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[发明专利]贮留装置、气化器、基板处理装置以及半导体装置的制造方法-CN201680072763.4有效
发明人： 北川直子;和田优一 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：提供一种能实现高生产率的处理装置并且为了实现该装置而提供以下的结构。即，提供一种结构，其具备：侧壁，其构成为圆周状；盖壁，其配设在所述侧壁的上端侧；底壁，其与所述侧壁的下端侧连接且具有能够载置在重量检测器上的载置面；贮留室，其由所述侧壁、所述盖壁以及所述底壁围成；凹部，其与所述贮留室连通且设于所述底壁；联络管，其构成为一端与所述凹部中的重力方向的部位连接且另一端在所述底壁内在与重力方向不同的方向上延伸，并构成为直径比所述凹部的直径小；气体流路，其设置在与所述底壁不同的壁上；以及液体排出路，其与所述联络管的下游端连接。
装置气化处理以及半导体制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN202010384414.4在审
发明人：小仓慎太郎;原田和宏;大谷翔吾;本田刚一;梅本卫;下田和广;吉野昭仁;北川直子;龟田贤治 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。课题为提高处理容器内进行的衬底处理的质量。具有以规定次数进行包含以下工序的循环而在衬底上形成膜的工序：(a)经由金属制的第1配管向衬底处理装置的处理容器内的衬底供给原料气体的工序；(b)经由在内表面连续形成有含氟层的金属制的第2配管向处理容器内的衬底供给含氧气体的工序；以及(c)经由第2配管向处理容器内的衬底供给含氮及氢气体的工序。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[发明专利]半导体器件的制造方法、表面处理方法、衬底处理装置及记录介质-CN201911260282.8在审
发明人：原田和宏;南政克;吉野昭仁;西田政哉;北川直子;小仓慎太郎;大谷翔吾 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、表面处理方法、衬底处理装置及记录介质。要解决的课题为，提高在处理容器内进行的衬底处理的品质。半导体器件的制造方法具有下述工序：通过将下述循环进行规定次数，从而在衬底上形成膜的工序，所述循环包含：从第1喷嘴及金属制的第1配管向处理容器内的衬底供给原料气体的工序，从第2喷嘴及金属制的第2配管向处理容器内的衬底供给含氧气体的工序，和从第2配管及第2喷嘴向处理容器内的衬底供给含氮及氢气体的工序；和(b)通过向第2配管内供给含氟气体，从而使含氟气体与第2配管的内表面进行化学反应，在第2配管的内表面形成连续的含氟层的工序。
半导体器件制造方法表面处理衬底装置记录介质