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[发明专利]一种外星壤原位资源熔融挤出增材制造设备及方法-CN202310603576.6在审
发明人：卢秉恒;刘荣臻;马睿佳;韦继翀;李波波;李江昆 -专利权人：西安增材制造国家研究院有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： B29C64/118 文献下载
摘要：本发明公开了一种外星壤原位资源熔融挤出增材制造设备及方法，属于外星基地建材制造技术领域。本发明公开的一种外星壤原位资源熔融挤出增材制造设备，本设备采用太阳能聚焦光纤传输系统可实现太阳能的高效利用，避免了能源转换造成的资源浪费，极大降低了外星基地原位制造材料运输成本；另外，相比于已有报道的熔丝挤出系统，本设备采用的太阳能聚焦光纤传输系统结合熔融挤出系统、运动控制系统等的熔滴制备系统，可实现无添加剂的外星壤的原位制造，避免了原材料由粉末转丝材、棒材等处理步骤，本设备可实现多种类外星壤的高效、高精度、低成本增材制造。
一种外星原位资源熔融挤出制造设备方法

[发明专利]一种氮化铝绝缘散热一体化基板及其制备方法-CN202211616014.7在审
发明人：卢秉恒;刘荣臻;马睿佳;曹志超 -专利权人：西安增材制造国家研究院有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L23/15 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化铝绝缘散热一体化基板及其制备方法，包括氮化铝绝缘层和氮化铝液冷散热层；所述氮化铝绝缘层一体成型在所述氮化铝液冷散热层的至少一个侧面上；所述氮化铝液冷散热层内设有冷却流道，冷却流道两端分别为流体进口和流体出口；所述氮化铝绝缘层上一体成型有芯片安装槽。本发明采用氮化铝陶瓷进行整体结构的一体化设计，采用增材制造工艺一体化制备，本发明结构可靠稳定，具有良好的绝缘性和散热效果，生产安装方便简易。
一种氮化绝缘散热一体化及其制备方法

[发明专利]一种堇青石前驱体光固化膏料及复杂结构多孔堇青石陶瓷的制备方法-CN202210619570.3有效
发明人：鲍崇高;李世佳;董文彩;刘荣臻 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C04B38/06 文献下载
摘要：一种堇青石前驱体光固化膏料及复杂结构多孔堇青石陶瓷的制备方法，膏料包括复合陶瓷粉体和预混液，复合陶瓷粉体为滑石、高纯氧化铝粉末与高纯二氧化硅或硅藻土中的一种或两种；预混液为复合光敏树脂、光引发剂、添加剂的混合物；膏料的制备是先进行复合陶瓷粉体的混制，然后制备预混液，最后将复合陶瓷粉体逐次加入至预混液中，采用行星式均质机充分混合和除泡后，得到堇青石前驱体光固化膏料；复杂结构多孔堇青石陶瓷的制备是先对堇青石前驱体光固化膏料进行打印，得到打印样件；然后对打印样件进行脱脂，最后对脱脂后的打印样件进行除碳‑烧结，本发明能够实现复杂件的光固化成型及堇青石陶瓷的原位合成。
一种青石前驱光固化料及复杂结构多孔陶瓷制备方法

[发明专利]一种高厚度高强度光固化氮化硅陶瓷及其制备方法-CN202011272964.3在审
发明人：潘欢;卢秉恒;鲍崇高;刘荣臻 -专利权人：西安增材制造国家研究院有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C04B38/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高厚度高强度光固化氮化硅陶瓷及其制备方法，制备过程中采用向陶瓷膏料中低温造孔剂PEG，使得在后期的脱脂过程，氮化硅陶瓷的最大脱脂厚度提高至8mm，且脱脂时间仅需60h，脱脂率可达99％以上。本发明通过将PEG在200‑300℃挥发并且留下球形孔洞的特点，首先在氩气气氛下进行高分子的裂解及低温造孔剂的脱除，其中后者可在300℃几乎全部脱除，为后续小分子的逸出提供通道。该过程在陶瓷生坯脱脂过程中预先在坯体中留下通道，利于后续光敏树脂的高温脱出(避免开裂变形，提高极限脱脂厚度)。
一种厚度强度光固化氮化陶瓷及其制备方法

[实用新型]一种多角度调节的临床医学教学设备-CN202121816270.1有效
发明人：王鹏;常利云;饶晨星;刘荣臻;周怡忻 -专利权人：王鹏
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： B01L9/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种多角度调节的临床医学教学设备。所述多角度调节的临床医学教学设备，包括：支撑调节组件；辅助教学组件，所述辅助教学组件的底部设置于所述支撑调节组件的顶部。本实用新型提供的多角度调节的临床医学教学设备，通过在实验床的内部设置连通孔，通过连通孔可将解剖过程中产生的废水进行收集，通过实验床内部的过滤网可对废水进行初步过滤，过滤完成的废水统一集聚在收集斗的内部，当收集斗的内部集聚大量废水时，可通过驱动泵体，即可将过滤完成的废水统一收集至收集箱的内部，即可方便使用者对解剖过程中产生的废水进行收集和处理，从而可便于更好的展示教学内容。
一种角度调节临床医学教学设备

[发明专利]一种高强度氮化硅陶瓷及其制备方法-CN202010866098.4在审
发明人：王克杰;卢秉恒;鲍崇高;刘荣臻 -专利权人：西安增材制造国家研究院有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： C04B35/596 文献下载
摘要：本发明公开了一种高强度氮化硅陶瓷及其制备方法。该方法首先将氮化硅粉末和烧结助剂进行喷雾造粒，然后将树脂粉和固化剂粉末混合后通过3D打印中的SLS制备出陶瓷坯体，通过两次冷等静压技术处理陶瓷坯体，降低陶瓷坯体中的孔隙率，提高陶瓷坯体的致密度；冷等静压前，将陶瓷坯体套上橡胶套，橡胶套能够避免冷等静压过程中水或油进入到坯体表面；冷等静压后，陶瓷坯体颗粒之间的排列更为紧密，致密度得到提高；提升试件力学性能；通过脱脂能够去除陶瓷坯体中的树脂；最后通过物理打磨抛光或化学腐蚀去除构件在渗硅后表面少量的硅，提高试件尺寸精度；步骤简单，易于实现。
一种强度氮化陶瓷及其制备方法

[实用新型]一种可伸缩可扩展多轴活动支架-CN202121903626.5有效
发明人：王鹏;刘荣臻;魏景堆 -专利权人：王鹏
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： F16M13/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可伸缩可扩展多轴活动支架，涉及活动支架技术领域，包括拓展杆，所述拓展杆包括固定杆，所述固定杆的一侧活动连接有调节杆一，所述调节杆一的一侧外壁开设有凹槽一。通过设置的拓展杆方便调节移动，拓展杆内部的调节杆一和调节杆二方便伸缩，通过卡扣一和卡扣二分别与凹槽一和凹槽二卡接，支撑件处的连接装置用于连接拓展杆和支撑件，且方便调节支撑件的角度，方便实现角度调节，且拓展杆的伸缩结构能有效减少存放体积，可拓展结构能为支架提供更灵活以及更大范围的调节，在受空间限制时，能利用拓展关节绕过障碍物为物体提供支撑，解决了现有支架只能在一个平面上进行旋转的问题，能够实现多个不平行平面上的旋转。
一种伸缩扩展活动支架

[发明专利]利用反伴电容定理计算三角形接线中任一相电容的方法-CN202110716260.9在审
发明人：王军红;张会平;陈君霞;张云纲;刘荣臻;张文博 -专利权人：国网河南省电力公司灵宝市供电公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明提供了利用反伴电容定理计算三角形接线中任一相电容的方法，首先分别测量三角形接法中每相电容的端值并对应定义其反伴电容的倒数，然后利用利用反伴电容定理和反伴常数计算三角形接法中每相电容的容值；本发明所述的利用反伴电容定理计算三角形接线中任一相电容的方法，定义了三角形接法中每相电容的反伴电容，并利用反伴电容和三角形接法中每相电容的串、并联关系得出反伴电容定理，最终利用反伴电容定理和反伴常数能够准确、快速、可靠的计算三角形接法中任一电容的容量值，不用改动接线，也不需要记忆、计算繁杂的公式，方便快捷，快速准确。
利用电容定理计算三角形接线任一方法

[发明专利]一种曲面梯度陶瓷零件及其制造方法-CN202010628726.5有效
发明人：吴甲民;何俊宏;刘荣臻;陈双;陈安南;陆路;史玉升;李晨辉 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C04B35/488 文献下载
摘要：本发明属于增材制造相关技术领域，其公开了一种曲面梯度陶瓷零件及其制造方法，所述制造方法包括以下步骤：(1)沿着待制造曲面梯度陶瓷零件的模型曲面进行切片，以实现模型沿曲面的分层；(2)以多种不同组分的陶瓷膏体为原料，结合分层结果先将第一种组分的陶瓷膏体沿模型曲面铺覆并采用紫外光照射固化，随后沿着模型曲面铺覆第二种组分的陶瓷膏体并采用紫外光照射固化，如此重复进行直到所有组分的陶瓷膏体铺覆及固化完成，由此得到待制造曲面梯度陶瓷零件的素坯，进而得到曲面梯度陶瓷零件。本发明采用曲面铺覆陶瓷膏体，且采用紫外光照射逐层固化可以很好的解决曲面梯度陶瓷零件难以制造的问题。
一种曲面梯度陶瓷零件及其制造方法

[发明专利]一种光固化氧化铝陶瓷膏料及其雾化腔一体化成形方法-CN202110227482.4在审
发明人：鲍崇高;许海嫚;满积友;刘荣臻;李世佳 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：一种光固化氧化铝陶瓷膏料及其雾化腔一体化成形方法，膏料包括陶瓷粉体、硬脂酸粉末、预混液和分散剂；成形方法是将光固化氧化铝陶瓷膏料打印成雾化腔结构，再进行脱脂烧结；调整雾化腔结构参数、打印工艺参数和脱脂烧结工艺参数；所述雾化腔结构参数包括整体壁厚，雾化腔连接倒圆角半径；所述打印工艺参数包括打印支撑间隙、打印激光功率、层厚和固化深度；所述脱脂烧结工艺参数包括升温速率、埋粉量、预烧温度、脱脂温度点以及保温时间；本发明通过优化光固化氧化铝陶瓷膏料组分、雾化腔结构以及后处理工艺，提高了氧化铝雾化腔的性能(强度、耐腐蚀性等)，减小雾化腔制备过程中的开裂变形，进一步提高了雾化腔制备的成品率。
一种光固化氧化铝陶瓷料及雾化一体化成形方法

[发明专利]一种用于致密材料制备的激光烧结同步压制增材制造系统-CN201910924251.1有效
发明人：史玉升;陈双;刘荣臻;闫春泽;李晨辉;吴甲民;文世峰 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： B22F3/105 文献下载
摘要：本发明属于增材制造技术领域，并具体公开了一种用于致密材料制备的激光烧结同步压制增材制造装备。包括控制模块、压制模块、输送模块和增材制造模块，压制模块包括铺粉机构和压力机构，铺粉机构用于将指定质量及类型的粉末进行均匀铺设在所述输送模块上的指定位置，压力机构将铺设的粉末进行压制，以使得压制后铺设的粉末的厚度为预设值；输送模块用于将压制后的粉末运输至增材制造模块的激光烧结区域；增材制造模块根据模型分层信息选择性的对压制后的粉末进行扫描烧结。本发明可在激光烧结前对增材材料进行压制处理，激光烧结后可直接获得致密陶瓷，同时避免高扫描速度带来的球化现象，从而有效提高陶瓷材料激光烧结增材制造的效率。
一种用于致密材料制备激光烧结同步压制制造系统

[发明专利]一种制备碳化硅晶须补强增韧陶瓷基复合材料的方法-CN201710948861.6有效
发明人：吴甲民;陈芬;刘珊珊;刘荣臻;史玉升;陈敬炎;李晨辉;贺智勇 -专利权人：华中科技大学;北京钢研新冶精特科技有限公司;深圳华中科技大学研究院
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： C04B35/81 文献下载
摘要：本发明属于无机非金属技术领域，并公开了一种制备碳化硅晶须补强增韧陶瓷基复合材料的方法，包括以下步骤：(1)将碳化硅晶须、分散介质和分散剂混合配制成分散液，然后再过滤并对碳化硅晶须进行干燥；(2)过筛处理；(3)将陶瓷粉体、粘结剂和碳化硅晶须混合；(4)在SLS成型设备上成型；(5)将陶瓷素坯进行冷等静压处理；(6)将陶瓷素坯放置于排胶炉中进行脱脂处理；(7)将陶瓷素坯放置于气氛炉中进行烧结，即得到碳化硅晶须补强增韧陶瓷基复合材料。本发明实现了传统补强增韧方式在快速成型领域的创新应用，使陶瓷零件室温抗弯强度和断裂韧性相对于未加碳化硅晶须的情况分别提高了30％以上和15％以上。
一种制备碳化硅晶须补强增韧陶瓷复合材料方法

[发明专利]一种基于多场复合的增材制造设备及方法-CN201911330118.X有效
发明人：史玉升;陈功;刘荣臻;杨宇;吴甲民;文世峰;刘洁 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： B28B1/54 文献下载
摘要：本发明属于增材制造相关技术领域，其公开了一种基于多场复合的增材制造设备及方法，设备包括粉末输送调节模块、声场控制模块、微波场/热场控制模块及微处理器，粉末输送调节模块、声场控制模块及微波场/热场控制模块分别连接于微处理器；粉末输送调节模块包括原料分散室，原料分散室设置在壳体所形成的成形腔内；声场控制模块也设置在成形腔内，且其位于原料分散室的下方；微波场/热场控制模块包括设置在成形腔内的多个微波发生器，多个微波发生器分别位于成形区的两侧，且微波发生器与声场控制模块分别位于原料分散室相背的两侧；其中，成形区分为高温区及低温区，高温区的温度高于低温区的温度。本发明减轻了开裂倾向，成形效率和精度可调。
一种基于复合制造设备方法

[发明专利]一种复杂形状多孔氮化硅件的制备方法-CN201711134350.7有效
发明人：史玉升;刘荣臻;吴甲民;陈双;陈安南;李晨辉;陈鹏 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明属于材料成型相关技术领域，其公开了一种复杂形状多孔氮化硅件的制备方法，该方法将金属激光选区熔化工艺与氮化硅的反应烧结工艺相结合，为制备大尺寸、复杂形状多孔氮化硅部件提供了新的思路；具体包括以下步骤：(1)提供预定质量份数的金属硅粉及氧化物烧结助剂作为原料；(2)采用激光选区熔化工艺对所述原料进行微区部分烧结以预成型出多孔硅坯体；(3)对所述多孔硅坯体进行反应烧结，通过氮化以得到复杂形状多孔氮化硅件。所述制备方法易对多孔氮化硅件实现控形控性，可提高制造效率，灵活性较高，且无需高分子粘结剂。
一种复杂形状多孔氮化制备方法

[发明专利]一种基于膏体的高精度多孔氮化硅复杂形状件的制备方法-CN201711142473.5有效
发明人：史玉升;刘荣臻;吴甲民;陈双;陈鹏;陈安南;文世峰 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： C04B35/591 文献下载
摘要：本发明属于材料成型技术领域，并公开了一种基于膏体的高精度多孔氮化硅复杂形状件的制备方法，将光固化工艺与碳热还原氮化工艺结合，以氧化硅、碳粉等为原料，采用基于陶瓷膏体的光固化成型工艺制备出复合复杂形状件后，通过碳热还原氮化工艺将其氮化为多孔氮化硅部件。本发明所提出的工艺方法采用陶瓷膏体为原料，所制备的坯体具有较高的尺寸精度，而后处理所用的碳热还原氮化方法也具有非常好的近净成型特性，适合成型高精度复杂形状多孔氮化硅件。本发明所提出的制备方法具有工艺流程短、近净尺寸成型性好等特点，是一种具有良好工业应用前景的复杂形状多孔氮化硅件制备方法。
一种基于高精度多孔氮化复杂形状制备方法

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