料干燥后，将得到的混合粉体与溶剂混合，经超声分散制备得到浆料，将浆料涂于连接母材SiC陶瓷表面，在真空条件下，升温至1000～1300℃并保温Ⅰ，再在真空或者氩气条件下，升温至1400～1600℃保温Ⅱ，实现SiC陶瓷材料的致密连接，制得具有致密连接层的SiC陶瓷，该陶瓷的连接层厚度为1～20μm，室温下剪切强度为80～150MPa，在1200℃下的剪切强度为100～200MPa，连接层的漏率为0～1×10‑5Pa·L/s。
一种新型碳化硅陶瓷连接方法及其制备应用

[发明专利]一种超细M1-x-CN201611021565.3有效
发明人：郭伟明;吴利翔;林华泰 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C01B35/04 文献下载
摘要：本发明是一种超细M1‑xTixB2粉体的制备方法，1)将TiO2粉体掺入MO2粉体得到混合MO2‑TiO2粉体，其中TiO2粉体摩尔分数x为0.5％～20％，再将MO2‑TiO2粉体和单质硼粉体按1:2.5～1:5的摩尔比例配料球磨混合，干燥后得到MO2‑TiO2‑B混合粉体，再将MO2‑TiO2‑B混合粉体置于石墨坩埚内，在气压低于200Pa或惰性气氛下先进行第一步低温保温，接着继续升温进行第二步高温保温，得到M1‑xTixB2粉体。本发明通过往MO2中掺杂TiO2对其改性，从而合成超细M1‑xTixB2粉体，显著节约成本，且制备工艺简单、成本低。
一种 base sub

[发明专利]一种陶瓷连接件及其制备方法和应用-CN202010867127.9在审
发明人：何盛金;吴利翔;郭伟明;詹创添;朱林林;林华泰 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： C04B37/00 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷连接技术领域，公开了一种陶瓷连接件及其制备方法和应用。该方法是将Re2O3溶解于无机酸中得到含Re离子的溶液；然后将Al2O3加入含Re离子的溶液中球磨，再与SiC或Si3N4纳米陶瓷粉体球磨混合后，制得连接材料；再将连接材料置于两块抛光后的SiC或Si3N4陶瓷间形成三明治结构，在真空或保护气氛下，升温至1000～1200℃保温，然后升温至1300～1600℃煅烧，加压0.1～10MPa，制成陶瓷连接件。本发明的方法可实现SiC或Si3N4陶瓷在的低温和低压条件下连接，使得该接头致密无缺陷，具有较好的抗高温和抗腐蚀性能，该陶瓷连接件可广泛应用于航天航空、军工和核能领域中。
一种陶瓷连接及其制备方法应用

[发明专利]一种金属固相扩散连接方法及其制得的陶瓷连接件和应用-CN202010767746.0在审
发明人：何盛金;吴利翔;郭伟明;詹创添;朱林林;林华泰 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： C04B37/00 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷连接技术领域，公开了一种金属固相扩散连接方法及其应用，该方法是将连接材料耐高温活性金属放置于连接母材表面抛光的掺杂液相烧结助剂的SiC或Si3N4陶瓷之间，形成三明治结构；所述液相烧结助剂为Al2O3‑Re2O3；在保护气氛下，将三明治结构经机械加压，气压为10～105Pa，在1200～1500℃烧结，制得SiC或Si3N4陶瓷连接件。连接后中间层厚度为10～100μm，连接件在室温下的剪切强度为60～150MPa，1200℃剪切强度为50～100MPa，该陶瓷接头可应用于航空航天和核能领域中。
一种金属扩散连接方法及其陶瓷应用

[发明专利]一种高致密度的碳化硅陶瓷及其制备方法和应用-CN202010837642.2在审
发明人：周宇章;吴利翔;郭伟明;朱林林;林华泰 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明属于非氧化物陶瓷材料领域，公开了一种高致密碳化硅陶瓷及其制备方法和应用。所述碳化硅陶瓷是以聚碳硅烷作为前驱体，以Al2O3‑Re2O3为烧结助剂，将聚碳硅烷和Al2O3‑Re2O3球磨混合后，保护气氛下，在500～1200℃裂解，所得碳化硅粉体经预压后在1500～1700℃进行烧结制得。本发明制得的SiC陶瓷的致密度为97％以上，维氏硬度为20～30GPa，抗弯强度为700～1200MPa，断裂韧性为6～12MPa·m1/2，在1200℃下高温强度为600～1000MPa。本发明可实现各种结构复杂的大型结构件的制备，大大地降低了制备成本。
一种致密碳化硅陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种Si3-CN201810010141.X有效
发明人：郭伟明;吴利翔;牛文彬;林华泰 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C04B35/591 文献下载
摘要：本发明提供了一种Si3N4梯度材料的制备方法，包括以下步骤：a)提供混合粉体A和混合粉体B；所述混合粉体A包括Si粉、TiO2粉和烧结助剂，其中，烧结助剂由摩尔比小于等于1的Al2O3和Re2O3组成；所述混合粉体B包括Si、TiO2和烧结助剂，其中，烧结助剂由摩尔比大于1的Al2O3和Re2O3组成；所述Re选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu；b)将所述混合粉体A和混合粉体B交替铺设形成多层结构，经压制成型，得到坯体；c)将步骤b)得到的坯体氮化后烧结，得到Si3N4梯度材料。本发明通过控制烧结助剂中Al2O3和Re2O3配比，在氮化阶段实现β‑氮化硅/α‑氮化硅的控制，得到的Si3N4梯度材料梯度层之间具有极强的结合力，具备表硬芯韧的优异力学性能。
一种 si base sub

[发明专利]一种钙钛锆石型陶瓷固化体及其制备方法和应用-CN202010025791.9在审
发明人：郭伟明;卫紫君;孙世宽;吴利翔;牛文彬;林华泰 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明属于高放射性固态核废料固化处理领域，公开一种钙钛锆石型陶瓷固化体(CaZrTi2O7)及其制备方法和应用。将钙化合物、纳米二氧化钛和氧化锆混合，加入溶剂和氧化锆磨球进行球磨混合，干燥后过筛得到混合粉体；再将混合粉体进行干压成型成陶胚，将陶胚升温至1100～1400℃进行微波烧结，降温至800～1000℃后随炉冷却制得。本发明的钙钛锆石固化体更为均匀，且反应温度较低、制备工艺简单、合成速度高、能耗低，为钙钛锆石型人造岩石固化高放固体废物的工程化奠定了良好的基础。
一种钙钛锆石型陶瓷固化及其制备方法应用

[发明专利]一种Si3-CN201810553737.4有效
发明人：林锐霖;牛文彬;陈志伟;吴利翔;郭伟明;林华泰 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： C04B35/591 文献下载
摘要：本申请属于陶瓷技术领域，具体涉及一种Si3N4陶瓷及其制备方法。本发明提供的Si3N4陶瓷包括：硅粉、氮化催化剂和烧结助剂；硅粉经氮化催化剂氮化处理后生成Si3N4，氮化催化剂与硅粉的质量比为(1～20):(80～99)；氮化催化剂选自ZrO2、TiO2或Eu2O3；烧结助剂为MgO和Re2O3，Re选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu。制备时，依次进行配料混合、制粒、形成陶瓷浆料，再依次光固化成型、脱脂、氮化处理和高温烧结，即可。因而，本申请技术方案通过利用硅粉氮化体积膨胀对样品收缩进行补偿，实现了复杂形状氮化硅陶瓷净尺寸成型，原材料来源广，制备成本低，方法简便。
一种 si base sub

[发明专利]一种钙钛锆石型陶瓷固化体及其制备方法和应用-CN201911203549.X在审
发明人：郭伟明;卫紫君;孙世宽;吴利翔;牛文彬;林华泰 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：发明属于高放射性废物固化处理技术领域，公开了一种钙钛锆石型陶瓷固化体及其制备方法和应用。所述钙钛锆石型陶瓷固化体是将钙源、钛源和锆源加入溶剂和球磨介质进行球磨，所述钙源、钛源、锆源的质量比为(40～46)：(33～37)：(17～24)，干燥后得到混合粉体，再将混合粉体进行干压成型处理，将所得胚体在保护气氛中升温至1250～1400℃进行SPS烧结反应，降温到800℃后随炉冷却，加压20～50MPa制得。本发明的钙钛锆石型陶瓷固化体的粒径为2～4μm，相对密度为95～99％，硬度为10～15HV，断裂韧性为0.6～5MPa·m1/2，抗弯强度为100～150MPa。
一种钙钛锆石型陶瓷固化及其制备方法应用