专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]流量传感器芯片及智能输液泵-CN202223051760.4有效
  • 于友斌 - 力晟智感科技无锡有限公司
  • 2022-11-14 - 2023-06-06 - A61M5/142
  • 本实用新型公开一种流量传感器芯片及智能输液泵,具体地,流量传感器芯片包括感应单元和检测控制单元;感应单元的第一信号输出端与检测控制单元的第二信号输入端相接,检测控制单元的第二信号输出端与配套的智能输液泵的调节单元相接,感应单元,用于采集智能输液泵的输液速度信号,通过感应单元对智能输液泵中的输液速度进行检测并将检测结果发送至检测控制单元中,使得检测控制单元能够通过检测结果与接收的预计输液速度进行对比,得到控制智能输液泵的控制信号,以此实现在无需护士手动调速的情况下,实现智能输液泵的输液速度的智能调节,以此提升输液控制的便捷性和输液效率。
  • 流量传感器芯片智能输液
  • [实用新型]基于MEMS技术的流量传感器芯片及流量传感器-CN202222567686.5有效
  • 于友斌 - 力晟智感科技无锡有限公司
  • 2022-09-27 - 2023-04-14 - G01F1/684
  • 本实用新型涉及传感器技术领域,并公开了一种基于MEMS技术的流量传感器芯片以及流量传感器,所述基于MEMS技术的流量传感器芯片,包括微加热器,上游热电堆,下游热电堆,底层介质薄膜,硅衬底,腔室;所述微加热器、所述上游热点堆和所述下游热电堆设置在底层介质薄膜上方,所述上游热电堆和下游热电堆分别设置在所述微加热器的两侧;所述底层介质薄膜的下方设置有所述硅衬底,所述底层介质薄膜和所述硅衬底的之间设置有腔室,所述腔室包括半圆形空腔。本实用新型通过硅衬底的上部开设半圆形刻蚀槽,从而,提高热电堆的灵敏度,降低成本。
  • 基于mems技术流量传感器芯片
  • [实用新型]MEMS流量传感器-CN202222570272.8有效
  • 于友斌 - 力晟智感科技无锡有限公司
  • 2022-09-27 - 2023-02-21 - G01F1/56
  • 本申请涉及传感器控制领域,并公开了一种MEMS流量传感器,该MEMS流量传感器包括:PCB板、采集芯片、控制芯片、感应薄片单元、连接线、刚体外壳、硅胶和胀套;所述采集芯片、所述感应薄片单元和所述控制芯片设置在所述PCB板的元件安装面,所述采集芯片通过所述连接线连接所述感应薄片单元,所述感应薄片单元通过所述连接线连接所述控制芯片;所述刚体外壳的底部连接所述PCB板的连接形成开放式容腔,所述元件安装面置于所述开放式容腔内,所述硅胶填充于所述开放式容腔内,所述刚体外壳的顶部连接所述胀套。本申请提高了流量传感器的工作效率。
  • mems流量传感器
  • [发明专利]微机电系统传感器芯片制备方法及其制备的传感器芯片-CN202110838431.5在审
  • 郑旭晶;蔡文玮;于友斌 - 力晟智感科技无锡有限公司
  • 2021-07-23 - 2021-10-29 - B81C1/00
  • 本发明提出的一种微机电系统传感器芯片制备方法,所述传感器芯片的腔体结构采用腐蚀氧化硅技术生成,替代了传统的直接腐蚀硅衬底技术,不仅对硅衬底的晶向无特殊要求,形成的腔体结构精准度高,均匀性好,腔体深度不受限制,不会影响其他结构的强度或限制设计空间,提高了产品的良率;同时,氧化硅腐蚀速率是硅腐蚀速率的10倍,大大缩短了工艺时间,提高了生产效率,而且氧化硅腐蚀后无残留,腔体内更洁净,更能有效避免温度对传感器芯片的干扰。本发明的微机电系统传感器芯片制备方法工艺更简单,生产效率更高,适合大批量的生产,同时制备的传感器芯片均匀性、片间器件的可重复性高,品质更优良,并且给设计人员提供了更多设计余量和空间。
  • 微机系统传感器芯片制备方法及其

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