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[发明专利]切割芯片接合薄膜-CN202210404186.1在审
发明人：杉村敏正;角野雅俊;福井章洋;中浦宏;吉田直子 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C09J7/24 文献下载
摘要：本发明的切割芯片接合薄膜具备：在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、以及层叠在前述切割带的粘合剂层上的芯片接合层，前述粘合剂层包含丙烯酸系聚合物，前述丙烯酸系聚合物包含15摩尔％以上的、具有碳数9以上的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元，温度‑15℃下的前述粘合剂层的剪切储能模量为10MPa以下，使用FOX式算出的前述丙烯酸系聚合物的玻璃化转变温度为‑47℃以上且5℃以下。
切割芯片接合薄膜

[发明专利]层叠薄膜以及半导体装置的制造方法-CN202111355278.7在审
发明人：木村雄大;吉田直子;高本尚英;杉村敏正;中浦宏 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及层叠薄膜以及半导体装置的制造方法。本发明的层叠薄膜层叠有间隔用粘接薄膜和切割带，所述间隔用粘接薄膜层叠有间隔层和粘接剂层，前述间隔层由树脂薄膜构成，该间隔层在温度260℃下的拉伸储能模量为100MPa以上。
层叠薄膜以及半导体装置制造方法

[发明专利]带间隔物的切割粘接薄膜-CN202111339140.8在审
发明人： 吉田直子;木村雄大;高本尚英;杉村敏正;中浦宏 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： C09J7/29 文献下载
摘要：本发明提供一种带间隔物的切割粘接薄膜，其具备：层叠片，其具有用于粘接于被粘物的粘接层和重叠于该粘接层的间隔层；以及切割带，其与前述层叠片的前述粘接层重叠且用于保持前述层叠片，前述层叠片在室温下的弯曲刚度为0.05N·mm2以上。
间隔切割薄膜

[发明专利]带间隔物的切割粘接薄膜-CN202111331477.4在审
发明人： 吉田直子;木村雄大;高本尚英;杉村敏正;中浦宏 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种带间隔物的切割粘接薄膜，其具备：切割带、在该切割带的一面重叠的粘接层、以及在该粘接层上重叠的间隔层，在70℃以上且150℃以下的范围的加热设定温度下的前述间隔层的弯曲刚度为0.1N·mm2以上。
间隔切割薄膜

[发明专利]芯片接合薄膜及切割芯片接合薄膜-CN202110553596.8在审
发明人：畠山义治;大西谦司;吉田直子;木村雄大 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C09J7/10 文献下载
摘要：提供芯片接合薄膜及切割芯片接合薄膜。本发明的芯片接合薄膜含有丙烯酸类树脂、酚醛树脂及填料，前述填料的比表面积为5m2/g以上且100m2/g以下，前述填料相对于前述丙烯酸类树脂的含有质量比大于0且为1.50以下。
芯片接合薄膜切割

[发明专利]芯片接合薄膜及切割芯片接合薄膜-CN202010647825.8在审
发明人：大西谦司;宍户雄一郎;畠山义治;吉田直子;木村雄大 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C09J7/24 文献下载
摘要：本发明提供芯片接合薄膜及切割芯片接合薄膜，本发明的芯片接合薄膜的120℃下的剪切损耗模量为0.03MPa以上且0.09MPa以下。
芯片接合薄膜切割

[发明专利]切割带和切割芯片接合薄膜-CN202010563428.2在审
发明人：宍户雄一郎;杉村敏正;畠山义治;吉田直子;木村雄大 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C09J7/24 文献下载
摘要：提供一种切割带和切割芯片接合薄膜。提供切割带等，其中，关于通过动态粘弹性测定而测得的储能模量E’与损耗模量E”之比(E”/E’)、即Tanδ，‑15℃下的Tanδ的值(A)相对于‑5℃下的Tanδ的值(B)的比(A/B)为0.75以上。
切割芯片接合薄膜

[发明专利]透明粘接片及带有剥离材料的透明粘接片-CN202010219101.3在审
发明人：大西谦司;宍户雄一郎;木村雄大;吉田直子 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： C09J7/40 文献下载
摘要：提供作为光学式传感器的检测面与透明罩构件之间的接合材料的、适于成品率良好地制造光学式传感器搭载器件、并且适于确保传感器检测灵敏度的、透明粘接片及带有剥离材料的透明粘接片。本发明的透明粘接片(10)具有热固化性，并且在通过150℃下1小时的加热进行了热固化的状态下，波长区域450～1200nm下的透射率为85％以上。本发明的带有剥离材料的透明粘接片(X1)具有层叠结构，所述层叠结构包含：透明粘接片(10)、和剥离材料(R1)、(R2)。
透明粘接片带有剥离材料

[实用新型]覆有荧光体层的光半导体元件-CN201620978690.2有效
发明人：松田广和;常诚;吉田直子 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本实用新型提供一种发光强度优异的覆有荧光体层的光半导体元件。以往的覆有荧光体层的光半导体元件存在不能满足所述发光强度这样的问题。本实用新型的覆有荧光体层的光半导体元件，其特征在于，具备：光半导体元件、覆盖所述光半导体元件的荧光体层、和覆盖所述荧光体层的至少一部分的透明层，所述透明层由含有填料的透明树脂组合物形成。由于该覆有荧光体层的光半导体元件具备覆盖荧光体层的至少一部分的透明层，因此能够提高发光强度。
荧光半导体元件

[实用新型]覆有荧光体层的光半导体元件-CN201521063247.4有效
发明人：松田广和;常诚;吉田直子 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本实用新型提供一种发光强度优异的覆有荧光体层的光半导体元件。以往的覆有荧光体层的光半导体元件存在不能满足所述发光强度这样的问题。本实用新型的覆有荧光体层的光半导体元件，其特征在于，具备：光半导体元件、覆盖所述光半导体元件的荧光体层、和覆盖所述荧光体层的至少一部分的透明层。由于该覆有荧光体层的光半导体元件具备覆盖荧光体层的至少一部分的透明层，因此能够提高发光强度。
荧光半导体元件

[发明专利]覆有荧光体层的光半导体元件和其制造方法-CN201510955211.5在审
发明人：松田广和;常诚;吉田直子 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明提供覆有荧光体层的光半导体元件和其制造方法。一种覆有荧光体层的光半导体元件，其特征在于，具备：光半导体元件、覆盖所述光半导体元件的荧光体层、和覆盖所述荧光体层的至少一部分的透明层。
荧光半导体元件制造方法

[发明专利]光半导体装置用环氧树脂组合物及使用其得到的光半导体装置用引线框、封装型光半导体元件以及光半导体装置-CN201480029066.1在审
发明人： 吉田直子;福家一浩;大西秀典;内藤龙介;深道佑一 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2014-05-27 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种光半导体装置，其具备：由第1板部(1)和第2板部(2)形成的金属引线框和以包围搭载在该金属引线框上的光半导体元件(3)的周围的方式形成的反射器(4)，上述反射器(4)的形成材料包含环氧树脂组合物，所述环氧树脂组合物含有环氧树脂(A)、固化剂(B)、白色颜料(C)、无机填充剂(D)、以及羧酸和水中的至少一种(E)，上述(C)和(D)的总含量为环氧树脂组合物整体的69～94重量％，进而，相对于上述(B)和(E)的总量，上述(E)的含量为4～23摩尔％。因此，具备优异的成形性和抗粘连性并且可抑制翘曲的产生和维持高的玻璃化转变温度。因此，可通过传递成形等进行制作，从量产性的方面出发也是有利的。
半导体装置环氧树脂组合使用得到引线封装元件以及

[发明专利]多重结构液晶光学元件及其制造方法-CN201180055801.2有效
发明人：中川信义;前山裕行;本间孝之;吉田直子 -专利权人：碧理科技有限公司
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明提供一种具有优异的批量生产率，并且能够确保充分的光学距离，而且能够提高响应速度的多重结构液晶光学元件及其制造方法。多重结构液晶光学元件，其由多个在内侧面上形成有段电极的基板、和内侧面上形成有公用电极的基板之间封入有液晶的液晶元件互相层叠而构成，形成有段电极的基板和形成有公用电极的基板在封入液晶的状态下加工成薄的规定厚度。
多重结构液晶光学元件及其制造方法

[发明专利]染料敏化型太阳能电池及用于其的密封材料-CN201210105777.5无效
发明人：五十岚一雅;长谷川由纪;吉田直子;山田泰美;佐佐和明 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2012-04-11 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01G9/004 文献下载
摘要：本发明提供染料敏化型太阳能电池及用于其的密封材料。其中带透明导电电极层(5)的对电极侧基板(1)与具有透明导电电极层(5′)的工作电极侧基板(1′)在使两电极层(5，5′)为内侧的状态下对向配置，一对基板(1，1′)间的空隙被配置于这些基板内侧面周缘部的密封材料(4)密封，在密封的空隙内封入电解质溶液(6)。两基板(1，1′)由高分子树脂材料形成，在基板(1，1′)和电极层(5，5′)之间分别配置无机层(2，2′)，(3，3′)，密封材料4由以特定氢化弹性体衍生物为必要成分的光聚合性组合物(A)的固化物形成，与密封材料(4)接触的无机层(3，3′)的部分被(甲基)丙烯酰氧基烷基硅烷类硅烷偶联剂被覆。
染料敏化型太阳能电池用于密封材料

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201010149352.5有效
发明人： 吉田直子;小田高司;森田成纪 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2010-03-26 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法。具有至少布线部和绝缘部的布线电路层(2)以使得该层(2)能够从金属支撑衬底(1)被剥离的方式形成在衬底(1)上，布线电路层的顶表面和底表面(20A，20B)是粘合表面。在布线电路层(2)的第一粘合表面(20A)中暴露第一连接导体部(21)，其可与晶片状态的第一半导体元件(3)的电极31连接。在布线电路层(2)层压在并连接到元件(3)后，金属支撑衬底(1)从布线电路层(2)被剥离以产生半导体器件(4)。另一个元件可以连接到剥离后暴露的另一个粘合表面(20B)。
半导体器件制造方法

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