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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202310300337.3在审
发明人：李宗霖;林大文;叶致锴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置及其制造方法。在半导体装置的制造方法中，形成鳍结构，鳍结构具有交替堆叠于基底上方的第一半导体层及第二半导体层；在鳍结构上方形成牺牲栅极结构；蚀刻鳍结构未被牺牲栅极结构覆盖的源极/漏极区，进而形成源极/漏极空间；在源极/漏极空间的底部处形成隔离区；在源极/漏极空间中的隔离区上方形成源极/漏极外延层，以及在源极/漏极外延层与基底之间的隔离区中产生空隙区，使得源极/漏极区和基底之间产生电性隔离。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201611153146.5有效
发明人：陈奕升;吴政宪;叶致锴;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：半导体装置的形成方法包含提供从基底延伸的鳍，且鳍具有源极/漏极区和沟道区，鳍包含第一层、第二层设置于第一层上方及第三层设置于第二层上方，通过从沟道区移除第二层的至少一部分以形成间隙，第一材料形成于沟道区中，以形成第一界面层部分和第二界面层部分，分别至少部分地环绕第一层和第三层，第二材料沉积于沟道区中，以形成第一高介电常数介电层部分和第二高介电常数介电层部分，分别至少部分地环绕第一界面层部分和第二界面层部分，沿沟道区中的第一高介电常数介电层部分和第二高介电常数介电层部分的相对侧壁形成包含清除材料的金属层。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210198659.7在审
发明人：李明轩;李宗霖;叶致锴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本文公开了半导体结构及其制造方法。在一实施例中，示例性的半导体结构包括多个第一通道构件在基板上方；第一栅极结构包绕每个所述第一通道构件；以及介电鳍片结构相邻设置于第一栅极结构，介电鳍片结构包括：第一介电层设置在基板上方并与第一栅极结构直接接触；第二介电层设置在第一介电层上方；第三介电层设置在第二介电层上方，并且通过第二介电层与第一介电层以及第一栅极结构间隔开；及第一隔离部件设置在第三介电层正上方。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210202192.9在审
发明人：李宗霖;叶主辉;林大文;叶致锴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，包含提供自基板延伸的鳍片，其中鳍片包含外延层堆叠，外延层堆叠具有由多个虚置层穿插的多个半导体通道层。在一些实施例中，此方法更包含移除半导体装置的源极/漏极区之内的外延层堆叠的一部分以形成沟槽于源极/漏极区中，沟槽露出半导体通道层以及虚置层的多个横向表面。在形成沟槽之后，在一些示例中，此方法更包含执行虚置层凹蚀制程以横向地蚀刻虚置层的多个末端并沿着沟槽的侧壁形成多个第一凹槽。在一些实施例中，此方法更包含沿着半导体通道层露出的横向表面以及第一凹槽之内顺应地形成盖层。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]制造具有不同沟道配置的多栅极器件的设备和方法-CN202210108832.X在审
发明人：李宗霖;叶主辉;林大文;叶致锴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及制造具有不同沟道配置的多栅极器件的设备和方法。方法包括：提供第一鳍结构和第二鳍结构，所述第一鳍结构和第二鳍结构各自从衬底延伸。在所述第一鳍结构上形成第一栅极环绕式(GAA)晶体管，所述第一GAA晶体管具有第一多个纳米结构内的沟道区域。在所述第二鳍结构上形成第二GAA晶体管，所述第二GAA晶体管具有第二沟道区域配置。所述第二GAA晶体管具有第二多个纳米结构内的沟道区域。所述第二多个纳米结构少于所述第一多个纳米结构。
制造具有不同沟道配置栅极器件设备方法

[发明专利]半导体器件和方法-CN201810614091.6有效
发明人：郑兆钦;陈自强;徐振峰;杨玉麟;李东颖;叶致锴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在衬底的第一区域和第二区域中形成纳米线器件和鳍器件。为了形成器件，形成第一材料和第二材料的交替层，邻近于第一材料层形成内部间隔件，并且之后去除第一材料层以形成纳米线而不去除第二区域内的第一材料层。在第一区域和第二区域内形成栅极电介质和栅电极的栅极结构以在第一区域中形成纳米线器件并且在第二区域中形成鳍器件。本发明实施例涉及半导体器件和方法。
半导体器件方法

[发明专利]半导体装置-CN202110817894.3在审
发明人：苏子昂;李明轩;吴杼桦;叶致锴;王智弘;谢文兴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置，例如互补双极接面晶体管结构的实施例。根据本公开的半导体装置包含介电层以及设置在介电层上的鳍片状结构。鳍片状结构包含第一p型掺杂区、第二p型掺杂区以及第三p型掺杂区，以及第一n型掺杂区、第二n型掺杂区以及第三n型掺杂区，交错插在该第一p型掺杂区、第二p型掺杂区以及第三p型掺杂区之间。第一p型掺杂区、第三p型掺杂区以及第三n型掺杂区电性耦接至第一电位。第二p型掺杂区、第一n型掺杂区以及第二n型掺杂区电性耦接至与第一电位不同的第二电位。
半导体装置

[发明专利]双极接面晶体管-CN202110824341.0在审
发明人：苏子昂;李明轩;叶致锴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本公开提供双极接面晶体管(bipolar junction transistor；BJT)结构的实施例。根据本公开的BJT包含第一外延特征、第二外延特征、垂直(vertical)堆叠的通道构件、栅极结构、第一电极、射极电极、以及第二电极。第一外延特征设置在井区上。第二外延特征设置在井区上。各个垂直堆叠的通道构件在第一外延特征以及第二外延特征之间纵向延伸。栅极结构环绕各垂直堆叠的通道构件。第一电极耦接至井区。射极电极设置在第一外延特征上，并耦接至第一外延特征。第二电极设置在第二外延特征上，并耦接至第二外延特征。
双极接面晶体管

[发明专利]包括鳍式场效应晶体管的半导体器件-CN202111074018.2在审
发明人：李东颖;叶致锴;李宗霖;杨育佳;萧孟轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本申请的实施例涉及包括FinFET的半导体器件，包括：第一FinFET，包括沿第一方向延伸的第一鳍结构和第一源/漏外延结构；第二FinFET，包括沿第一方向延伸的第二鳍结构和第二源/漏外延结构；第一介电层，分隔第一和第二源/漏外延结构；以及第一源/漏接触件，接触第一源/漏外延结构，其中：第一FinFET仅包括一个鳍结构，第一源/漏外延结构在沿着与第一方向垂直的第二方向的截面中相对于第一鳍结构是不对称的，第一源/漏接触件接触第一源/漏外延结构的顶面和一个侧面并且接触隔离绝缘层，以及第二介电层与第一源/漏外延结构的另一侧面接触。
包括场效应晶体管半导体器件

[发明专利]包括鳍式场效应晶体管的半导体器件及其形成方法-CN201710403081.3有效
发明人：李东颖;叶致锴;李宗霖;杨育佳;萧孟轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在形成包括鳍式场效应晶体管(FinFET)的半导体器件的方法中，在FinFET结构的源极/漏极结构和隔离绝缘层上方形成牺牲层。在牺牲层上方形成掩模图案。通过使用掩模图案作为蚀刻掩模图案化牺牲层和源极/漏极结构，从而形成邻近于图案化的牺牲层和图案化的源极/漏极结构的开口。在开口中形成介电层。在形成介电层之后，去除图案化的牺牲层以在图案化的源极/漏极结构上方形成接触开口。在接触开口中形成导电层。本发明的实施例还涉及包括鳍式场效应晶体管(FinFET)的半导体器件。
包括场效应晶体管半导体器件及其形成方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和静电放电器件-CN202110654703.6在审
发明人：王智弘;李明轩;叶致锴;苏子昂;周佳儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了制造半导体器件的方法。该方法包括提供具有前侧和背侧的结构，该结构包括衬底以及交替地堆叠在衬底之上的具有不同材料组分的第一类型外延层和第二类型外延层的堆叠件，其中该堆叠件位于衬底的前侧处，并且衬底位于结构的背侧处；图案化堆叠件，从而在衬底之上形成鳍；将第一掺杂剂注入到鳍的第一区域中，该第一掺杂剂具有第一导电类型；将第二掺杂剂注入到鳍的第二区域中，该第二掺杂剂具有与第一导电类型相反的第二导电类型；在第一区域上形成第一接触件，以及在第二区域上形成第二接触件。本发明的实施例还涉及静电放电器件。
制造半导体器件方法静电放电器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201711278787.8有效
发明人：郑兆钦;云惟胜;陈奕升;余绍铭;陈自强;叶致锴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体器件，其包括：衬底；在衬底上方的I/O器件；以及在衬底上方的核心器件。I/O器件包括第一栅极结构，第一栅极结构具有：界面层；在界面层上方的第一高k介电堆叠件；以及导电层，导电层在第一高k介电堆叠件上方并且与第一高k介电堆叠件物理接触。核心器件包括第二栅极结构，第二栅极结构具有：界面层；在界面层上方的第二高k介电堆叠件；以及导电层，导电层在第二高k介电堆叠件上方并且与第二高k介电堆叠件物理接触。第一高k介电堆叠件包括第二高k介电堆叠件和第三介电层。本发明实施例还提供一种制造半导体器件的方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202011024428.1在审
发明人：杨思齐;简鹤年;丁振庭;林建智;李建志;林士豪;李宗鸿;叶致锴;黄才育;萧柏铠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：提供了半导体装置的制造方法。根据一实施例的方法，包括形成由第一半导体材料形成的一第一鳍部以及由不同于第一半导体材料的第二半导体材料形成的一第二鳍部于一基底上；形成一半导体盖层于第一鳍部及第二鳍部上；以及在露出半导体盖层的至少一部分的同时，于第一温度下对半导体盖层进行退火。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710906480.1有效
发明人：萧孟轩;杨育佳;李东颖;叶致锴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在形成包括鳍式场效应晶体管(FinFET)的半导体器件的方法中，在FinFET结构的源极/漏极结构和隔离绝缘层上方形成第一牺牲层。图案化第一牺牲层，从而形成开口。在开口的底部中的隔离绝缘层上和图案化的第一牺牲层的至少侧面上形成第一衬垫层。在形成第一衬垫层之后，在开口中形成介电层。在形成介电层之后，去除图案化的第一牺牲层，从而在源极/漏极结构上方形成接触开口。在接触开口中形成导电层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201711215095.9有效
发明人：陈奕升;黄思维;江宏礼;吴政宪;叶致锴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体器件包括：沟道层，设置在衬底上方；源极/漏极区，设置在衬底上方；栅极介电层，设置在沟道层上并且包裹每个沟道层；以及栅电极，设置在栅极介电层上并且包裹每个沟道层。每个沟道层包括由核心区和一个或多个壳区制成的半导体线。核心区具有近似方形截面，并且一个或多个壳区的第一壳在核心区周围形成近似菱形截面的第一壳区，并且连接至与相邻的半导体线对应的邻近的第一壳区。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。
半导体器件及其制造方法

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