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[发明专利]一种高压超高压器件用碳化硅外延片的制备方法-CN202210379731.6有效
发明人：张新河;陈施施;郭钰;刘春俊;邹宇;彭同华;张平;杨建 -专利权人：北京天科合达半导体股份有限公司;深圳市重投天科半导体有限公司;江苏天科合达半导体有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种高压超高压器件用碳化硅外延片的制备方法，包括：在碳化硅衬底的碳面涂布一层碳膜，置于外延炉反应室内，通入氢气，逐步升温至1600～1650℃后，通入硅源、碳源和掺杂源，在碳化硅衬底的硅面生长缓冲层，调整各类源的流量值，生长外延层至指定厚度，退火，降至室温，对晶片保护后，抛去碳膜，得到碳化硅外延片。本发明在现有商业化外延炉基础上，通过对衬底进行碳面涂布碳膜，在外延和退火中通过碳膜的碳原子迁移，补充外延层的碳空位，实现碳空位修复，此外还可以调节退火工艺参数改善碳空位密度，增加载流子寿命，与传统载流子寿命增强技术相比，无需复杂的注入+退火或长时间高温氧化。
一种高压超高压器件碳化硅外延制备方法

[实用新型]一种掺V碳化硅降低包裹物的石墨件-CN202321138617.0有效
发明人：刘海威;魏莹;邹宇;张平;刘春俊;彭同华;杨建 -专利权人：江苏天科合达半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种掺V碳化硅降低包裹物的石墨件，包括：晶体边缘石墨件；所述晶体边缘石墨件的侧壁内设有第一槽，所述第一槽的槽口位于所述晶体边缘石墨件的侧壁的底部。本方案在晶体边缘石墨件的侧壁内设有第一槽；由于相同条件下，气体热导率小于固体，气体不利于导热，但利于保温；则侧壁温度升高后，降低晶体过程气相组分对边缘石墨件侧壁腐蚀，从而减少晶体边缘无规则形状渗入状包裹物。
一种碳化硅降低包裹石墨

[发明专利]一种限位装置及其使用方法-CN201811530424.3有效
发明人：李晓春;徐潮伟;李常青;冷德嵘;刘春俊 -专利权人：南微医学科技股份有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： A61B18/12 文献下载
摘要：本发明关于一种限位装置及其使用方法，该限位装置包括卡紧部和活动部，其中卡紧部和活动部均为环形结构，卡紧部和活动部的两端分别相连，构成相连接的双环结构，活动部的环径大于卡紧部的环径。本发明中的限位装置设置于芯杆上，其中卡紧部与芯杆之间为过盈配合，活动部与芯杆之间为间隙配合。当活动部与芯杆配合时，限位装置可相对于芯杆滑动；当卡紧部与芯杆配合时，限位装置与芯杆处于固定状态，限位装置不能相对于芯杆滑动，达到限位目的。该限位装置能快速定位，方便操作，且在长时间放置之后，仍能实现限位功能。
一种限位装置及其使用方法

[实用新型]一种保证碳化硅生长温场稳定性的保温筒-CN202223594430.X有效
发明人：邹宇;魏莹;孙珮然;刘春俊;张平;彭同华;杨建 -专利权人：江苏天科合达半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种保证碳化硅生长温场稳定性的保温筒，包括：筒体和筒盖；所述筒体包括：第一导热环、发热筒和卷筒固态石墨毡；所述第一石墨环设置于所述发热筒的顶部，所述卷筒固态石墨毡包裹所述小导热环和所述发热筒；所述筒盖扣合于所述第一石墨环和所述卷筒固态石墨毡的顶部。本方案对原保温筒结构进行改进，以降低固态石墨毡及发热筒的损耗，延长使用次数，降低材料成本。将原来放在发热筒上的环毡用同样厚度的第一导热环代替，原上层φ360/0实心毡分成实心毡、第二导热环、环毡三部分，利用石墨环导热效率高的特点，抑制碳化硅在固态石墨毡上结晶，保护发热筒上部固态石墨毡。
一种保证碳化硅生长稳定性保温

[发明专利]碳化硅腐蚀装置和碳化硅缺陷观测方法-CN202310686406.9在审
发明人：张新河;刘春俊;郭钰;娄艳芳;曾江;彭同华;杨建 -专利权人：深圳市重投天科半导体有限公司;江苏天科合达半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明公开一种碳化硅腐蚀装置，包括加热桶，支架和观测装置；加热桶用于盛装碱性腐蚀原料，上端开口；待观测晶片位于加热桶的开口上方处受碱性腐蚀原料的蒸汽腐蚀；支架用于放置待观测晶片，并能使待观测晶片在水平方向上移动以便选择观测区域对准观测装置；观测装置用于观察晶片的腐蚀过程。该装置利用加热桶盛装碱性腐蚀原料，利用支架放置待观测晶片，通过碱性腐蚀原料的蒸汽腐蚀待观测晶片，并在腐蚀过程中利用观测装置观察晶片表面的腐蚀过程，无需对待观测晶片进行研磨，防止晶片腐蚀过程中的重要信息因研磨过度而丢失，利于更好地研究晶片表面缺陷的演化和移动情况。本发明还提供一种用于上述碳化硅腐蚀装置的碳化硅缺陷观测方法。
碳化硅腐蚀装置缺陷观测方法

[发明专利]一种外延反应器-CN202310554381.7在审
发明人：曹雷;张新河;刘春俊;郭钰;彭同华;曾江;娄艳芳;杨建 -专利权人：深圳市重投天科半导体有限公司;江苏天科合达半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明公开的外延反应器包括石墨腔室和反应腔室，石墨腔室包括上半月和下半月，上半月和下半月均设置于反应腔室内，且上半月和下半月之间形成供工艺气流通过的气流通道，该外延反应器还包括测距装置，测距装置可测定上半月和下半月在反应腔室内部的位置，以实现对石墨腔室相对反应腔室位置的精确定位。在每次拆除石墨腔室之前，通过测距装置可以精确得到石墨腔室在反应腔室中的安装位置，以此为位置基准，在重新安装石墨腔室时，再次通过测距装置进行测距，根据前后数据的对比即可以清晰的判断出石墨腔室在反应腔室中的位置有无偏移，以实现石墨腔室相对于反应腔室的精准定位，从而保证了石墨腔室在重新安装后，反应腔的温场不会发生改变。
一种外延反应器

[发明专利]一种预热装置、外延生长设备和外延方法-CN202310540606.3在审
发明人：曹雷;张新河;刘春俊;郭钰;曾江;彭同华;娄艳芳;杨建 -专利权人：深圳市重投天科半导体有限公司;江苏天科合达半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开的预热装置用于安装晶圆并对工艺气流进行预热，该预热装置包括多个预热部，任意相邻两个预热部连接，以形成用于安装晶圆的环形预热安装台阶，且晶圆的一端与预热安装台阶的台阶面贴合。本发明提供的预热装置为分体式结构，避免了卡片现象的发生，同时方便了定时对预热装置表面杂质层的去除，解决了现有技术中预热装置随工艺次数的增加难以控制热场均匀性和工艺气流稳定性的问题，可以有效改善外延片的厚度均匀性和浓度均匀性，且具有结构简单、方便耐用、易清理打磨、节约成本等优点，增加了工艺稳定性。本发明还公开了一种外延生长设备和一种外延方法。
一种预热装置外延生长设备方法

[实用新型]一种掺V碳化硅增强气体流入均匀性的装置-CN202320938600.7有效
发明人：刘海威;魏莹;邹宇;张平;刘春俊;彭同华;杨建 -专利权人：江苏天科合达半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种掺V碳化硅增强气体流入均匀性的装置，包括：气盘、第一通气杆和第二通气杆；所述第一通气杆的一端用于连接反应腔室底部的进气孔，另一端连接于所述气盘的侧面，所述气盘的顶面与所述第二通气杆的底端连接，所述第二通气杆的顶端位于发热层的下部。本方案将气体出气孔引导至晶体生长反应腔下部，使气体分子与生长气相组分均匀接触，增强气体流入均匀性。
一种碳化硅增强气体流入均匀装置

[发明专利]一种抛光设备及加工方法-CN202111642211.1在审
发明人：眭旭;郭钰;刘春俊;王波;彭同华;杨建 -专利权人：北京天科合达半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种抛光设备，包括加压模块和承载盘，所述承载盘设置有研磨区，所述加压模块用于将晶圆压紧在所述研磨区上；所述研磨区与所述加压模块的施力部之间形成凹陷结构，以将所述加压模块施加于晶圆的力分散至所述施力部的中心或者边缘。本发明提供的抛光设备，在加压模块通过施力部压紧晶圆至承载盘上的研磨区时，将研磨区与施力部之间形成凹陷结构，压力会由于凹陷结构的存在而分散至施力部的中心或边缘，从而使施力部从晶圆四周对晶圆施加压力，解决了晶圆由于一侧受力大而在加工过程产生偏斜的问题。本发明还公开了一种抛光设备的加工方法。
一种抛光设备加工方法

[发明专利]一种碳化硅单晶的生长装置-CN202111626065.3在审
发明人：娄艳芳;刘春俊;王光明;姚静;雍庆;张雪霞;刘强;彭同华;杨建 -专利权人：北京天科合达半导体股份有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司;江苏天科合达半导体有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅单晶的生长装置，包括用于装载碳化硅原料的坩埚，还包括设置于所述坩埚内部的导流部。所述坩埚的上平面用于固定籽晶，在所述坩埚完成碳化硅原料的装载后，所述导流部的下端低于所述坩埚中的碳化硅原料上表面，用于将碳化硅原料分割为多个区域，所述导流部的上端高于所述坩埚的碳化硅原料上表面，多个区域的碳化硅原料升华为气相后，在所述导流部的导向作用下向上运动并接触所述籽晶。本发明提供的碳化硅单晶的生长装置，通过在坩埚内设置导流部，将升华的气相碳化硅原料均匀导向至坩埚顶部的籽晶，使得气相碳化硅原料在籽晶生长平面上均匀沉积，从而获得质量均匀的碳化硅单晶。
一种碳化硅生长装置

[发明专利]一种碳化硅单晶的生长方法-CN202310150969.6在审
发明人：雍庆;娄艳芳;刘春俊;王光明;姚静;曹硕;彭同华;杨建 -专利权人：北京天科合达半导体股份有限公司;江苏天科合达半导体有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种碳化硅单晶的生长方法，包括：在坩埚原料区的顶部区域放置第一碳化硅原料，在坩埚原料区的侧壁区域放置第二碳化硅原料，在坩埚原料区的底部区域放置第三碳化硅原料，在坩埚原料区的中心区域放置第四碳化硅原料，在籽晶的作用下，加热生长得到碳化硅单晶；所述第二碳化硅原料、第三碳化硅原料、第四碳化硅原料和第一碳化硅原料的硅碳比依次降低。本发明在坩埚原料区的不同区域设置具有不同硅碳比的碳化硅原料，获得了高质量的碳化硅单晶，结晶质量一致性好，包裹物密度小，该方法操作简单，有利于工业化生产。
一种碳化硅生长方法

[发明专利]一种高结晶质量碳化硅单晶片及其制备方法-CN202110909300.1有效
发明人：娄艳芳;刘春俊;王光明;姚静;雍庆;赵宁;彭同华;杨建 -专利权人：北京天科合达半导体股份有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司;江苏天科合达半导体有限公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅单晶片，所述碳化硅单晶片的原子面向C面弯曲，Si面原子面的弯曲度大于C面原子面的弯曲度。本发明提供了一种(0001)原子面向C面弯曲，且Si面原子面弯曲度大于C面原子面弯曲度的碳化硅单晶片，以本发明提供的SiC单晶片为衬底进行Si面外延，高温时，原子面都向铺平方向形变，且Si面变形量大于C面变形量，外延结束降温之后，衬底原子面倾向于恢复初始的形状，于是Si面原子面与外延层具有相反的拉伸方向，在一定程度上缓解了外延片向上凸的程度，大大降低了由于外延后面型不合格的比例。本发明还提供了一种碳化硅单晶片的制备方法。
一种结晶质量碳化硅晶片及其制备方法

[实用新型]一种连接结构及内窥镜下夹切器械-CN202222694560.4有效
发明人：金鸿雁;马小军;仇卫勤;沈正华;刘春俊 -专利权人：南微医学科技股份有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： A61B17/295 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种连接结构及内窥镜下夹切器械，涉及医疗器械技术领域，本实用新型提供的连接结构包括连接件、螺旋柔性管和旋转座，连接件与螺旋柔性管螺旋连接，且连接件与螺旋柔性管的接触面相适配，连接件与螺旋柔性管之间形成限位环槽，旋转座套设于连接件的外部并与限位环槽转动配合。本实用新型提供的连接结构具有结构简单、连接牢靠、成本低、便于夹切器械的装配等优点。
一种连接结构内窥镜下夹切器械

[发明专利]一种大尺寸碳化硅衬底及其制备方法-CN202211663903.9在审
发明人： 刘春俊;眭旭;郭钰;彭同华;杨建 -专利权人：北京天科合达半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种大尺寸碳化硅衬底，所述碳化硅衬底的厚度小于400微米，弯曲度bow值不大于‑1微米，且满足Y＝‑A/X，其中，X为厚度，Y为弯曲度bow值，A为300～8000，warp值不大于bow值绝对值的3倍。与现有技术相比，本发明一方面可提供更薄厚度的衬底，从而增加同等厚度SiC晶体产出晶片的数量，降低成本；另一方面，通过特定的几何外形及结晶的原子面弯曲保证下游外延、器件对晶片制作过程中的要求；第三方面提供低厚度衬底同时外形翘曲变化可以满足整个产业链的要求，也极大降低器件环节的减薄成本。
一种尺寸碳化硅衬底及其制备方法

[发明专利]一种高质量碳化硅单晶衬底、其制备方法及检测方法-CN202211728462.6在审
发明人： 刘春俊;雍庆;娄艳芳;姚静;王光明;彭同华;杨建 -专利权人：北京天科合达半导体股份有限公司;江苏天科合达半导体有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种高质量碳化硅单晶衬底，所述高质量碳化硅单晶衬底在显微镜暗场模式下观察，且所述观察是在10倍物镜及以上放大倍数状态，亮点的密度小于10cm‑2。与现有技术相比，本发明提供的碳化硅单晶制备的衬底的内部缺陷密度很低，在该种碳化硅单晶衬底上制备器件时，一方面器件的良率很高，另一方面制备获得的器件的性能指标优异。
一种质量碳化硅衬底制备方法检测

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