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[发明专利]一种循环利用LiCl制备二碘硅烷的方法-CN202310972615.X在审
发明人：张学奇;李丽君;唐超;朱思坤;李建恒 -专利权人： 合肥安德科铭半导体科技有限公司
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种循环利用L i C l制备二碘硅烷的方法，包括以下步骤:S1：在惰性气体氛围下，向反应釜中加入碘源、L i C l及溶剂一，反应得到体系一。其中，碘源为Na I和KI中的一种或两种。S2：对体系一进行过滤，过滤掉固体杂质，反应釜内浓缩滤液，得到L i I。S3：在惰性气体氛围下，低温下向反应釜中通入溶剂二、二氯硅烷，反应得到体系二。S4：对体系二进行过滤，得到滤液和滤饼。滤液经分离后得到二碘硅烷，所得滤饼作为上述步骤S1的L i C l进入下一个合成循环。反应生成的副产物LiCl可以实现循环利用，既降低了成本，也避免了锂资源的浪费。
一种循环利用 licl 制备硅烷方法

[发明专利]一种SiOC或SiOCN薄膜及其制备方法和应用-CN202310916731.X在审
发明人：程兰云;芮祥新;汪穹宇;李建恒 -专利权人： 合肥安德科铭半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明提供一种SiOC或SiOCN薄膜及其制备方法和应用，所述制备方法包括将(R1R2N)xSiH4‑x、CaHbNc和氧源以间隔脉冲的形式通入预先设置有衬底的原子层沉积设备的反应腔中进行沉积，并重复上述步骤达到预设厚度，得到SiOC或SiOCN薄膜；所述制备方法以(R1R2N)xSiH4‑x、CaHbNc和氧源作为前驱体，利用原子层沉积技术，不仅在较低的温度下即可获得较高质量的SiOC或SiOCN薄膜，且可以精准调控SiOC或SiOCN薄膜中的氮含量和碳含量，进而可以精准调控薄膜的介电常数，为SiOC或SiOCN薄膜的制备提供了一种新的方法。
一种 sioc siocn 薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种铜互连扩散阻挡层结构及其制备方法-CN202310711969.9在审
发明人：扈静;芮祥新;汪穹宇;李建恒 -专利权人： 合肥安德科铭半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜互连扩散阻挡层结构及其制备方法，包括：衬底和扩散阻挡层，所述衬底包括第一导电层和介质层；所述扩散阻挡层设置在衬底和第二导电层之间，所述扩散阻挡层包括依次设置的铌层、铌硅氮化物层和氮化铌层，所述第三层与所述第二导电层接触。通过在铜层和介质层之间设置有多层膜结构的阻挡扩散层，可以有效阻挡铜扩散到介质层中。同时，阻挡扩散层包括铌硅氮化物层和氮化铌层，且氮化铌层位于铌硅氮化物层与铜层之间，可以有效防止铌硅氮化物层中的硅元素进入铜层，破坏铜的电学性能。
一种互连扩散阻挡结构及其制备方法

[发明专利]一种使用有机硅前驱体制备硅薄膜的方法-CN202310784725.3在审
发明人：扈静;邢孟孟;芮祥新;汪穹宇;李建恒 -专利权人： 合肥安德科铭半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用有机硅前驱体制备硅薄膜的方法，属于半导体技术领域，该方法包括如下步骤：步骤1)、将衬底放入原子层沉积设备中，加热；步骤2)、将有机硅前驱体装在不锈钢源瓶中，源瓶通过管路和原子层沉积设备的反应腔相连；步骤3)、将硅前驱体蒸气以脉冲形式带入反应腔；步骤4)、向反应腔中通入惰性气体，进行第一次吹扫；步骤5)、向反应腔中通入H2，通过电感耦合或电容耦合放电，生成H2等离子；步骤6)、向反应腔中通入惰性气体，进行第二次吹扫；步骤7)、重复步骤3)‑步骤6)至预设厚度。通过反应条件的控制，可以精准控制薄膜沉积速率，有效降低沉积温度，台阶覆盖率高，适合先进制程的薄膜沉积。
一种使用有机硅前驱体制薄膜方法

[发明专利]一种栅极氧化层对准标记的装置及其形成方法-CN202310769418.8有效
发明人：汪海燕;卢迪锋;李建恒;朱思坤 -专利权人： 合肥安德科铭半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明涉及半导体设备技术领域，具体为一种栅极氧化层对准标记的装置及其形成方法，包括硅片，硅片的顶部依次设有氧化硅、光致抗蚀剂和金属层，金属层的顶部设有栅极氧化层，光致抗蚀剂位于栅极氧化层的左右两侧设有对准标记，光致抗蚀剂位于栅极氧化层的下方左右两侧设有用于防止金属层对对准标记覆盖的挡板组件，光致抗蚀剂位于对准标记上设有叠加标记，叠加标记的高度等于金属层和光致抗蚀剂之和，本发明通过叠加标记代替被覆盖的对准标记进行识别，可以针对金属层比较厚情况下进行对准，而且叠加标记的高度根据半导体以及器件电性的特点，在硅片上喷射相应的金属层体积，使得金属层刚好在叠加标记水平端上相平齐，方便叠加标记的轮廓清晰。
一种栅极氧化对准标记装置及其形成方法

[发明专利]一种衬底封装设备及其封装方法-CN202310562262.6有效
发明人：汪穹宇;朱思坤;汪海燕 -专利权人： 合肥安德科铭半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路封装领域，具体的说是一种衬底封装设备及其封装方法，本发明中的衬底封装设备包括安装底板，安装底板上设置有集成电路底片多个夹持装置，夹持装置之间设置有协同装置，两个横向移动杆上和两个纵向移动杆上之间还设置有同步装置，安装底板在位于其一边边缘的位置安装有左右滑盒，左右滑盒中滑动连接有竖直臂，竖直臂的上端固定连接有伸向安装底板中间位置的前后臂，前后臂中滑动连接有衬底安装装置，使得本发明既能够完成不同的集成电路的底片的固定，同时又能够调整衬底的焊接位置。
一种衬底封装设备及其方法

[发明专利]一种液态双氨基取代的乙硅烷制备方法及其产物的应用-CN202011047253.6有效
发明人：唐超;张学奇;朱思坤;李建恒 -专利权人： 合肥安德科铭半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C07F7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种液态双氨基取代的乙硅烷的制备方法及其产物在薄膜ALD沉积中的应用。该方法是在惰性气体保护下，向反应容器中加入非极性溶剂和六氯乙硅烷，降温至‑20℃及以下，加入单取代的有机胺，反应后经过滤、蒸馏得到双氨基取代的四氯乙硅烷中间体，与四氢呋喃混合，降温至‑40℃及以下，再向体系中滴入含有还原剂的四氢呋喃溶液进行还原，滴加完成后将体系缓慢升至室温，并持续搅拌，然后用非极性溶剂进行萃取，将萃取溶液浓缩、蒸馏得到纯度≥99％的粗产品，精馏提纯得到纯度≥7N的液态的双氨基取代的乙硅烷。
一种液态氨基取代硅烷制备方法及其产物应用

[发明专利]一种制备低氯含量的氨基硅烷的方法-CN202310360653.X在审
发明人：唐超;刘宇;代明生;朱思坤;李建恒 -专利权人： 合肥安德科铭半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备低氯含量的氨基硅烷的方法，氨基硅烷制备技术领域。本发明方法包括如下步骤：将有机氨基硅烷粗品、碱金属或碱土金属化合物混合反应，得到混合液；混合液过滤，得到氨基硅烷粗品；胺基取代硅烷粗品精馏，得到胺基取代硅烷。本申请方法过程简单易操作，适用有机氨基硅烷范围广，基本无损失的得到有机氨基硅烷中氯含量＜1ppm。
一种制备含量氨基硅烷方法

[发明专利]一种双硅烷生产设备及其生产工艺-CN202310438308.3在审
发明人：汪穹宇;朱思坤;汪海燕 -专利权人： 合肥安德科铭半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B01J19/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种双硅烷生产设备及其生产工艺，包括底板、晃动部件、反应釜和搅拌清壁部件，解决了现有的双硅烷生产设备在制备双硅烷的过程中，通常会采用搅拌的方式对二乙胺和二氯二氢硅的混合物进行搅拌处理，由于现有的搅拌装置无法在反应过程中调节搅拌角度，使得二乙胺和二氯二氢硅在反应时接触不够充分，从而降低了双硅烷溶液的生成效率，除此之外，生成物四甲基有机胺盐酸盐为白色沉淀，这些沉淀会粘附在反应釜内壁上，若不进行刮除收集，随着反应次数的增多，这些沉淀不仅会直接增大清理人员对反应釜内壁清理时的难度，增加下次二乙胺和二氯二氢硅反应后的残渣量，同时其还会挥发并对清理人员的人身安全造成危害的问题。
一种硅烷生产设备及其生产工艺

[发明专利]一种低温高生长速率氧化硅薄膜的原子层沉积方法-CN202011049192.7有效
发明人：芮祥新;汪穹宇;李建恒 -专利权人： 合肥安德科铭半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供一种低温高生长速率氧化硅薄膜的原子层沉积方法，以双氨基取代的乙硅烷作为前驱体，沉积腔体的温度在整个沉积过程中保持在50℃以下。双氨基取代的乙硅烷常温下为液态，比固态产品更易于纯化和输送，且‑SiH3被臭氧氧化为‑Si(OH)3的反应具有更低的活化势垒，能够在50℃以下沉积反应，并显著提高SiO2薄膜的沉积速率。
一种低温生长速率氧化薄膜原子沉积方法

[发明专利]一种双(2,4-二甲基-1,3-戊二烯)钌化合物的制备方法-CN202211690007.1在审
发明人：张学奇;李丽君;朱思坤;李建恒 -专利权人： 合肥安德科铭半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C07F15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种双(2,4‑二甲基‑1,3‑戊二烯)钌化合物的制备方法，涉及原子层沉积薄膜前驱体制备技术领域。本发明使用三氯化钌水合物作为钌源、廉价易得的活泼金属作为还原剂、添加有机碱和乙腈制备双(2,4‑二甲基‑1,3‑戊二烯)钌化合物。本发明以廉价易得的活泼金属作为还原剂，较现有的氢气作为还原剂具有安全性更高的优点；较现在使用贵金属作为催化剂，具有成本更低的优点，且在使用过程中不会失活。本申请以乙腈作为溶剂提高了产品的收率，更适合工业化放大。
一种甲基戊二烯化合物制备方法

[发明专利]一种单胺基取代硅烷的制备方法-CN202211328391.0在审
发明人：唐超;朱思坤;李建恒 -专利权人： 合肥安德科铭半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种单胺基取代硅烷的制备方法，涉及应用于原子层沉积的硅基前驱体材料制备技术领域。本发明以二级有机胺、碱化合物为原料，以烷烃溶剂或醚类溶剂为反应溶剂，反应得到有机胺基碱溶液，将该有机胺基碱溶液与一氯硅烷反应，得到反应物。将反应物过滤得到滤液，滤液蒸馏后得到液体即为单胺基取代硅烷粗品，将粗品精馏，得到单胺基取代硅烷精品。本发明制备得到的单胺基取代硅烷粗品GC纯度＞95％，收率大于85％，氯含量低于10ppm。使后续精馏处理得到的单胺基取代硅烷中氯含量低于1ppm，符合半导体行业对此类产品7N的规格要求。
一种胺基取代硅烷制备方法

[实用新型]一种前驱体源瓶-CN202221223622.7有效
发明人：李建恒;董兴玉 -专利权人： 合肥安德科铭半导体科技有限公司;常州容导精密装备有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种前驱体源瓶，属于半导体薄膜制备制造领域。包括：瓶体与进气管，所述进气管延伸到所述源瓶的内部，所述进气管上开设有若干贯通的布气孔；所述瓶体上开设有出气口。
一种前驱体源瓶

[发明专利]一种双(烷基亚胺基)双(烷基胺基)钨(VI)的制备方法及应用-CN202211274396.X在审
发明人：胡昌锞;张学奇;朱思坤;李建恒 -专利权人： 合肥安德科铭半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明属于含钨的金属有机化合物的制备领域，公开了一种双(烷基亚胺基)双(烷基胺基)钨(VI)的制备方法及应用，公开了使用六氯化钨(WCl6)作为原料，通过先后加入一级胺、二级胺基锂的“两步法”，通过简便的流程得到相应的产品；减少了有毒物料的使用，提升了产品的金属纯度。
一种烷基胺基 vi 制备方法应用

[发明专利]一种功函数可调的WCN薄膜沉积方法-CN202210540776.7在审
发明人：扈静;芮祥新;汪穹宇;李建恒 -专利权人： 合肥安德科铭半导体科技有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C23C16/36 文献下载
摘要：本发明公开一种功函数可调的WCN薄膜沉积方法，包括以下步骤：先将钨前驱体加热到80‑150℃，前驱体运输管路及ALD腔体预热；通过NH3等离子体与钨前驱体反应沉积形成单原子层WN薄膜，重复X次，形成X层WN薄膜；通过H2等离子体与钨前驱体反应沉积形成单原子层WC薄膜，重复步骤Y次，形成Y层WC薄膜；重复上述步骤Z次，直到达到预期厚度的WCN薄膜。本发明通过WC薄膜和WN薄膜膜交替沉积的方法制备的WCN薄膜，能实现WCN之间的原子结合，取代现有的通过调节单一WCN薄膜的沉积的工艺参数调节WCN内部C，N比例的方式，可以达到精确调节C、N含量，从而实现功函数的可调。
一种函数可调 wcn 薄膜沉积方法

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