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[发明专利]位置检测装置、透镜模组、摄像装置和测距装置-CN202310345595.3在审
发明人：蔡永福;原田健太郎 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01B7/00 文献下载
摘要：本技术的位置检测装置具备磁传感器和第一磁场产生部。第一磁场产生部在第一轴向上与磁传感器分开对置，具有第一多极磁体，并且产生波及磁传感器的第一磁场，第一多极磁体分别包括多个N极和S极，多个N极和S极在第一轴向上相邻。磁传感器与第一磁场产生部设置为可以在第二轴向上相对移动，第二轴向与第一轴向正交。第三轴向的磁传感器的中心位置与第一多极磁体的第三轴向的中心位置不同，第三轴向与第一轴向和第二轴向的双方正交。
位置检测装置透镜模组摄像测距

[发明专利]磁传感器、磁性编码器、透镜位置检测装置和测距装置以及磁传感器的制造方法-CN202310176254.8在审
发明人：梅原刚;原田健太郎;蔡永福 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01D5/245 文献下载
摘要：本发明提供一种磁传感器、磁性编码器、透镜位置检测装置和测距装置以及磁传感器的制造方法。在磁传感器中，第一和第二电阻体设置在连接电源端口与第一输出端口的路径上，第三和第四电阻体设置在连接接地端口与第一输出端口的路径上。在与X方向平行的方向上，第一电阻体与第二电阻体之间的间隔和第三电阻体与第四电阻体之间的间隔均为λ/2，第一电阻体与第三电阻体之间的间隔为零。第一和第四电阻体中的磁化固定层的磁化包含‑X方向的成分。第二和第三电阻体中的磁化固定层的磁化包含X方向的成分。
传感器磁性编码器透镜位置检测装置测距以及制造方法

[发明专利]磁传感器的设计方法及制造方法-CN202210058998.5在审
发明人：梅原刚;原田健太郎;小林尚史 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明提供一种能够容易地应对各种设计条件的磁传感器的设计方法。磁传感器具有串联连接的第一及第二磁阻效应元件和串联连接的第三及第四磁阻效应元件，第一及第二磁阻效应元件的组和第三及第四磁阻效应元件的组并联连接，第一及第四磁阻效应元件连接到电源侧。在设计该磁传感器时，对于第一～第四磁化固定层的磁化方向分别相对于规定的基准角度旋转第一～第四角度θ1～θ4，θ1＝θ3、θ2＝θ4、θ1≠θ2，且θ1－θ2不同的多个磁传感器求出在与各磁传感器的输出之间成立规定的线性关系的第一～第四磁化自由层的磁化方向的角度范围和磁传感器的输出范围的关系，从多个磁传感器选择满足角度范围和输出范围的要求条件的磁传感器。
传感器设计方法制造

[发明专利]磁传感器组件和具有其的相机模块-CN202111234917.4在审
发明人： 原田健太郎;梅原刚 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明涉及以简单的结构检测可动部相对于固定部的位置关系和旋转方向的磁传感器组件和具有其的相机模块。磁传感器组件(1)具有包括第一～第三磁传感器(13A～13C)的第一部件(10)和包括第一～第三磁铁(22A～22C)的第二部件(20)。第二部件(20)在三维正交坐标系(101)中，能够相对于第一部件(10)进行向X、Y方向的相对移动和Z轴周围的相对旋转。第一～第三磁传感器(13A～13C)分别在Z方向上与第一～第三磁铁(22A～22C)相对。第一～第三磁传感器(13A～13C)的输出单调变化。第一磁传感器(13A)的输出变化与第二磁传感器(13B)的输出变化互不相同。第一～第三磁铁(22A～22C)分别位于第一～第三直线(L1～L3)上。第一直线(L1)与X轴所成的角度、第二直线(L2)与X轴所成的角度、第三直线(L3)与Y轴所成的角度相同。
传感器组件具有相机模块

[发明专利]测量解决方案服务提供系统-CN201880075268.8在审
发明人： 原田健太郎 -专利权人：得乐智能解决方案株式会社
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明提供一种划时代的测量解决方案服务。本发明的测量解决方案服务提供系统具有：IoT中继装置，收集从分散配置在与制造现场对应的场所内的各工序中并测量成品生产工序和部件生产工序的质量状况的多个测量源发送的测量数据、和从多个测量源发送并包括在测量质量状况时成为影响因素的环境指标和生产指标的指标数据；以及计算系统，所述计算系统包括：聚合处理单元，接收从IoT中继装置发送的测量数据和指标数据，并聚合处理到测量数据库和指标数据库以生成大数据；分析单元，将聚合到测量数据库和指标数据库作为大数据的测量数据和指标数据按彼此预先关联的成品和部件的各批次，通过机器学习进行分析处理，并进行异常预测；以及显示处理单元，对异常预测的结果进行显示处理以发送到阅览者使用终端。
测量解决方案服务提供系统

[发明专利]测量解决方案服务提供系统-CN201880022345.3在审
发明人： 原田健太郎 -专利权人：得乐智能解决方案株式会社
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： G06Q50/04 文献下载
摘要：提供创新的测量解决方案服务。多个测量源的至少一个包括测量数据输入装置，其显示用于将由独立状态的测量器获得的实测值作为测量数据而输入的画面。该画面包括：基准值显示部，显示预定的基准值；测量数据显示部，作为实测值的候补，以空白状态显示至少最低位的数位位置；数值选择部，进行显示，以便能够从数值显示排列中指定选择对至少与基准值和实测值之差内的最低位的数位对应的数值。测量数据输入装置将与由画面中的数值选择部指定的至少与最低位的数位对应的数值和基准值的相加所对应的数值显示在测量数据显示部中的空白状态的数位位置，当指示了测量作业者的确认时，将实测值的全部数位作为不同格式的测量数据发送到IoT中继装置。
测量数据实测低位测量数据显示空白状态输入装置数位位置数值显示数值选择测量作业独立状态中继装置测量器测量源相加测量服务

[发明专利]测量解决方案服务提供系统-CN201880013685.X在审
发明人： 原田健太郎 -专利权人：得乐智能解决方案株式会社
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G06F16/2455 文献下载
摘要：本申请提供了划时代的测量解决方案服务。系统具备多个IoT中继装置和云计算系统，所述多个IoT中继装置配置在每个据点，收集从多个测量源发送的各自不同的格式的测量数据，将收集的不同格式的测量数据转换为共同格式的测量数据，发送共同格式的测量数据以请求转换后的共同格式的测量数据的处理，其中，所述多个测量源分散配置在与制造现场对应的据点内的各工序中并测量各工序的质量状况，所述云计算系统接收从多个IoT中继装置分别发送的共同格式的测量数据，在测量数据库中以分层构造进行汇集处理，按照每个合并对象对汇集处理的共同格式的测量数据进行聚合分析处理，对共同格式的测量数据的聚合分析处理的结果进行显示处理，并根据来自阅览者利用终端的显示请求发送显示处理结果。
测量数据中继装置发送云计算系统分析处理显示处理测量测量源聚合服务提供系统测量数据库分散配置请求转换显示请求质量状况分层阅览终端合并转换配置申请制造服务

[发明专利]可变容量泵-CN201610741996.0有效
发明人：篠原徹;原田健太郎 -专利权人：株式会社马勒滤清系统
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： F04C14/24 文献下载
摘要：本发明提供使油压阶段性上升的可变容量泵。可变容量泵(1)具备配置于外壳(2)内的凸轮环(3)、和配置于凸轮环内的外转子(4)以及内转子(5)。在外壳和凸轮环之间形成将凸轮环向摆动方向D1施力的第一压力控制腔室(30)、和以与其对置的方式设置并且将凸轮环向摆动方向D2施力的第二压力控制腔室(40)。经由以规定油压开阀的滑阀(34)向腔室(30)导入控制油压，其一部分经由连通路(50)被导入腔室(40)。根据凸轮环的摆动位置进行开闭的卸压回路(60)在凸轮环向摆动方向D1摆动规定量时关闭。其结果，与腔室(30)相等的控制油压作用于腔室(40)的受压面(44)，凸轮环向摆动方向D1的摆动被抑制。
可变容量

[发明专利]Fe-Al型合金溅射靶-CN201610157434.1在审
发明人： 原田健太郎 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2012-04-26 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种Fe-Al合金溅射靶，其特征在于，Al含量为1～23原子％，氧含量为100重量ppm以下，其余为Fe和不可避免的杂质。将Al为1～23原子％、其余为Fe和不可避免的杂质的Fe原料和Al原料在熔化温度为1200～1600℃、平均升温速度为300℃/小时以上的条件下熔化(其中，在Al为15～23原子％的情况下，在熔化温度为1400～1600℃的范围且平均升温速度为320℃/小时以上的条件下熔化或者在熔化温度为1200℃以上且低于1400℃的条件下熔化；在Al为1～15％且在Ar气氛中熔化的情况下，将熔化温度设定为1200～1600℃的范围且将平均升温速度设定为300℃/小时以上；在Al为1～15％且在大气气氛中熔化的情况下，将熔化温度设定为1200～1600℃的范围且将平均升温速度设定为320℃/小时以上)，对其进行铸造后，进行轧制和机械加工。
fe al 合金溅射

[发明专利]Fe-Al型合金溅射靶-CN201280047726.X有效
发明人： 原田健太郎 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2012-04-26 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种Fe-Al合金溅射靶，其特征在于，Al含量为1～23原子%，氧含量为100重量ppm以下，其余为Fe和不可避免的杂质。将Al为1～23原子%、其余为Fe和不可避免的杂质的Fe原料和Al原料在熔化温度为1200～1600℃、平均升温速度为300℃/小时以上的条件下熔化(其中，在Al为15～23原子%的情况下，在熔化温度为1400～1600℃的范围且平均升温速度为320℃/小时以上的条件下熔化或者在熔化温度为1200℃以上且低于1400℃的条件下熔化；在Al为1～15%且在Ar气氛中熔化的情况下，将熔化温度设定为1200～1600℃的范围且将平均升温速度设定为300℃/小时以上；在Al为1～15%且在大气气氛中熔化的情况下，将熔化温度设定为1200～1600℃的范围且将平均升温速度设定为320℃/小时以上)，对其进行铸造后，进行轧制和机械加工。
fe al 合金溅射

[发明专利]有机齐纳二极管、电子电路以及用于运行有机齐纳二极管的方法-CN201080012966.7有效
发明人：弗兰克·林德纳;比约恩·吕塞姆;原田健太郎;卡尔·利奥 -专利权人：诺瓦莱德公开股份有限公司
申请日： 2010-03-19 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：有机齐纳二极管，所述齐纳二极管具有电极、对电极以及在电极和对电极之间并且与之电接触地形成的有机层系统，其中，有机层系统包括下列有机层：电极侧的电n型掺杂的载流子注入层、对电极侧的电p型掺杂的载流子注入层以及电未掺杂的有机中间层，所述电极侧的电n型掺杂的载流子注入层由有机基质材料和n型掺杂物的混合物制成，所述对电极侧的电p型掺杂的载流子注入层由其它有机基质材料和p型掺杂物的混合物制成，所述基质材料可选择与在电极侧的电n型掺杂的载流子注入层中的基质材料一样，所述电未掺杂的有机中间层布置在电极侧的电n型掺杂的载流子注入层和对电极侧的电p型掺杂的载流子注入层之间。此外，设置有一种带有有机齐纳二极管的电子电路系统以及一种用于运行有机齐纳二极管的方法。
有机齐纳二极管电子电路以及用于运行方法

[发明专利]抗蚀剂图案形成方法-CN201110008725.1有效
发明人：中川大树;中岛浩光;若松刚史;原田健太郎;西村幸生;盐谷健夫 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2007-03-23 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供：抗蚀剂图案形成方法，包括以下步骤：使用包含含氟聚合物作为光致抗蚀剂用添加剂的感放射线性树脂组合物形成光致抗蚀剂被膜的步骤，其中，所述含氟聚合物采用凝胶渗透色谱法测定的重均分子量为1000～50000，在形成上述光致抗蚀剂被膜时与水的后退接触角为70度以上；将波长193nm处的折射率比空气的折射率大的液浸曝光用液体介于透镜与光致抗蚀剂被膜之间并对其进行放射线照射的步骤；以及现影上述曝光的光致抗蚀剂被膜的步骤。
抗蚀剂图案形成方法

[发明专利]用于有机pin型发光二极管的结构及其制造方法-CN200910225788.5有效
发明人：米夏埃尔·霍夫曼;扬·比尔恩施托克;扬·布洛赫维茨-尼莫特;安斯加尔·维尔纳;梅尔廷·普法伊费尔;原田健太郎 -专利权人：诺瓦莱德公开股份有限公司
申请日： 2006-04-13 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：用于有机pin型发光二极管的结构及其制造方法。本发明是涉及一种有机pin型发光二极管结构，具有电极、反电极和位于电极和反电极之间的有机叠层，其中有机叠层包括包含k(k＝1，2，3，...)种有机基质材料的发射层、设置在电极和发射层之间的掺杂电荷载流子传输层、设置在反电极和发射层之间的附加掺杂电荷载流子传输层、和设置在掺杂电荷载流子传输层之一和发射层之间的阻挡层。有机叠层由n(n≤k+2)种有机基质材料形成，其中n种有机基质材料包括发射层的k种有机基质材料。有机叠层还可以无阻挡层的方式来实施，这时发射层和掺杂电荷载流子传输层由一种有机基质材料形成。而且，给出了该结构的制造方法。
用于有机 pin 发光二极管结构及其制造方法

[发明专利]用于有机pin型发光二极管的结构及其制造方法-CN200910225792.1有效
发明人：米夏埃尔·霍夫曼;扬·比尔恩施托克;扬·布洛赫维茨-尼莫特;安斯加尔·维尔纳;梅尔廷·普法伊费尔;原田健太郎 -专利权人：诺瓦莱德公开股份有限公司
申请日： 2006-04-13 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：用于有机pin型发光二极管的结构及其制造方法。本发明是涉及一种有机pin型发光二极管结构，具有电极、反电极和位于电极和反电极之间的有机叠层，其中有机叠层包括包含k(k＝1，2，3，...)种有机基质材料的发射层、设置在电极和发射层之间的掺杂电荷载流子传输层、设置在反电极和发射层之间的附加掺杂电荷载流子传输层、和设置在掺杂电荷载流子传输层之一和发射层之间的阻挡层。有机叠层由n(n≤k+2)种有机基质材料形成，其中n种有机基质材料包括发射层的k种有机基质材料。有机叠层还可以无阻挡层的方式来实施，这时发射层和掺杂电荷载流子传输层由一种有机基质材料形成。而且，给出了该结构的制造方法。
用于有机 pin 发光二极管结构及其制造方法

[发明专利]构图分析方法、具有构图分析功能的图像装置、构图分析程序、以及计算机可读记录介质-CN200880008721.X无效
发明人：坂本泰宏;稻蔭正彦;原田健太郎 -专利权人：学校法人庆应义墪;奥林巴斯株式会社
申请日： 2008-07-31 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： H04N1/387 文献下载
摘要：本发明公开一种能够容易地执行构图分析以获得优选构图的技术。根据该技术，一种方法获取图像数据(S1)，分析图像数据以获取表示图像数据构图的特征的多条构图线(S6)，并且在由所获取的构图线形成的构图中，检测从由构图线划分的区域中的多个边中选择的2个边的比例是预定值(例如黄金比例)(S7)。
构图分析方法具有功能图像装置程序以及计算机可读记录介质

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