“吕佩文”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果13个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]GAA构型的GaN基垂直结构HEMT器件及制备方法-CN202310593754.1在审
发明人： 吕佩文;陈晨龙 -专利权人：闽都创新实验室
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种GAA构型的GaN基垂直结构HEMT器件及制备方法，该器件包括带有GaN微米柱的GaN衬底；GaN微米柱的侧面覆盖有GaN沟道层，GaN沟道层的侧面覆盖有AlGaN势垒层；漏金属电极覆盖部分GaN衬底，形成漏极，漏极与GaN沟道层、AlGaN势垒层接触；沉积源覆盖GaN微米柱、GaN沟道层和AlGaN势垒层的上表面，形成源级；介质层覆盖在漏极上方，包裹AlGaN势垒层、源级的侧面，形成环形介质层，介质层与源级形成欧姆接触；栅极包裹介质层，形成环形栅极。本发明充分利用了垂直结构高耐压与二维电子气高速大电流传输能力：二维电子气通过所述源/漏极垂直传输；GAA构型显著降低开关电压，提升开关速度，降低泄露电流；源极、漏极和栅极处于三个不同平面，有利于进一步提升器件工作电压。
gaa 构型 gan 垂直结构 hemt 器件制备方法

[发明专利]一种低压等离子体源-CN202310593769.8在审
发明人： 吕佩文 -专利权人：闽都创新实验室
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种低压等离子体源，包括圆柱形的放电腔室，放电腔室的两端的圆心处设置有开口，放电腔室的一侧开口为引入口，另一侧开口为引出口；在引入口外侧设置有电感耦合线圈，电感耦合线圈与引入口处于同一平面，电感耦合线圈与引入口共圆心；放电腔室的外侧沿圆周方向均匀地间隔设置若干条形磁体，条形磁体的磁极朝向放电腔室的径向方向，任意相邻条形磁体的极性相反，相邻的条形磁体放置在轴向的不同位置相对错开，次近邻条形磁体放置在轴向上的相同位置，形成梳型多级场；引出口处设置有栅极本发明在引入口处设置电感耦合线圈，电感耦合线圈在线圈中央部分所激发的电磁场较强，在低压下产生的电子也足够发生碰撞，形成稳定放电。
一种低压等离子体

[发明专利]一种环介导等温扩增法检测枯草芽孢杆菌的引物及其应用-CN201910739671.2有效
发明人：张娟;杨春玉;吕佩文;程彬 -专利权人：山东省产品质量检验研究院;山东大学
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C12Q1/689 文献下载
摘要：本发明公开了一种环介导等温扩增法检测枯草芽孢杆菌的引物，是以枯草芽孢杆菌的gyrA基因和gyrB基因为靶序列设计获得，其中所述引物包括一组外引物F3/B3、一组内引物FIP/BIP及一组环引物LF/LB。本发明还公开了所述引物在检测枯草芽孢杆菌中的应用。实验证实本发明的3组LAMP引物具有很强的特异性，灵敏性在对比试验中显示至少高出现有方法一个数量级。本发明的检测过程只需在恒温水浴条件下进行，不需要昂贵的变温仪器，结果可以通过肉眼或加入简单的指示试剂便可判断，反应时间不到40分钟，检测周期更短，实验成本更低。
一种环介导等温扩增检测枯草芽孢杆菌引物及其应用

[发明专利]高电导率氧化锌陶瓷及其制备方法-CN201310656957.7在审
发明人：黄瑾;黄丰;丁凯;颜峰坡;黄嘉魁;吕佩文;林钟潮 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明涉及一种高压氧气氛下烧结制备高电导率氧化锌陶瓷的方法。本发明以氧化锌为主要成分，添加氧化铝、氧化镓，分散、研磨、粉碎、压制、烧结，烧结的温度为700-900℃，烧结出来的陶瓷载流子浓度1.137E1019cm-3，电阻率0.063(ohm·cm)，载流子迁移率8.712cm2·V-1·s-1，热导率32.171W/(m*K)。
电导率氧化锌陶瓷及其制备方法

[实用新型]一种旋转区熔炉-CN201220543696.9有效
发明人：黄丰;吕佩文;董建平;颜峰坡;林璋;柯永灿 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2012-10-22 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： F27B14/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种旋转区熔炉。包括加热器，圆盘形坩埚，旋转盘，旋转机构，保温装置，其特征在于：圆盘形坩埚放置于旋转盘上进行旋转，加热器平行放置于圆盘形坩埚上方或下方。该水平区熔炉，可以满足各种材料的提纯要求，可在高真空条件下连续提纯，去除材料中挥发性杂质和分凝系数低的杂质。
一种旋转熔炉

[发明专利]低温相氧化铋光催化剂的退火方法-CN201210192823.X有效
发明人：林文文;黄丰;张继业;王永好;吕佩文;颜峰坡 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2012-06-12 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： B01J23/18 文献下载
摘要：本发明提供一种低温相氧化铋光催化剂的退火方法，属于半导体光催化领域。将氧化铋和供氧化合物真空密封，在300℃～900℃温度中，保温时间为1-72小时进行高温保温退火，最后自然降温。该方法提高其对于可见光的利用率，进而提高其可见光光催化效率。
低温氧化光催化剂退火方法

[发明专利]一种真空连续熔炼提纯太阳能级硅材料的设备-CN201210131540.4有效
发明人： 吕佩文;黄丰;董建平;颜峰岥;林璋;黄嘉魁;黄顺乐 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种真空连续熔炼提纯太阳能级硅材料的设备。该设备进料腔、石墨坩埚、水冷坩埚依次排列，高度逐渐降低；石墨坩埚使用石墨隔离带将坩埚分为熔化区与蒸发区，坩埚为整体加热，加热可使用石墨加热器或中频加热，结构简单；块状或粉末状硅原料由进料腔加入到石墨坩埚进行熔化，当硅水液面高于石墨隔离带后，硅水从熔化区流入到蒸发区；流经蒸发区的硅水流入到水冷坩埚内，完成浇铸。该设备可以在高真空条件下连续熔炼，去除硅中的O、P、N、S、Al、Ca等挥发性杂质。本发明具有高真空、高温、连续熔炼的技术特点，拥有能耗低、无耗材、成本低、易于操作与控制的优点。
一种真空连续熔炼提纯太阳能级材料设备

[发明专利]采用火法冶金与湿法冶金连用技术提纯高纯硅材料的方法-CN201210131483.X有效
发明人： 吕佩文;黄丰;董建平;林璋;陈伦泰;颜峰坡 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及利用火法冶金与湿法冶金连用技术提纯硅材料的方法。火法冶金的过程中进行湿法冶金，无需对工业硅进行破碎。本发明省去传统工艺中的凝固、破碎、粉碎、酸洗等多重步骤、可以一次工艺流程中完成提纯工作。本发明对去除工业硅中的主要杂质包括B、P、金属等具有很好的效果，具有设备与工艺简单，提纯效果好的优点。并且其工艺能耗低、成本低、产品收率高，具有较好的推广价值。
采用火法冶金湿法连用技术提纯高纯材料方法

[发明专利]一种新型的多晶硅熔炼炉-CN201019172004.7无效
发明人： 吕佩文;黄丰;董建平;黄顺乐;陈伦泰;林钟潮;柯永灿 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2010-02-03 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种新型的多晶硅熔炼炉，使用了石英管作为壳体密封，极大的降低了系统的制造难度与费用，并使系统简单可用。该炉包括水冷顶盖、水冷底盖、石英管、下降机构、感应加热器、坩埚、保温设备。使用石英管做为壳体密封，使炉体内情况可以观察到，同时也降低炉体制造时间与成本。
一种新型多晶熔炼炉

[发明专利]一种用于多晶硅熔炼炉的真空连续加料系统-CN201010105399.1无效
发明人： 吕佩文;黄丰;董建平;黄顺乐;陈伦泰;林钟潮;柯永灿 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2010-02-03 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种用于多晶硅熔炼炉的真空连续加料系统，可以在真空条件或保护气条件下实现不开炉盖连续加料。本发明中的用于多晶硅熔炼炉的真空连续加料系统，包括通气管、密封阀门、密封顶盖、加料室、加料阀门、加料管。真空连续加料系统安装于多晶硅熔炼炉上方，可以在真空条件或保护气条件下实现不开炉盖连续加料。
一种用于多晶熔炼炉真空连续加料系统

[发明专利]一种新型太阳能级硅结晶炉-CN201010105392.X无效
发明人：黄丰;吕佩文;董建平;黄顺乐;陈伦泰;林钟潮;柯永灿 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2010-02-03 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种新型太阳能级硅结晶炉，结构简化，工作可靠，温度控制方便准确，制造与使用成本降低。本发明采用如下技术方案：一种新型太阳能级硅结晶炉，包括壳体，保温套，加热器，冷却装置，测温控温系统，坩埚，顶部保温盖。使用电源控制来实现定向凝固，取消了行动结构，使结晶炉结构简化，工作可靠，温度控制方便准确，制造与使用成本降低。
一种新型太阳能级结晶

[发明专利]一种多晶硅冶炼炉用观察窗系统-CN201010105383.0无效
发明人：黄丰;吕佩文;董建平;黄顺乐;陈伦泰;林钟潮;柯永灿 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2010-02-03 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种多晶硅冶炼炉用观察窗系统，包括石英玻璃，旋转擦拭装置，底座，滑板，密封垫圈，红外测温支架。观察窗系统是多晶硅冶炼炉的重要附属装置，集成了观察，测温，滑板保护，擦拭等功能。本发明结构简单，具有使用安全、改装方便等优点。可以方便的安装在炉体表面，必要时可以改成电动以实现控制。
一种多晶冶炼观察窗系统

[发明专利]一种法拉第效应测试系统-CN200910112647.2无效
发明人： 吕佩文;颜峰坡;黄丰;林璋 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2009-10-15 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：一种法拉第效应测试系统，涉及系统的组成、特点以及应用方法。包括激光光源1，斩波器2，起偏器3，电磁场4，直流电源5，样品架6，检偏器7，光电倍增管8，信号接收分析仪器9，使用斩波器将光源变成脉冲光，增强信噪比，样品台空间高达100mm*100mm*100mm。光源部分可扩展，从330-2300纳米，法拉第转子部分提供了高达1.7T的磁场，法拉第偏转角的精度可达到0.00125°。本发明结构简单，具有使用方便、响应灵敏度高等优点。可以实现对包括块体、薄膜、单晶、多晶等样品的法拉第效应的测试。
一种法拉第效应测试系统

1
共 13 条