“刘苏皓”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种基于磁性合金复合薄膜的存储单元及其制备方法和磁存储装置-CN201410594041.8有效
发明人：关夏威;刘苏皓;黄婷;徐荣刚;刘祖齐;赵俊峰 -专利权人：华为技术有限公司;华中科技大学
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于磁性合金复合薄膜的磁存储单元，包括：第一电极层、第一磁性层、绝缘隧穿层、第二磁性层、第二电极层；所述第二磁性层为磁性合金复合薄膜，所述磁性合金复合薄膜包括磁性颗粒和绝缘隔离物；所述磁性颗粒包括磁性合金；所述绝缘隔离物的材质包括金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物中的至少一种，所述磁性颗粒分散在所述绝缘隔离物中。本发明提供的基于磁性合金复合薄膜的磁存储单元能兼顾存储密度，并实现高速、低功耗存储。本发明实施例还提供了该基于磁性合金复合薄膜的磁存储单元的制备方法和一种包含该基于磁性合金复合薄膜的磁存储单元的磁存储装置。
磁性合金复合薄膜磁存储单元绝缘隔离物磁性颗粒磁性层磁存储装置制备存储金属氮氧化物金属氮化物金属氧化物存储单元第二电极第一电极低功耗隧穿层绝缘

[发明专利]一种存储装置及其存储方法-CN201510583302.0在审
发明人：程晓敏;刘苏皓;关夏威;黄婷;王升;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2015-09-14 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储装置及其存储方法。该装置包括第一磁性层、隔离层、第二磁性层、第三磁性层和第四磁性层；隔离层、第二磁性层和第三磁性层设置在第一磁性层上，第二磁性层和第三磁性层位于第一磁性层的两端，隔离层位于第二磁性层和第三磁性层之间，第四磁性层设置在隔离层上；第二磁性层和第三磁性层在第一磁性层的两端形成第一被钉扎区和第二被钉扎区，第一被钉扎区的磁化方向与第四磁性层的磁化方向相同，第二被钉扎区的磁化方向与第四磁性层的磁化方向相反。本发明能有效降低MTJ结构自由层磁化翻转的临界电流密度，对自旋电子学在基础和应用方面的发展具有非常重要的意义。
一种存储装置及其方法