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[发明专利]一种利用扩散边界层的刻蚀仿真方法、装置及设备-CN202310997697.3有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 华芯程（杭州）科技有限公司
申请日： 2023-08-09 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及光刻模拟领域，特别是涉及一种利用扩散边界层的刻蚀仿真方法、装置、设备及计算机可读存储介质，通过接收仿真掩模板形状数据；确定包括所述仿真掩模板形状数据的矩形计算域；在所述仿真掩模板形状数据的边缘位置确定预设厚度的界面区域；根据去除所述界面区域的所述仿真掩模板形状数据确定定义域；对所述矩形计算域中的点引入场变量；通过正交网格的扩散方程计算求解，得到光刻模拟形状数据。本发明在扩散方程中整理出包含边界条件的项，也即相当于将边界条件整合进算式中，避免了在扩散方程的基础上面对不规则的掩模板边缘手动添加各种边界条件，省去了单独处理边界条件的步骤，缩短了对光刻过程的计算机仿真时间，提升了仿真效率。
一种利用扩散边界层刻蚀仿真方法装置设备

[发明专利]光学邻近修正方法、装置、设备及计算机可读存储介质-CN202311002099.4在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 华芯程（杭州）科技有限公司
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明涉及光刻仿真领域，特别是涉及一种光学邻近修正方法、装置、设备及计算机可读存储介质，通过获取目标版图；对所述目标版图进行MBOPC模拟，得到全芯掩膜；确定所述全芯掩膜上的坏点；根据所述坏点确定待调区域；对所述待调区域内的边段进行扰动，并通过验证模型进行OPC模拟，记录对应的EPE变化，得到EPE影响矩阵；根据预设的生产工艺要求，确定所述EPE影响矩阵对应的约束条件；求解所述约束条件下的EPE影响矩阵，得到最优边段移动数据；根据所述最优边段移动数据对所述待调区域进行调整，得到修正掩膜。本发明对存在坏点的待调区域进行扰动，并进行二次OPC模拟在兼顾了较低算力占用的同时，解决坏点。
光学邻近修正方法装置设备计算机可读存储介质

[发明专利]一种掩膜版优化方法、装置、设备及计算机可读存储介质-CN202310990303.1在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 华芯程（杭州）科技有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明涉及光刻模拟领域，特别是涉及一种掩膜版优化方法、装置、设备及计算机可读存储介质，通过接收目标版图；将所述目标版图进行OPC修正，得到待调掩膜；确定所述待调掩膜上各个相邻的边段间的错位距离；根据相邻的边段间的错位距离，确定处理组；所述处理组中包括在所述待调掩膜上连续的多个边段，且同一处理组内的相邻的边段间的错位距离小于调整阈值；将同一处理组内的边段调整至齐平，得到优化掩膜。本发明计算所述待调掩膜上的相邻边段之间的错位距离，将错位距离较小的边段合并对齐，以避免后续掩膜生产过程中掩膜版机台不必要的反复重新定位校准，大大缩短了掩模版制造的周期，提升了掩膜版的生产效率。
一种掩膜版优化方法装置设备计算机可读存储介质

[发明专利]一种光刻胶参数获取方法及装置、电子设备-CN202310554105.0有效
发明人：郭良帅 -专利权人： 华芯程（杭州）科技有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶参数获取方法及装置、电子设备。本发明通过采集不同芯片设计版图的第一数量的光刻图形关键尺寸与光刻胶参数，建立反映两者之间关联映射关系的、具有较好泛化能力的对抗神经网络模型；然后利用当前芯片设计版图上测量得到的光刻图形关键尺寸以及快速预测得到的光刻胶参数，对该对抗神经网络模型重新训练实现其网络权值的微调，得到适配当前芯片设计版图的光刻胶参数表征模型；最后利用该光刻胶参数表征模型预测得到的光刻胶参数作为初值进行内外层结合优化，实现光刻胶参数的快速准确获取。本发明对于复杂工艺依然可以做到较高的仿真效率，计算效率高，节省了计算开销和性能开销。
一种光刻参数获取方法装置电子设备

[发明专利]一种晶圆检测机台的量测数据校准方法、装置及设备-CN202310515625.0有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 华芯程（杭州）科技有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆检测领域，特别是涉及一种晶圆检测机台的量测数据校准方法、装置、设备及计算机可读存储介质，通过获取基准图形及所述基准图像对应的可靠边缘图案；利用待校机台对所述基准图形进行扫描，得到量测边缘图案；将所述可靠边缘图案及所述量测边缘图案置于同一坐标系下，且所述可靠边缘图案的中心与所述量测边缘图案的中心重合；以重合的中心为原点，计算所述可靠边缘图案及所述量测边缘图案在多个预设方向上的边缘距离差；根据所述预设方向及对应的边缘距离差，对所述待校机台进行校准。本发明为所述待校机台在不同方向上产生的误差方向及误差大小有了一个定量的参考，帮助所述待校机台进行校准，兼顾快速检测与较高的检测准确率。
一种检测机台数据校准方法装置设备

[发明专利]一种晶圆测量机台的校准方法、装置及设备-CN202310488849.7有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 华芯程（杭州）科技有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01J37/153 文献下载
摘要：本发明涉及光刻领域，特别是涉及一种晶圆测量机台的校准方法、装置、设备及计算机可读存储介质，通过获取给定图形及所述给定图形对应的第一关键尺寸的可靠值；利用待校机台测量所述给定图形的第一关键尺寸，得到测量过程中的灰度变化曲线；通过所述灰度变化曲线，确定关键图像峰；根据所述第一关键尺寸的可靠值，在所述关键图像峰中确定目标灰度；将所述目标灰度作为所述待校机台的图形‑背景分界值，完成对所述待校机台的校准。本发明通过所述待校机台在测量过程中获得的灰度变化曲线，圈定图形的大致范围，再确定在所述给定图形与背景的边界处，所述待校机台读取到的灰度值，实现了兼顾所述待校机台高速量测与较高的的量测精度与准确率。
一种测量机台校准方法装置设备

[发明专利]一种亚分辨率辅助图形曝光模型的训练方法及相关装置-CN202310108464.3在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 华芯程（杭州）科技有限公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种亚分辨率辅助图形曝光模型的训练方法及相关装置，应用于辅助图形曝光技术领域，包括获取亚分辨率辅助图形曝光后形成的印出图像并提取印出轮廓；印出轮廓中保留亚分辨率辅助图形对应的轮廓；对印出图像进行网格划分，在印出图像形成网格；每一网格中设置有校正标尺；基于校正标尺确定每一网格中辅助图形印出轮廓覆盖的面积占比；以面积占比作为输入值对初始模型进行训练，得到曝光模型。通过在印出图像中划分出网格，计算辅助图形印出轮廓在每一网格中的面积占比，该面积占比并非二元数据，可以精确的表征亚分辨率辅助图形的印出程度。通过面积占比对初始模型进行训练，可以使得训练完成的曝光模型具有更高的准确性。
一种分辨率辅助图形曝光模型训练方法相关装置

[发明专利]一种OPC修正方法、装置、设备及计算机可读存储介质-CN202310099922.1在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 华芯程（杭州）科技有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明涉及芯片制造领域，特别是涉及一种OPC修正方法、装置、设备及计算机可读存储介质，通过接收原始版图；对所述原始版图进行EBOPC仿真，得到边缘掩膜数据；根据所述边缘掩膜数据确定评价系数；判断所述评价系数是否低于预设的处理阈值；当所述评价系数低于预设的处理阈值时，对所述原始版图进行PBOPC仿真，得到像素掩膜数据；根据所述像素掩膜数据确定输出掩膜数据。本发明先用处理速度快的EBOPC进行仿真，再对仿真得到的边缘掩膜数据进行评价，如果所述评价系数过低，则说明仿真结果与预想差距过大，再换用校正精细度高、掩膜可制造性强的PBOPC进行仿真，从而实现了对高校正精细度与高运算效率的兼顾。
一种 opc 修正方法装置设备计算机可读存储介质

[发明专利]一种OPC验证缺陷的方法、装置及设备-CN202211386947.1有效
发明人：郭良帅;张宁宁 -专利权人： 华芯程（杭州）科技有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及光刻模拟领域，特别是涉及一种OPC验证缺陷的方法、装置、设备及计算机可读存储介质，通过接收待验证版图；根据所述待验证版图进行OPC仿真，得到所述待验证版图对应的待验证点位的位置特征信息；所述位置特征信息至少包括两种位置特征值；根据所述待验证点位的位置特征信息，确定所述待验证点位对应的复合判据；将所述复合判据与预设的边界条件进行对比，判断所述待验证点位是否为缺陷点位；所述边界条件为预先通过实际检验得到的拟合边界条件。本发明通过摘取所述待验证的点位的多种位置特征值，得到基于多种特征值的复合判据，利用所述复合判据进行缺陷点位的判断，提升缺陷判断的准确性，避免了误报缺陷或者是遗漏缺陷的情况。
一种 opc 验证缺陷方法装置设备

[发明专利]一种芯片边缘放置误差确定方法、装置、设备、存储介质-CN202211586936.8在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 华芯程（杭州）科技有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种芯片边缘放置误差确定方法、装置、设备、存储介质，涉及光学邻近校正技术领域，包括：对芯片仿真的光刻胶图形边缘进行像素化处理，获取目标像素；利用预设编码方式对目标像素进行编码，获取目标像素编码；对目标像素编码进行适应性评估，并从与目标像素编码对应的目标像素中选择出第一目标像素；基于第一目标像素生成第一目标像素种群，并输出第一目标像素种群的目标适应值；利用目标适应值对PID控制器的参数进行调整，确定芯片边缘放置误差。对光刻胶图形边缘进行像素化处理并且基于对目标像素编码的适应性评估的方式选择合适的适应值，将目标适应值至PID控制器的参数调整中，实现简单便捷的确定芯片边缘放置误差。
一种芯片边缘放置误差确定方法装置设备存储介质

[发明专利]光学邻近修正的蚀刻模型训练方法及光学邻近修正方法-CN202211389169.1有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 华芯程（杭州）科技有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G06V10/774 文献下载
摘要：本发明涉及光学邻近修正领域，特别是涉及一种光学邻近修正的蚀刻模型训练方法及光学邻近修正方法，通过确定测试掩膜板训练集，并获取所述测试掩膜板训练集包括的图形数据及刻蚀晶片轮廓数据；根据所述图形数据确定对应的模拟光学图像数据；根据所述图形数据、所述刻蚀晶片轮廓数据及所述模拟光学图像数据，通过原始卷积神经网络模型及图像阈值，得到光学邻近修正的蚀刻模型。本发明提供的蚀刻模型，不需要采集所述训练集测试模板光刻后光刻胶的关键尺寸或者轮廓的数据，因此大大节省了模型训练成本，缩短了模型训练时间，同时，基于卷积神经网络训练的蚀刻模型具有很高的准确度，输出的掩膜板图案经过刻蚀得到的图案与目标图案的相近度高。
光学邻近修正蚀刻模型训练方法

[发明专利]一种金属层连接通孔的版图设计方法、装置及设备-CN202211680007.3有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 华芯程（杭州）科技有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明涉及版图生产领域，特别是涉及一种金属层连接通孔的版图设计方法、装置及设备，通过接收待处理版图；根据所述待处理版图，确定孤立通孔及与所述孤立通孔对应的孤立方向；所述孤立通孔在所述孤立方向的设计距离内无其他电路结构；在所述孤立通孔的至少一个孤立方向内设置冗余通孔，得到通孔待优化版图；将所述通孔待优化版图输入预设的初始光刻模型，确定目标函数最优解时的所述冗余通孔在对应的孤立通孔的孤立方向上的位置信息，得到目标优化版图。在本发明中，先按照预设的规则找出需要添加冗余通孔的孤立通孔及对应的孤立方向，再进行模拟，验证冗余通孔的有效性，并得到冗余通孔位置最优的目标优化版图，保证金属层之间的电连接。
一种金属接通版图设计方法装置设备

[发明专利]光学邻近校正模型的训练方法、装置及光学邻近校正方法-CN202211395502.X有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 华芯程（杭州）科技有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明涉及光学邻近校正领域，特别是公开了一种光学邻近校正模型的训练方法、装置及光学邻近校正方法，通过确定目标版图，并获取所述目标版图中的扫描单元对应的图案特征信息及透光信号；将所述图案特征信息与所述透光信号输入脉冲神经网络与深度强化学习的复合模型，得到光线‑图案模型；所述光线‑图案模型的输入为所述透光信号，输出为所述透光信号对应的图案特征信息；获取掩膜板训练集；对所述掩膜板训练集进行光刻，得到掩膜板透光信号；利用所述掩膜板透光信号，通过所述光线‑图案模型，获得光学邻近校正模型。本发明大大缩短了模型训练素材的准备时间，提高了模型的训练效率，同时降低了模型训练硬件成本，提高了模型的校正准确度。
光学邻近校正模型训练方法装置

[发明专利]一种光刻掩膜形状预测方法及装置、电子设备-CN202211592524.5有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 华芯程（杭州）科技有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻掩膜形状预测方法及装置、电子设备。本发明提供的光刻掩膜形状预测方法，利用一种基于类脑计算下的脉冲神经网络结合自适应优化进行光刻掩膜形状预测；从光刻系统产生的光源，通过投影式曝光将光源照射到会聚透镜上，进而使其曝光显影在掩膜上，再透过掩膜投影到晶圆上；通过在光束到达晶圆前预测其光刻掩膜形状，可以在版图设计阶段对芯片设计图形优先做相应的调整优化以及对初始照射光源进行调整优化，使得最终照射到晶圆的光满足光刻需求。
一种光刻形状预测方法装置电子设备

[发明专利]一种光掩膜优化方法及装置、电子设备-CN202211587680.2有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 华芯程（杭州）科技有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种光掩膜优化方法及装置、电子设备。本发明提供的光掩膜优化方法通过以包括工艺变化带宽的多个目标参数对应的多个目标函数加权组合构成复合目标函数，并结合约束条件对复合目标函数进行最优化求解，获取满足所述约束条件的最优解所对应的目标移动量，根据所述目标移动量对相应切分单元进行移动，使得优化后的光刻成像图形最大程度上优化了工艺窗口以及成像质量，为高端芯片光刻过程的OPC最终结果更加合理，具有更高的准确性。
一种光掩膜优化方法装置电子设备

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