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[发明专利]一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶-CN202110849202.3有效
发明人：娄艳芳;刘春俊;杨帆;姜克勇;邹宇;赵宁;王波;彭同华;杨建 -专利权人：北京天科合达半导体股份有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司;江苏天科合达半导体有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本发明提供了一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶，制备方法包括以下步骤:将高纯硅粉、高纯石墨粉与易挥发高纯有机物混合，在惰性气氛下待易挥发高纯有机物挥发至初始质量的10％以下，将混合物料烧结，得到低氮含量碳化硅粉料。本发明采用易挥发高纯有机物在制备碳化硅粉料过程中将原料表面以及晶界处的氮带走，进而降低产品中氮含量。实验结果表明：碳化硅粉料和单晶的氮含量均小于5×1016/cm3。
一种含量碳化硅制备方法

[发明专利]碳化硅单晶生长用坩埚结构和碳化硅单晶的生长方法-CN202111095367.2有效
发明人：雍庆;娄艳芳;刘春俊;王光明;姚静;张宁;彭同华;杨建 -专利权人：北京天科合达半导体股份有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司;江苏天科合达半导体有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开一种碳化硅单晶生长用坩埚结构和碳化硅单晶的生长方法，坩埚结构包括坩埚主体，设有碳化硅原料腔体和顶部开口；封闭所述顶部开口的坩埚盖，所述坩埚盖底部设置有籽晶；至少布置在碳化硅原料腔体的目标原料位以下的石墨过滤结构，所述石墨过滤结构上开设有多层通气孔，且相邻的两层所述通气孔在竖直方向上错位布置。这样一来，在碳化硅单晶生长过程中，碳化硅原料升华形成的气流会经过石墨过滤结构向上进行输运，在气流向上输运的过程中，气流中的碳颗粒等杂质会因石墨过滤结构的阻挡而过滤掉，而气流可以穿过通气孔，传输不会受到影响，从而阻止碳颗粒等杂质进入碳化硅单晶生长界面而形成包裹物，能够有效减少碳化硅单晶中的包裹物。
碳化硅生长坩埚结构方法

[实用新型]一种抛光垫粘贴装置-CN202222115030.X有效
发明人：李晨霞;郭钰;刘春俊;眭旭;彭同华;杨建 -专利权人：北京天科合达半导体股份有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： B24B37/34 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种抛光垫粘贴装置，包括压紧件、夹持舒展组件和驱动组件。夹持舒展组件在驱动组件的作用下贴合抛光垫的上下表面运动，使抛光垫处于舒展状态，压紧件在驱动组件的作用下沿着抛光垫的上表面运动，对粘贴在大盘上的抛光垫施加压紧力，使抛光垫平整粘贴在抛光机的大盘上。夹持舒展组件对抛光垫进行夹持舒展，舒展后的抛光垫粘贴在大盘上，压紧件同时对粘贴在大盘上的抛光垫进行压紧，使抛光垫在大盘上粘贴平整。本申请公开的抛光垫粘贴装置能够实现抛光垫在大盘上的自动粘贴，相对于现有技术中通过人工手动粘贴的方式，降低了抛光垫粘贴的人工劳动强度。
一种抛光粘贴装置

[发明专利]高质量碳化硅籽晶、碳化硅晶体、碳化硅衬底及其制备方法-CN202110484326.6有效
发明人：彭同华;王波;赵宁;娄艳芳;郭钰;张贺;刘春俊;杨建 -专利权人：北京天科合达半导体股份有限公司;江苏天科合达半导体有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种高质量碳化硅籽晶、碳化硅晶体、碳化硅衬底及其制备方法。本发明制备高质量的碳化硅籽晶，并控制碳化硅粉料、石墨坩埚及保温材料的杂质浓度，结合一定的晶体生长工艺以及晶片加工方式，得到了高质量的碳化硅衬底。所得碳化硅衬底具有高的结晶质量，极低的微管数量、螺位错密度和复合位错密度；同时具有极低的p型杂质浓度，表现出优良的电学性能；还具有高的表面质量。
质量碳化硅籽晶晶体衬底及其制备方法

[发明专利]抛光垫打孔装置和自动供液研抛设备-CN202210737736.1在审
发明人：董志成;郭钰;刘春俊;王波;彭同华;杨建 -专利权人：北京天科合达半导体股份有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： B26F1/02 文献下载
摘要：本发明公开一种抛光垫打孔装置，包括外壳、打孔柱和抛光垫支撑腿；外壳内设有气动活塞；外壳设有外置接口，用于外接气泵；打孔柱的第一端固定于气动活塞，第二端伸出外壳外，且第二端处安装有打孔头；打孔柱和外置接口位于气动活塞两侧；抛光垫支撑腿固定于外壳，并且抛光垫支撑腿和打孔柱的第二端位于外壳的同侧。上述抛光垫打孔装置中，气动活塞安装有打孔柱，能通过气动方式驱动气动活塞移动，从而使打孔柱的打孔头对布置于抛光垫支撑腿的抛光垫进行打孔，相比于现有技术中人工打孔的方式，避免人工利用锤子和钉子多次敲击抛光垫进行打孔，能显著提高效率，避免影响产品的研抛进度。本发明还提供应用上述抛光垫打孔装置的自动供液研抛设备。
抛光打孔装置自动供液研抛设备

[发明专利]一种液体输送系统及稳定出液方法-CN202110236300.X在审
发明人：金鸿雁;张锋;马小军;潘芹;刘春俊 -专利权人：南微医学科技股份有限公司
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： A61M5/145 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种液体输送系统及稳定出液方法，涉及医疗器械技术领域。本发明的实施例提供的液体输送系统包括泵体、第一活塞和第二活塞。泵体内具有活塞腔，第一活塞和第二活塞分别可滑动地设置在活塞腔内，且第一活塞和第二活塞用于将活塞腔分隔成相互独立的第一腔室和第二腔室。第一腔室和第二腔室交替进出液，以使液体输送系统持续出液。第二活塞使第二腔室出液时，第一活塞使第一腔室从出液向进液切换，即在第一活塞换向时，第二活塞使第二腔室处于出液状态，如此通过第二腔室的出液对第一活塞换向时第一腔室的出液压力进行补偿，进而使液体输送系统持续稳定地向外输送液体，实现改善在活塞换向时出现的出液压力降低的目的。
一种液体输送系统稳定方法

[发明专利]一种生长低夹杂包裹物碳化硅单晶的装置-CN202210573832.7在审
发明人：曹艳芳;赵宁;陈海芹;王波;彭同华;刘春俊;杨建 -专利权人：北京天科合达半导体股份有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种生长低夹杂包裹物碳化硅单晶的装置，该装置中设置有位于碳化硅原料表面和内部的多个阻隔盘，该多个阻隔盘中部分阻隔盘的中心区域设置有通孔，部分阻隔盘的边缘区域设置有通孔，这些阻隔盘的设置一方面可阻挡和过滤生长气流中的硅碳颗粒和杂质颗粒，防止夹杂颗粒直接传输至生长界面；另外由于气流在碳化硅原料中曲线贯穿，可以促进原料蒸发分解，从而缓解了生长气流的富硅或富碳程度，减少了晶体中的夹杂硅碳颗粒包裹物，可以获得高质量的碳化硅单晶。
一种生长夹杂包裹碳化硅装置

[实用新型]调压测压结构及医用球囊测压装置-CN202220710788.5有效
发明人：樊剑;林昆;徐延峰;刘春俊;吕著海;严龙;刘慧 -专利权人：南微纽诺医学科技（南京）有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： A61M25/10 文献下载
摘要：本实用新型的实施例提供了一种调压测压结构及医用球囊测压装置，涉及医用器械领域。旨在提高三叉神经痛外科手术的治疗效果。调压测压结构包括调压阀体、调压件以及检测器；调压阀体设置有调压腔以及与调压腔连通的第一管口、第二管口、第三管口以及第四管口；调压件可移动地设置于第三管口；检测器设置于第四管口。医用球囊测压装置包括测压装置外壳以及调压测压结构。检测器实时检测调压腔内的流体压力，对于球囊提供的压力能够精确测量；通过调压件作靠近或者远离调压腔中心的移动，实现调压腔流体压力的调节控制，对于球囊提供的压力能够进行调节控制，实现球囊压迫压力值以及压迫时间的精确控制，从而提高三叉神经痛外科手术的治疗效果。
调压结构医用球囊测压装置

[实用新型]导管释放手柄及高频处理器械-CN202123160414.5有效
发明人：唐志;解欢;沙德青;庆祖汉;刘春俊 -专利权人：南微医学科技股份有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： A61B18/12 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种导管释放手柄及高频处理器械，涉及医疗器械技术领域，该导管释放手柄包括壳体和滑动连接于壳体的推送按键；壳体沿推送按键的滑动方向设有近端限位槽和远端限位槽；推送按键上设有限位凸台，推送按键在外力按压作用下能够产生弹性变形，以使限位凸台卡入或脱离出近端限位槽，或者，卡入或脱离出远端限位槽。该高频处理器械包括导管释放手柄。缓解了现有技术中存在的高频器械的手柄上的推出或推进按钮设置不合理，会有误操作的情况发生，进而造成严重的后果的技术问题，达到了避免误操作的技术效果。
导管释放手柄高频处理器械

[发明专利]一种去除碳化硅晶片表面颗粒的清洗方法-CN202011589843.1有效
发明人：张世颖;郭钰;李晨霞;刘春俊;彭同华;杨建 -专利权人：北京天科合达半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种去除碳化硅晶片表面颗粒的清洗方法，本发明中的有机清洗通过碱性有机溶剂+机械作用相结合的办法，来去除表面黏着的蜡质、抛光液中的无机研磨液、硅溶胶和其余的大颗粒；无机清洗通过化学药液和机械作用相结合的办法来进一步去除碳化硅表面的小颗粒；表面钝化通过氧化作用来去除碳化硅表面的悬挂键，防止颗粒的再次吸附污染。本发明中的方法清洗的晶片通过Candela 920测试，0.3um以上颗粒数小于300个，合格率可以达到90％以上。
一种去除碳化硅晶片表面颗粒清洗方法

[发明专利]一种电阻率均匀的半绝缘型碳化硅晶片及其制备方法-CN201911356607.2有效
发明人： 刘春俊;姚静;赵宁;彭同华;杨建 -专利权人：北京天科合达半导体股份有限公司;北京天科合达新材料有限公司;江苏天科合达半导体有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种电阻率均匀的半绝缘型碳化硅晶片及其制备方法，所述半绝缘型碳化硅晶片的整体范围内，电阻率的相对标准偏差小于70％，电阻率的最小值大于1×106Ω·cm。本发明还提供了一种上述技术方案所述半绝缘型碳化硅晶片的制备方法，通过采用零度籽晶生长出的晶体和同时控制晶体生长径向温度梯度保证晶体生长的平坦程度，可避免切割、加工得到的晶片的中心和边缘不同位置源自不同生长时刻，尽量保证晶片中心和边缘生长时刻非常接近，保证晶片整体掺杂的均匀性；掺杂剂均匀地合成到SiC原料中，也保证晶体内部电阻率的均匀性。半绝缘型碳化硅晶片的电阻率的相对标准偏差小于70％，晶片电阻率的最小值大于1×106Ω·cm。
一种电阻率均匀绝缘碳化硅晶片及其制备方法

[发明专利]一种导电型碳化硅单晶及其制备方法-CN202011536526.3有效
发明人： 刘春俊;雍庆;娄艳芳;赵宁;姚静;王波;彭同华;杨建 -专利权人：北京天科合达半导体股份有限公司;北京天科合达新材料有限公司;江苏天科合达半导体有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种导电型碳化硅单晶，掺杂元素包括氮和原子半径大于硅的原子半径的元素；所述导电型碳化硅单晶的电阻率为0.01Ω·cm～0.05Ω·cm；所述原子半径大于硅的原子半径的元素的掺杂浓度为氮元素浓度的0.1％到10％。本发明中的碳化硅晶体，在氮元素掺入的基础上，通过原子半径大于硅的原子半径的元素的引入，并控制氮和原子半径大于硅的原子半径的元素的浓度，在保证电阻率处于导电类型碳化硅单晶衬底要求的基础上，能够补偿氮原子和碳原子尺寸差异引起的晶格畸变，降低晶体的内应力，降低晶体内部的位错密度。本发明还提供了一种导电型碳化硅单晶的制备方法。
一种导电碳化硅及其制备方法

[实用新型]高频处理器械-CN202123155659.9有效
发明人：唐志;解欢;沙德青;庆祖汉;刘春俊 -专利权人：南微医学科技股份有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： A61B18/12 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种高频处理器械，涉及医疗器械技术领域，该高频处理器械包括操作部和连接于操作部的插入部，插入部包括远端电极部；操作部上设有疏通针和保护套，疏通针设于保护套内；疏通针用于插设于远端电极部的内部，以对远端电极部的电极注液孔进行疏通。缓解了现有技术中存在的用于疏通电极的棒状物体在使用过程中易误伤操作者、易丢失、易污染且不便使用的技术问题，达到了不易误伤操作者、不易丢失、不易污染且更易导正，便于使用的技术效果。
高频处理器械

[发明专利]一种倒角方法-CN202210481041.1在审
发明人：眭旭;郭钰;刘春俊;王波;彭同华;杨建 -专利权人：北京天科合达半导体股份有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： B24B9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒角方法，包括以下步骤：根据待加工晶片的材质选择与待加工晶片适配的砂轮类型；将待加工晶片和选择的砂轮均安装于倒角装置上；将待加工晶片和砂轮进行原点对刀操作；在倒角装置上设置砂轮的运动方向为第一方向和第二方向，同时设置待加工晶片的运动方向为第三方向；根据待加工晶片的不同材质，设置砂轮的转速为不同转速；根据待加工晶片的不同的轮廓形貌，在倒角装置上设置不同的加工参数，对待加工晶片的原点至待加工晶片上端面的位置进行倒角；以对待加工晶片的原点至待加工晶片下端面的位置进行倒角。上述倒角方法可加工出不同的待加工晶片的不同的轮廓形貌，减少砂轮的更换频率，提升加工效率，而避免端面毛刺的现象出现。
一种倒角方法

[发明专利]调压测压结构及医用球囊测压装置-CN202210317952.0在审
发明人：樊剑;林昆;徐延峰;刘春俊;吕著海;严龙;刘慧 -专利权人：南微纽诺医学科技（南京）有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： A61M25/10 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种调压测压结构及医用球囊测压装置，涉及医用器械领域。旨在提高三叉神经痛外科手术的治疗效果。调压测压结构包括调压阀体、调压件以及检测器；调压阀体设置有调压腔以及与调压腔连通的第一管口、第二管口、第三管口以及第四管口；调压件可移动地设置于第三管口；检测器设置于第四管口。医用球囊测压装置包括测压装置外壳以及调压测压结构。检测器实时检测调压腔内的流体压力，对于球囊提供的压力能够精确测量；通过调压件作靠近或者远离调压腔中心的移动，实现调压腔流体压力的调节控制，对于球囊提供的压力能够进行调节控制，实现球囊压迫压力值以及压迫时间的精确控制，从而提高三叉神经痛外科手术的治疗效果。
调压结构医用球囊测压装置