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[实用新型]下电极装置及半导体工艺设备-CN202320644737.1有效
发明人：刘晓行;张旭;姬云磊 -专利权人： 北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种下电极装置及半导体工艺设备，该下电极装置包括：卡盘、射频馈入同轴管、直流电源以及至少一个正极供电线缆；卡盘内设有加热器，加热器的负极通过射频馈入同轴管的管壁与直流电源的负极电连接；正极供电线缆设置于射频馈入同轴管内，加热器的正极通过正极供电线缆与直流电源的正极电连接。本方案能够减小射频馈入同轴管的尺寸，并降低卡盘的对地电容。
电极装置半导体工艺设备

[实用新型]射频能量调节装置以及半导体工艺设备-CN202321349809.6有效
发明人：赵长江;朱平;王凯;任攀 -专利权人： 北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供一种射频能量调节装置，用于射频源与射频电极之间的能量调节，所述射频能量调节装置包括：屏蔽外壳，所述屏蔽外壳具有安装腔，所述屏蔽外壳用于防止射频能量外泄；设置在所述安装腔内的阻抗匹配单元，所述阻抗匹配单元用于调节所述射频源与所述射频电极之间的阻抗；设置在所述安装腔内的功率分配单元，所述功率分配单元用于将射频能量分配至多个不同的所述射频电极，所述阻抗匹配单元的输出端与所述功率分配单元的输入端电连接。本实用新型的射频能量调节装置通过将阻抗匹配单元和功率分配单元设置在同一屏蔽外壳中，缩短了物理距离，从而减少射频能量在阻抗匹配单元和功率分配单元之间传递的能量损耗，从而提高了传输效能。
射频能量调节装置以及半导体工艺设备

[实用新型]一种半导体清洗设备的清洗臂结构及半导体清洗设备-CN202223324067.X有效
发明人：陈忠明;宋爱军;赵宏宇;张敬博;李欢;郑洪;王瑞轩 -专利权人： 北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体清洗设备的清洗臂机构及半导体清洗设备，涉及半导体技术领域，清洗臂结构包括设置在安装底板上的驱动组件和清洗臂旋转组件，驱动组件与清洗臂旋转组件之间通过传动带传动，驱动组件通过安装部件与安装底板连接，安装部件上设置有张紧块，张紧块螺纹连接有张紧螺钉，安装底板上设置有挡块，挡块用于与张紧螺钉的螺纹端相抵靠；解决现有技术中的清洗臂结构在进行传动带的张紧调节时只能凭借操作者的经验确定调节量，调节量不易进行精准控制，无法进行精细调节的问题。
一种半导体清洗设备结构

[发明专利]一种聚焦环及半导体工艺腔室-CN202310870346.6在审
发明人：刘岩;周赐;董子晗;王丽萍 -专利权人： 北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种聚焦环及半导体工艺腔室，聚焦环包括：环体，包括相对设置的第一内环形面和第一外环形面，以及从上下两侧分别连接第一内环形面和第一外环形面的第一顶面和底面；环形凸台，设置于第一顶面，并与环体同轴设置；环形凸台包括第二内环形面和第二外环形面，以及从上方连接第二内环形面和第二外环形面的第二顶面；第二内环形面的半径大于第一内环形面的半径；至少三个定位块，设置于第一顶面，并位于一与环体同心的定位圆上，定位圆的半径大于第一内环形面的半径，且小于第二内环形面的半径；定位圆的圆心位于定位块依次连接所形成的多边形的内部。
一种聚焦半导体工艺

[发明专利]线圈、线圈组件、线圈装置及半导体工艺设备-CN202311022487.9在审
发明人：赵伟康;王海莉;姚卫杰;袁倩 -专利权人： 北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-08-14 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01F5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种线圈、线圈组件、线圈装置及电感耦合等离子体半导体工艺设备。线圈以回转延伸的方式设置在平面上，线圈包括多个弧形部和连接部，弧形部和连接部绕线圈的回转中心设置；线圈具有第一端和第二端，自线圈的第一端至第二端，弧形部与连接部依次交替间隔分布且弧形部的回转半径逐渐增大；多个弧形部中的至少一个包括依次相连的第一变形段、圆弧段和第二变形段。本发明的线圈通过在弧形部上设置第一变形段、第二变形段，进而抵消了线圈为躲避接线柱而引起的面积差异，从而使晶圆上方区域等离子密度分布更加均匀。
线圈组件装置半导体工艺设备

[发明专利]半导体工艺设备-CN202310789134.5在审
发明人：陈波 -专利权人： 北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体工艺设备，包括一外石英轴和石英轴固定装置，该石英轴固定装置包括：轴筒，轴筒用于容纳外石英轴，轴筒的筒壁包括可变形段和不可变形段；环形夹紧结构，环形夹紧结构沿可变形段的周向设置，包括设于可变形段的内周的弹性凸环，弹性凸环的内径小于不可变形段的内径，当外石英轴插入轴筒内时，弹性凸环与外石英轴的外周过盈配合；底座，轴筒设置在底座上。可变形段能够调节其径向尺寸，便于外石英轴插入轴筒，通过可变形段的环形夹紧结构，使外石英轴在径向和轴向被夹紧于轴筒内，避免外石英轴上下运动时与轴套产生轴向和径向的相对窜动，保证外石英轴上下运动的位置精度。
半导体工艺设备

[发明专利]一种半导体器件的刻蚀方法-CN202310713043.3在审
发明人：马一鸣;杨光;王京 -专利权人： 北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的刻蚀方法，该刻蚀方法包括：第一刻蚀阶段：利用第一刻蚀气体对目标膜层进行刻蚀，以在目标膜层上形成第一开口槽；第一刻蚀气体含有对目标膜层起刻蚀作用的第一元素和能够与目标膜层生成聚合物以保护第一开口槽的侧壁的第二元素；第二刻蚀阶段：利用第二刻蚀气体对经过第一刻蚀阶段的剩余厚度的目标膜层进行刻蚀，以增大第一开口槽的侧壁的垂直度；第二刻蚀气体含有第一元素和第二元素；第二刻蚀气体中第一元素的含量小于第一刻蚀气体中第一元素的含量；和/或，第二刻蚀气体中的第二元素的含量大于第一刻蚀气体中的第二元素的含量。本发明能够提升刻蚀速度及刻蚀均匀性，优化了侧壁形貌，能够精准传递关键尺寸。
一种半导体器件刻蚀方法

[发明专利]半导体工艺设备及其工艺腔室-CN202310745558.1在审
发明人：王磊;李冰;李强;胡烁鹏;赵康宁;杨依龙 -专利权人： 北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体工艺设备的工艺腔室，包括腔体、校准机构以及设于腔体之内的承载座、托架和遮蔽部件；校准机构设于腔体；遮蔽部件可随托架在第一位置与第二位置之间切换；在遮蔽部件处在第一位置的情况下，遮蔽部件与承载座错开，且校准机构可将遮蔽部件调整至托架上的预设位置处；在遮蔽部件处在托架上的预设位置处，且托架带动遮蔽部件运动至第二位置的情况下，遮蔽部件位于承载座的上方，且遮蔽部件的中心轴线与承载座的中心轴线之间的间隔距离小于或等于第一预设距离。此方案能解决相关技术涉及的工艺腔室在对遮蔽部件进行位置校准时较易产生颗粒而污染承载座的问题。本申请还公开一种半导体工艺设备。
半导体工艺设备及其工艺

[发明专利]半导体加工设备的门结构及半导体加工设备-CN202310753801.4在审
发明人：李洪利;宋新丰 -专利权人： 北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： F27D1/18 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体加工设备的门结构及半导体加工设备，其中，半导体加工设备的门结构包括门板，且门板上开设有第一窗口，第一窗口上设置有用于观察半导体加工设备内部的视窗，视窗至少包括第一层观察窗、第二层观察窗以及位于第一层观察窗、第二层观察窗之间用于隔离第一层观察窗、第二层观察窗的隔离垫。本发明提供的半导体加工设备的门结构及半导体加工设备，能够提半导体加工设备的使用安全性。
半导体加工设备结构

[发明专利]温度控制装置、方法及半导体工艺设备-CN202311035663.2在审
发明人：乐中天;范光华;朱万玉;郭恒;闪陆通 -专利权人： 北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种温度控制装置、方法及半导体工艺设备，该装置中，第一供应单元用于提供第一温度的流体；第二供应单元用于提供第二温度的流体；液泵与流体通道的输出端连接；流体控制单元用于将第一供应单元提供的流体，和/或第二供应单元提供的流体，和/或液泵输出的流体，输送至流体通道，并实时检测流体控制单元向流体通道的输入端输出流体的第一温度值，且根据第一温度值和预设的目标温度值，实时调节第一供应单元和/或第二供应单元和/或液泵输送至流体通道的流量比例，以使第一温度值等于目标温度值。本方案可以使静电卡盘的加热速率以及制冷速率都得到提高。
温度控制装置方法半导体工艺设备

[发明专利]获取方法、阻抗匹配器及其方法和半导体工艺设备-CN202310744728.4在审
发明人：卫晶;韦刚;华跃平 -专利权人： 北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种用于半导体工艺设备阻抗匹配的最优匹配路径的获取方法、应用于半导体工艺设备的阻抗匹配方法、阻抗匹配器和半导体工艺设备。该阻抗匹配方法包括：在工艺开始时，将阻抗匹配器的可调元件的参数值调节为预设的初始值；当射频电源开启时，按照预先存储的与工艺对应的最优匹配路径，调节可调元件的参数值；最优匹配路径包括预设匹配时段内的不同时刻对应的可调元件的参数值；在到达最优匹配路径的终点时刻之后，采用自动匹配算法调节可调元件的参数值，直至达到阻抗匹配。本发明实施例提供的应用于半导体工艺设备的阻抗匹配方法、阻抗匹配器和半导体工艺设备，可以提高工艺的可重复性和稳定性，从而可以提高工艺结果的一致性。
获取方法阻抗配器及其半导体工艺设备

[发明专利]用于形成鳍式场效应晶体管的栅极结构的方法-CN202310764181.4在审
发明人：赵向坤;朱瑞苹;张龙;马怡曼 -专利权人： 北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供了用于形成鳍式场效应晶体管的栅极结构的方法，包括：首先主刻蚀工艺阶段利用第一工艺气体，对栅极层刻蚀至第一预定位置；然后第一软着陆工艺阶段利用第二工艺气体，继续对栅极层刻蚀至第二预定位置；其中，第一软着陆工艺阶段产生的刻蚀副产物在栅介质层的表层形成保护层；其次第二软着陆工艺阶段利用第三工艺气体，继续对栅极层进行刻蚀，去除鳍形层的顶面下方剩余的栅极层以得到栅极结构；最后过刻蚀工艺阶段利用第四工艺气体，去除栅极结构底部的残留聚合物。上述方法通过第一软着陆工艺阶段在栅介质层的表层生成保护层，避免了栅极刻蚀过程中鳍形层即Fin层损伤问题，实现了栅极的垂直且形貌均匀刻蚀。
用于形成场效应晶体管栅极结构方法

[发明专利]一种半导体工艺设备的控制方法、设备和下位机-CN202310614256.0在审
发明人：王毅恒 -专利权人： 北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种半导体工艺设备的控制方法、工半导体工艺设备和下位机，所该方法应用于下位机，包括：接收上位机发送配置文件，配置文件包括硬件信息、业务需求信息；根据硬件信息，配置实现硬件控制逻辑的控制类；控制类提供调用接口；根据业务需求信息，配置实现业务逻辑的业务类，并为业务类关联硬件对应的控制类提供的调用接口，以控制硬件。本发明可以根据上位机发送的配置文件，配置控制类和业务类，同时为业务类关联硬件对应的控制类提供调用接口，以控制硬件，本发明多种半导体工艺设备可以共用控制类业务类，避免了使用不同机台时需要重新开发软件，提高了软件开发的效率。
一种半导体工艺设备控制方法设备下位

[发明专利]半导体工艺设备及其平坦化晶圆表面的方法-CN202310804521.1在审
发明人：王冬涵;王京;蒋中伟 -专利权人： 北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体工艺设备及其平坦化晶圆表面的方法，属于半导体工艺技术。该方法包括：提供表面具有待平坦化膜层的待平坦化晶圆，待平坦化膜层具有不平坦表面；通过第一工艺气体对待平坦化膜层进行第一等离子体刻蚀，以使得不平坦表面平坦化；第一工艺气体的刻蚀气体用于刻蚀待平坦化膜层，并形成固体副产物附着在待平坦化膜层表面，第一工艺气体的轰击气体用于轰击待平坦化膜层表面及附着在待平坦化膜层表面的固体副产物，以使得待平坦化膜层的凸起处及附着在凸起处的固体副产物在溅射作用下部分填充在待平坦化膜层的凹陷处。本技术方案，其可通过等离子体刻蚀工艺对晶圆表面进行平坦化处理，以简化工艺流程、缩短工艺周期和降低工艺成本。
半导体工艺设备及其平坦化晶圆表面方法

[发明专利]半导体器件、光器件及半导体结构的制造方法-CN202311047857.4在审
发明人：赵晋荣;李佳阳;杨光;董博宇;袁福顺;赵万辉 -专利权人： 北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种半导体器件、光器件及半导体结构的制造方法，其中所述制造方法包括：在衬底上形成叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的功能层和牺牲层，所述功能层和所述牺牲层由相同材料构成，所述牺牲层掺杂有n型或p型杂质，且所述牺牲层的掺杂浓度大于所述功能层；从所述叠层结构中选择性地去除所述牺牲层。
半导体器件器件半导体结构制造方法