专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]测量钙-41同位素丰度的原子阱痕量分析系统及测量方法-CN202210904437.2在审
  • 夏彤岩;夏添;孙伟伟;卢征天;蒋蔚 - 中国科学技术大学
  • 2022-07-29 - 2022-10-18 - G01N21/64
  • 本发明提供了一种测量钙‑41同位素丰度的原子阱痕量分析系统。分光及调制单元将423nm激光产生单元产生的测量激光分为第一囚禁激光、第二囚禁激光和第三囚禁激光;453nm激光产生单元产生回泵激光。金属钙样品在原子炉内形成包括钙‑41原子和钙‑43原子的钙原子束;原子束挡板在打开状态的情况下,钙原子束进入磁光阱;磁光阱利用第一囚禁激光、第二囚禁激光和第三囚禁激光囚禁钙‑41原子和钙‑43原子,并使钙‑41原子和钙‑43原子发出荧光,利用回泵激光延长钙‑41原子和钙‑43原子的囚禁时间。通过对磁光阱中被囚禁的钙‑41原子和钙‑43原子发出的荧光进行探测,实现对钙‑41同位素丰度的测量。本发明还提供了一种测量钙‑41同位素丰度的原子阱痕量分析测量方法。
  • 测量41同位素原子痕量分析系统测量方法
  • [发明专利]空气中85-CN202110381593.0有效
  • 储艳清;卢征天;蒋蔚;胡水明;杨国民;夫劳瑞·瑞特布什;赵磊 - 中国科学技术大学
  • 2021-04-09 - 2022-07-15 - G01N30/88
  • 本发明公开一种空气中85Kr气体分离提取及含量的自动连续测量系统,通过真空装置将整套系统抽真空,空气样品气体通入除水装置,去除水和二氧化碳,之后经第一质量流量计以合适流速进入液氮浸泡的第一活性炭低温冷阱,待样品进行一定时间蒸馏后,通过温控装置对第一活性炭冷阱升温,进一步浓缩,初步富集完成后,第一活性炭低温冷阱加热,氦载气装置通过氦气带着第一活性炭低温冷阱中的氪气和其他气体进入气相色谱装置第一次色谱,氪气出峰时返回导入到第二活性炭低温冷阱第二次色谱,氪气经吸气除气装置纯化后送到收集容器,收集容器转到ATTA测量系统测量样品中85Kr含量,实现空气中85Kr气体连续分离提取以及含量的自动连续测量。
  • 空气basesup85
  • [发明专利]超高亮度真空紫外灯-CN202011524714.4有效
  • 王杰;夫劳瑞·瑞特布什;卢征天;蒋蔚;胡水明;杨国民 - 中国科学技术大学
  • 2020-12-22 - 2022-04-19 - H01J65/04
  • 本发明公开超高亮度真空紫外灯,包括石英保护件和具有依次连通的过渡接头、石英短管和长管、小直径石英管的紫外灯本体;小直径石英管的孔径小于石英短管和长管的孔径;过渡接头的金属管端能接入气体,石英长管是气体被激发到等离子体态的起始场所;石英长管的自由端开有孔,该孔与石英长管的内部通道连通;石英保护件与紫外灯本体相连,石英长管的自由端伸入石英保护件内。紫外灯本体中小直径石英管的孔径小于石英短、长管的孔径,形成独特的流导梯度,等离子体态气体会在流经石英长管底部的小孔后被汇聚,且灯中本有气压上高下低的特征,电离过程很难传播至灯管上方,使绝大多数等离子体集中在石英保护件内,进入超高亮度模式,释放巨量光子。
  • 超高亮度真空紫外
  • [发明专利]线圈结构、线圈参数确定方法、装置及电子设备-CN202010707864.2有效
  • 陈梁;邹长铃;卢征天;董春华;郭光灿 - 中国科学技术大学
  • 2020-07-21 - 2021-08-13 - H01F7/20
  • 本公开实施例公开了一种线圈结构、线圈参数确定方法、装置、电子设备、系统及存储介质。包括:位于同一平面的内线圈和外线圈,内线圈和外线圈为由导线通过盘绕形成的圆环形线圈;内线圈和外线圈以产生相反方向的轴向磁场方向的方式连接;当内线圈和外线圈通电流后,将产生磁光阱的三维磁场。本公开实施例由于线圈结构是平面结构,因此,在使用时,将其平行放置在腔体的一个腔壁平面附近,即可实现提供磁光阱所需的磁场工作点,且不会造成对其它腔壁平面上的光束路径的遮挡。由于将其放置在腔体的一个腔壁平面附近即可实现提供磁光阱所需的磁场工作点,因此,线圈结构的尺寸与腔体体积无关,避免了对磁场工作点提供的磁场梯度的影响。
  • 线圈结构参数确定方法装置电子设备
  • [发明专利]一种冷原子与离子速度成像复合的探测系统-CN202011588781.2在审
  • 刘斯禹;蒋蔚;卢征天;杨国民;王钰婵 - 中国科学技术大学
  • 2020-12-28 - 2021-04-23 - G21K1/00
  • 本发明公开了一种冷原子与离子速度成像复合的探测系统,包括离子透镜部分和磁光阱部分,所述的离子透镜部分包括五片同轴心电极,依次为排斥极,两片同电势的引出极,一片加速极,一片接地级,通过在这些电极上施加设计好的电场,五片电极可以构成一个离子透镜;所述的磁光阱部分中磁光阱的反亥姆霍兹线圈磁场零点和六束激光相交于两片引出极电极的几何中心处,捕获囚禁原子,产生冷原子。超低温低动能离子源通过结合磁光阱和离子透镜,即可利用各种后续方法产生超低温低动能的离子源。凡是可以被磁光阱捕获的元素都适用于这一个装置,大大拓展了离子速度成像系统可以研究对象的范围。
  • 一种原子离子速度成像复合探测系统
  • [发明专利]同位素富集靶装置和同位素富集方法-CN201711152985.X有效
  • 孙良亭;刘建立;贾泽华;杨伟顺;方兴;张金泉;卢征天 - 中国科学院近代物理研究所
  • 2017-11-16 - 2020-05-22 - B01D59/10
  • 本发明的实施例公开了一种同位素富集靶装置和一种同位素富集方法。同位素富集靶装置包括:支架;可转动地安装于支架的主动靶轴;用于驱动主动靶轴旋转的驱动装置;以及收集靶薄膜,所述收集靶薄膜连接于主动靶轴,以在同位素富集时进行了同位素富集的部分卷绕在主动靶轴上。同位素富集方法包括:将收集靶薄膜设置在靶室中;使同位素入射到收集靶薄膜的在同位素富集位置的部分上;以及在同位素入射到收集靶薄膜的在同位素富集位置的部分上持续预定的时间后,移动收集靶薄膜,使未进行同位素富集的收集靶薄膜的部分进入同位素富集位置,以进行同位素富集。根据本发明的实施例,避免同位素在收集靶薄膜内饱和而收集效率下降,保证了收集效率的稳定。
  • 同位素富集装置方法

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