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- [发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202310933965.5在审
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孟令款;张志勇;彭练矛
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北京元芯碳基集成电路研究院
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2023-07-27
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2023-10-20
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H01L27/088
- 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法,属于半导体技术领域,该器件包括:衬底,在衬底上具有沟道层、栅极结构以及位于所述栅极结构两侧的源极和漏极,所述栅极结构包括栅介质层和栅极,所述栅介质层同时覆盖于栅极结构以外的沟道层表面,且不覆盖于所述源极和所述漏极,覆盖于栅极结构以外的沟道层表面的栅介质层的厚度小于所述栅极结构下方栅介质层的厚度;在所述栅极结构和所述栅介质层上覆盖有介质阻挡层;所述源极和所述漏极包括源漏金属接触层和/或金属刻蚀阻挡层。本发明提供器件及其制备方法,可有效避免在形成源漏金属接触材料时,在栅极侧墙表面上沉积多余的金属;同时能够降低对源漏接触区的刻蚀损伤。
- 半导体器件及其制备方法
- [发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202310964175.3在审
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孟令款;张志勇;彭练矛
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北京元芯碳基集成电路研究院
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2023-08-02
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2023-10-13
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H01L29/417
- 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法,属于半导体器件技术领域,该器件包括衬底、衬底上方的沟道层、栅极结构以及位于栅极结构两侧的源极和漏极,栅极结构包括栅介质层和位于栅介质层上方的栅极堆叠结构,在栅极结构区域外具有覆盖沟道层的部分栅介质层,并且该区域的栅介质层厚度小于栅极下方的栅介质层的厚度,在源极和漏极区域不存在栅介质层;在源极和漏极中分别具有源极接触金属层和漏极接触金属层,以及位于源极接触金属层和漏极接触金属层上方的第一局部互连金属层和第二局部互连金属层。本申请提供的器件及方法,可以有效避免侧墙材料层侧壁表面沉积上不必要的金属,从而能够降低寄生电阻以及避免形成潜在的漏电通路问题。
- 半导体器件及其制备方法
- [发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202310964179.1在审
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孟令款;张志勇;彭练矛
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北京元芯碳基集成电路研究院
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2023-08-02
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2023-10-13
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H01L23/48
- 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法,属于半导体器件技术领域,该器件包括:衬底,在衬底上具有沟道层、栅极结构以及位于栅极结构两侧的源极和漏极,栅极结构包括栅介质层和栅极,栅介质层同时覆盖于栅极结构以外的沟道层表面,且不覆盖于源极和漏极,覆盖于栅极结构以外的沟道层表面的栅介质层的厚度小于栅极下方栅介质层的厚度;第一局部互连金属层直接形成于源极和漏极上方并与其连接,第二局部互连金属层形成于第一局部互连金属层及栅极上表面并相互对准,从而与源极、漏极和栅极形成电接触。本发明提供的方法可以有效避免栅极的侧壁表面沉积上不必要的金属,从而能够降低寄生电阻以及避免形成潜在的漏电通路问题。
- 半导体器件及其制备方法
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