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[发明专利]一种高灵敏度热中子探测器-CN202010916473.1有效
发明人：黄永盛;吕军光;孙希磊;雒涛 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G01T3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种高灵敏度热中子探测器，属于中子探测成像技术领域，解决了现有技术中热中子探测器探测效率低的问题。该探测器包括，中子转换体，包括Gd金属层及与Gd金属层密接的朔闪光纤阵列；Gd金属层用于接收照射待测样品后出射的热中子，并与其发生核反应产生内转换电子，内转换电子穿透Gd金属层进入朔闪光纤阵列；朔闪光纤阵列，用于将内转换电子在其中产生的可见光传输至SiPM阵列成像系统；SiPM阵列成像系统，用于探测可见光并获得第一探测图像；处理器，用于处理第一探测图像和无待测样品时获得的第二探测图像获得携带待测样品的信息的图像，该探测器对热中子具有较高的捕获率、转换率，从而提高了探测效率，并且具有较高的空间分辨率。
一种灵敏度热中子探测器

[实用新型]一种热中子探测器-CN202120536300.7有效
发明人：孙希磊;吕军光;黄永盛;王承二;邓勇;范小雪;李俊杰;江环 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G01T3/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种热中子探测器，涉及探测设备技术领域，解决了热中子探测器结构复杂、体积大、不利于中子成像探测器的大面积集成和像素化读出的技术问题。该热中子探测器包括热中子转换体和硅光电倍增管，热中子转换体采用可以产生俄歇电子的材料制成，热中子转换体与硅光电倍增管的灵敏面紧密贴合连接；热中子转换体采用的可以产生俄歇电子的材料为钆材料；硅光电倍增管的灵敏面为无封装的裸片结构。本实用新型的硅光电倍增管直接探测热中子被转换体俘获后会产生的电子，电子在硅光电倍增管内经倍增放大后输出电信号，具有结构简单、体积小、成本低，便于成像探测器大面积集成和像素化读出的特点。
一种热中子探测器

[发明专利]一种液体闪烁体探测装置及入射粒子二维位置探测方法-CN202110615021.4在审
发明人：牟家连;吕军光;黄永盛;兰小飞;陈姗红;司梅雨 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G01T1/204 文献下载
摘要：本发明涉及一种液体闪烁体探测装置及入射粒子二维位置探测方法，属于粒子探测技术领域，解决了现有探测装置探测精度低的问题。该装置包括处理器以及两个结构相同且相互垂直的液体闪烁体探测器；液体闪烁体探测器包括：液体闪烁体，用于探测入射粒子产生闪烁光；一维波移光纤阵列，覆盖于容器的密封侧，接收闪烁光并传输至其两端；两个光电转换器，分别连接于一维波移光纤阵列的两端，用于将该两端传输的闪烁光对应转化为两个电信号；处理器用于根据两个液体闪烁体探测器输出的四个电信号获得入射粒子的二维位置信息。该装置利用相互垂直的两个波移光纤阵列即可探测获得入射粒子的二维位置信息，探测面积大、精度高且装置成本低。
一种液体闪烁探测装置入射粒子二维位置方法

[发明专利]基于厚GEM及多层涂硼网的中子探测器-CN201810092884.6有效
发明人：谢宇广;吕军光;李更兰 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： G01T1/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于厚GEM及多层涂硼网的中子探测器，包括平行且并排设置的漂移电极和读出电极，漂移电极和读出电极之间平行设置有中子转换体；其中，中子转换体包括至少一层金属网，金属网的表面涂硼，且漂移电极面向读出电极的表面涂硼；中子转换体与漂移电极之间平行设置有厚型气体电子倍增器。本发明的基于厚GEM及多层涂硼网的中子探测器将转换区和倍增区分开，转换区可基于多个涂硼的金属网基底可大大提高中子探测效率，不会浪费昂贵的硼10材料，且倍增区的厚GEM耐用，增益容易控制。
多层网涂硼厚 gem 中子探测器

[发明专利]具有多层结构单膜的厚型气体电子倍增器-CN201810167593.9在审
发明人：谢宇广;吕军光;彭志远;胡涛 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： G01T1/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种具有多层结构单膜的厚型气体电子倍增器，包括由交替层叠设置的铜层和绝缘层构成的膜板，铜层与绝缘层紧密贴合，膜板的顶层和底层均设置为铜层，膜板上布设有多个贯穿直孔，贯穿直孔贯穿顶层及底层，贯穿直孔内壁设置有绝缘环，绝缘环隔绝铜层与贯穿直孔内腔，通过交替层叠设置的铜层和绝缘层构成的膜板，铜层与绝缘层紧密贴合，去掉了常规多层叠加结构之间设置的穿越区，减少了多层结构的厚度，膜板整体制作贯穿直孔，保证了孔位对齐，各层之间变形及平行度相同，能够解决多层结构孔位之间对齐和错位、多层之间变形及平行度不同的问题。
铜层绝缘层膜板直孔多层结构贯穿气体电子倍增器交替层叠紧密贴合对齐绝缘环平行度顶层单膜孔位变形多层叠加整体制作多层内壁内腔错位穿越申请保证

[发明专利]一种大面积厚GEM的制作工艺-CN201410704645.3有效
发明人：谢宇广;吴军权;吕军光;陈春;武守坤;林映生;唐宏华 -专利权人：惠州市金百泽电路科技有限公司;中国科学院高能物理研究所
申请日： 2014-11-29 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01J9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积厚GEM的制作工艺，包括阻焊层覆盖、激光开窗、绝缘环加工、通孔成型和阻焊层消褪处理等步骤，采用激光钻孔方式，激光钻孔开窗和激光钻孔通孔成型的双重定位技术进行厚GEM的加工。本发明大面积厚GEM的制作工艺具有成本低、加工精度高和生产效率高等特点。
一种大面积 gem 制作工艺

[发明专利]一种工业化厚GEM制作方法-CN201310182365.6有效
发明人： 吕军光;武守坤;谢宇广;俞伯祥;章爱武;陈裕韬;唐宏华 -专利权人：中国科学院高能物理研究所;惠州市金百泽电路科技有限公司
申请日： 2013-05-16 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01J9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种工业化厚GEM制作方法。本方法为：1)在厚GEM原板上制备定位联接孔；2)将步骤1)处理后的厚GEM原板覆上一层抗蚀层；3)将设计图像转移至步骤2)处理后的厚GEM原板上；4)在步骤3)处理后的厚GEM原板上制备厚GEM孔；5)对所有厚GEM孔制备绝缘环；6)去除厚GEM原板上的所述抗蚀层。对步骤6)处理后的厚GEM原板上镀一层金层可进一步提升性能。本发明实现低成本、短周期、大面积、高成品率的国产厚GEM的工业化全流水线批量生产；并且生产出来的厚GEM应具有增益高、增益稳定性好，能量分辨好，耐打火，可在氩基和氖基等多种混和气体。
一种工业化 gem 制作方法

[发明专利]一种提高电磁量能器能量分辨率的碘化铯晶体阵列-CN201110155450.4无效
发明人：王灵淑;吕军光 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2011-06-10 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： G01T1/202 文献下载
摘要：本发明提供一种用于提高电磁量能器能量分辨率的碘化铯晶体阵列，碘化铯晶体单元在电磁量能器中沿束流线方向按相同的纵向列规则依次环形排列成圆筒状，每一纵向列规则中，沿对撞中心位置呈镜像对称，且各碘化铯晶体单元沿束流线方向倾斜，中心位置两侧的碘化铯晶体单元由内向外与中心线夹角逐次加大，且其前端指向该中心位置或该中心位置附近特定的点。本发明的碘化铯晶体阵列具有结构合理、能量分辨率高的特点。
一种提高电磁量能能量分辨率碘化晶体阵列

[发明专利]一种组装碘化铯电磁量能器探测阵列的方法-CN201110155249.6无效
发明人：王灵淑;吕军光 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2011-06-10 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： G01T1/202 文献下载
摘要：本发明提供一种组装碘化铯电磁量能器探测阵列的方法，其特征在于：包括以下步骤：将电磁量能器按照筒体圆周方向等分为若干筒体单元，并将碘化铯晶体单元依次组装到该筒体单元上。本发明的碘化铯晶体电磁量能器晶体阵列组装方法巧妙、合理，晶体单元变形小、能量分辨率高的特点。
一种组装碘化电磁量能探测阵列方法

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