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[发明专利]一种相变纳米晶体管单元器件及其制作方法-CN200810037819.X有效
发明人：周伟民;宋志棠;钮晓鸣;刘彦伯;闵国全;李小丽;万永中;张静;封松林 -专利权人：上海市纳米科技与产业发展促进中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2008-05-22 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明是关于纳米同轴环绕栅晶体管相变存储器单元器件及其纳米加工方法。其特征在于：与传统薄膜场效应晶体管(MOSFET)不同的是，在柱(线)状的相变材料周围沉积结缘层后再制作环绕栅，即为同轴环绕栅，作为晶体管的栅极，在柱(线)状相变材料的两端制作源极和漏极。这样的结构即为纳米同轴环绕栅相变存储器(Coaxial Surrounding Gate phase changememory-CSGPCM)。本发明的显著特点是采用纳米同轴环绕栅作为栅极，来调节相变材料沟道电流，实现相变存储和晶体管特性，极大地提高集成密度，从而实现了低压、低功耗的相变存储功能。
一种相变纳米晶体管单元器件及其制作方法

[发明专利]大面积纳米线P-N结阵列及其制备方法-CN200810037746.4无效
发明人：周伟民;钮晓鸣;宋志棠;闵国全;刘彦伯;李小丽;万永忠;张静;封松林 -专利权人：上海市纳米科技与产业发展促进中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2008-05-21 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明是关于纳米线P-N结阵列制备和纳米加工方法，尤其是硅纳米线P-N结阵列(SiNW P-N junction array)的纳米加工方法。其特征在于：采用纳米压印技术制作纳米线P-N结阵列，与现有的技术相比，本发明具有易于大面积制作、低成本和高产等优点，适合工业化生产，为具有P-N结构的纳电子器件的构筑提供了一种简单的高效加工途径。
大面积纳米阵列及其制备方法

[发明专利]基于Si纳米线阵列太阳能电池及其制造方法-CN200810037745.X无效
发明人：周伟民;钮晓鸣;宋志棠;闵国全;刘彦伯;李小丽;张静;万永忠;封松林 -专利权人：上海市纳米科技与产业发展促进中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2008-05-21 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是关于纳米线阵列太阳能电池制备和纳米加工方法，尤其是Si纳米线阵列太阳能电池的纳米加工方法。包括：两个电极和在两个电极之间加工出Si纳米线pn结阵列。本发明用纳米压印技术(Nanoimprint lithography)和结合微电子工艺加工出来的Si纳米线阵列太阳能电池(SiNws array solar cells)，纳米线分布均匀，成本较低和易于大面积加工，与传统的微电子工艺有较好的兼容性。这种纳电池在民用设备领域、生物恐怖主义监控领域和内科诊断领域等有重要的应用前景。
基于 si 纳米阵列太阳能电池及其制造方法

[发明专利]一种纳米结构的软模板制作方法-CN200810037349.7无效
发明人：周伟民;张静;刘彦伯;李小丽;钮晓鸣;宋志棠;闵国全;万永中;施利毅;封松林 -专利权人：上海市纳米科技与产业发展促进中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2008-05-13 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种软压印模板的制造方法。其特征在于：通过多孔阳极氧化铝(AAO)模板复制出软模板。多孔阳极氧化铝孔径一般为10～500nm，孔洞较直分布均匀，作为母模板可以复制出高分辨率和高复型精度的软模板，减少了模板的制作成本和周期。本发明的显著特点是制作模板成本低廉，周期短，工艺简单，复制出来的软模板可以重复使用，能够实现大面积压印。
一种纳米结构模板制作方法

[发明专利]一种纳米级相变存储单元阵列制备方法-CN200710044609.9有效
发明人： 刘彦伯;钮晓鸣;宋志棠;闵国全;周伟民;李小丽;刘波;万永中;封松林 -专利权人：上海市纳米科技与产业发展促进中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2007-08-06 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米级相变存储单元阵列制备方法，属于微纳电子技术领域。其特征在于一次性制作出“倒塔”型纳米级相变存储单元多阶凹孔阵列，塔尖为纳米级，然后在“倒塔”内分别填充特定的相变材料、过渡材料和电极材料，从而获得纳米级相变存储单元阵列。本发明提出的纳米级相变存储单元阵列制备方法能有效减小相变材料与电极材料的接触面积，工艺简捷、只需要一次曝光刻蚀，即巧妙地代替了目前相变存储单元加工中常用的两次曝光套刻工艺。这种方法既简化了纳米级多层单元结构制备工艺，又解决了纳米级相变存储单元多层结构的套刻问题，加工精度高、成本低，适于产业化，在低功耗、高密度相变存储器制备领域具有实质性特点。
一种纳米相变存储单元阵列制备方法

[发明专利]一种纳米结构套刻的模板设计和实现方法-CN200710044607.X无效
发明人： 刘彦伯;钮晓鸣;宋志棠;闵国全;周伟民;李小丽;刘波;张静;万永中;封松林 -专利权人：上海市纳米科技与产业发展促进中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2007-08-06 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米结构套刻的模极设计和实现方法，属于微纳电子领域。其特征在于将不同层结构定义在同一块模板上，通过特定的改变模板与基底相对位置，重复使用来实现多层纳米结构的套刻。这种方法不需要配置精密对准系统就可实现纳米级套刻。传统的套刻技术采用精密对准和多块模板，面对纳米级线宽加工需求，定位对准系统和光刻模板的成本越来越高。即使对于纳米压印这些新型的微纳加工技术，由于技术本身尚处研发，设备本身匮乏定位能力，对准和模板同样是研发的瓶颈问题。本发明提出的方法，不仅可以节约多层纳米结构加工研发成本，提高研发效率，而且可以有效解决纳米级结构套刻难题，具有研发实用价值。
一种纳米结构模板设计实现方法

[发明专利]一种大面积高密度相变材料阵列的制备方法-CN200710044608.4无效
发明人： 刘彦伯;钮晓鸣;宋志棠;闵国全;刘波;周伟民;李小丽;万永中;封松林 -专利权人：上海市纳米科技与产业发展促进中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2007-08-06 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： H01L21/71 文献下载
摘要：本发明涉及一种大面积高密度相变材料阵列的制备方法，属于微电子领域。其特征在于首先将所需的大面积高密度阵列结构定义在一块透明的固态面板上，然后在基底表面依次溅射绝缘材料、金属材料、过渡材料和相变材料，在相变材料表面覆盖图形转移介质，通过印刻将固态面板上的阵列结构定义在相变材料层表面的图形转移介质层上，最后通过刻蚀在基底上得到所需的大面积高密度相变材料阵列。只要定义一块阵列结构均匀、一致性好、边缘平整光滑的固态面板，就可重复使用，获得大面积、结构均匀一致、边缘平滑、质量优越的阵列结构。工艺简便、成本低，适合于对单元结构的一致性和边缘质量要求高的相变存储器件的产业化批量生产。
一种大面积高密度相变材料阵列制备方法

[发明专利]聚烯烃人造革及其制造工艺-CN200510033381.4无效
发明人： 刘彦伯 -专利权人： 刘彦伯
申请日： 2005-02-28 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： D06N3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚烯烃人造革及其制造工艺，它由基布、发泡层和面层组成；发泡层覆盖在基布上、面层覆盖在发泡层上；所述的发泡层组分为(重量份)：热塑性聚烯烃(TPO)90－110，发泡剂2－4，安定剂2－4，色料适量；所述的面层组分为(重量份)：聚氨酯(TPU)90－110，安定剂0－2，色料适量。由于本发明的聚烯烃人造革的发泡层和面层分别采用热塑性聚烯烃(TPO)和聚氨酯(TPU)材料，该材料制成的聚烯烃人造革具有质量轻、低温柔韧性好、更耐折、手感更好的优点。而本发明所采用的制造工艺，由于加工过程中的含浸及涂布面层和底层均不用DMF溶剂，无溶剂挥发，不会对环境及人体造成危害，具有环保、对加工操作人员的伤害小的优点。
烯烃人造革及其制造工艺

[实用新型]书立笔箱-CN01217736.9无效
发明人： 刘彦伯 -专利权人： 刘彦伯
申请日： 2001-02-28 - 公布日： 2001-12-19 - 主分类号： B43M17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种该笔箱分为前腔和后腔,板块B与板块C构成能够穿过书立的后腔空间,板块A由大体位于板块B的中间位置凸出,板块A与板块B连为一体,在前腔空间开有抽屉及箱。本实用新型具有使用范围广、功能齐全、可和书立分开单独使用、取笔方便、生产容易,成本低,结构较简单、稳定、不容易掉、便于放置、携带、节约空间的优点。
书立笔箱

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