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[实用新型]一种户外数字标牌-CN202321134960.8有效
发明人：邓伟;刘尧平;刘斯玥 -专利权人：深圳市珍伟斯光电有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G09F7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种户外数字标牌，包括立架、安装架和数字标牌。该户外数字标牌，立架的两侧对称设有安装架，安装架的两侧均安装有数字标牌，安装架的两端均插入立架内，立架上开设有用于安装架插入的插孔，安装架的端部外侧互动连接有挡片，挡片的设置对安装架的插入深度进行限定，从而在安装架通过对插连接机构连接后与立架形成夹持固定效果，安装架端部之间设有对插连接机构，立架的顶部固定连接有遮蔽棚，起到一定的遮阳和避雨的效果，通过立架预先安装，当需要安装数字标牌时，现场直接通过插头、插座、收缩槽、卡头、弹簧、卡孔构成的对插连接机构，进行对插连接固定，形成现场快速安装效果，从而缩短户外作业时间。
一种户外数字标牌

[发明专利]光电存储器件及其制备方法、以及数据存储方法-CN202210149829.2在审
发明人：朱锐;梁会力;王燕;刘尧平;梅增霞 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/112 文献下载
摘要：本申请提供一种光电存储器件及其制备方法、以及数据存储方法，属于半导体存储器件领域。光电存储器件包括：衬底、源/漏电极、沟道层、绝缘介质层、浮栅层、光敏介质层以及栅电极，绝缘介质层、浮栅层、光敏介质层以及栅电极依次设置；其中，浮栅层与绝缘介质层之间和浮栅层与光敏介质层之间均形成势垒，光敏介质层在暗态下为绝缘体属性，光敏介质层在带隙匹配的光辐照下为半导体属性。数据存储方法采用该光电存储器件进行，具有较低的操作电压要求，能较好适应不同的应用场合，且能较好地实现多值存储。
光电存储器件及其制备方法以及数据

[发明专利]太阳能电池片印刷设备及印刷方法-CN202210131464.0在审
发明人：马杰华;李子;刘尧平;陈伟;肖川;杜小龙 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B41F19/00 文献下载
摘要：本申请提供一种太阳能电池片印刷设备及印刷方法，属于太阳能电池制备领域。太阳能电池片印刷设备包括至少一个修复印刷单元，每个修复印刷单元包括依次设置的第一印刷机、图像检测仪和第二印刷机，第一印刷机用于进行整体设计图案的印刷，图像检测仪用于获取第一印刷机印刷完成后整体设计图案的缺失部位，第二印刷机用于在缺失部位进行修复印刷。太阳能电池片印刷方法，采用如上述的太阳能电池片印刷设备进行，能改善电池印刷缺失的问题，从而有效提高良品率和光电转换效率；而且，印刷效率高且印刷浆料用量少。
太阳能电池印刷设备方法

[发明专利]一种晶体管及其和沟道层制作方法-CN202210111946.X在审
发明人：朱锐;梁会力;王燕;刘尧平;梅增霞 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：一种晶体管及其和沟道层制作方法，属于薄膜晶体管领域。晶体管包括：衬底，源漏电极，沟道层，介质层以及栅电极。并且沟道层包括：依次分布的第一低阻层、高阻层和第二低阻层。其中，第一低阻层与源漏电极接触，第二低阻层与介质层接触。高阻层的电阻率大于第一低阻层的电阻率，同时高阻层的电阻率大于第二低阻层的电阻率。按照上述方式构造沟道层利于沟道与源漏电极的欧姆接触，并且还可以钝化介质层与沟道界面间的缺陷，还确保其关断性能。
一种晶体管及其沟道制作方法

[发明专利]一种太阳能电池、印刷装置和方法、网版-CN202210066679.9在审
发明人：马杰华;刘尧平;李子;肖川;陈伟;杜小龙 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B41F15/08 文献下载
摘要：一种太阳能电池、印刷装置和方法、网版，属于光伏领域。网版包括第一副版和第二副版。其中，第一副版具有第一主栅图形，且第一主栅图形具有第一主栅桥连结构。与第一副版匹配的第二副版具有第二主栅图形，且第二主栅图形具有第二主栅桥连结构。第一副版和第二副版配合用以印刷主栅线。在主栅线中，第一主栅桥连结构与第二主栅桥连结构的位置彼此对应且至少存在部分重叠。利用上述网版印刷主栅线，可以有效避免主栅线塌陷的问题，从而也有助于提高基于此的电池的性能。
一种太阳能电池印刷装置方法网版

[发明专利]晶体硅制绒添加剂、晶体硅制绒剂以及晶体硅倒金字塔绒面结构的制备方法-CN202210618967.0有效
发明人：孙纵横;张小虎;陈伟;刘尧平;王燕;杜小龙 -专利权人：松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：一种晶体硅制绒添加剂、晶体硅制绒剂以及晶体硅倒金字塔绒面结构的制备方法，属于太阳能电池技术领域。制绒添加剂包括：形核剂、阴离子表面活性剂、分散剂、螯合剂以及余量的水；形核剂包括β‑环糊精、麦芽糊精以及木质素磺酸盐中的至少一种。利用上述晶体硅制绒添加剂添加于碱液中进行碱制绒，可晶体硅的表面形成倒金字塔绒面结构，由于制绒时在碱性环境中，相比于酸制绒成本更低，并且其不涉及金属离子的使用，因此有利于提高制绒后的晶体硅的纯净度。
晶体硅制绒添加剂硅制绒剂以及金字塔结构制备方法

[发明专利]一种抛光添加剂、抛光液、抛光方法和电池的制备方法-CN202210009444.6在审
发明人：陈伟;刘尧平;张小虎;刘操;杜小龙 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C09G1/04 文献下载
摘要：一种抛光添加剂、抛光液、抛光方法和电池的制备方法，属于光伏领域。抛光添加剂包括按照质量百分比计的下述组分：0.2％‑5％的氧化剂，0.02％‑1％的成膜保护剂，0.1％‑2％的螯合剂，0.1％‑2％的助洗剂和余量的水。该抛光添加剂可以被用于与碱液混合制作用于制作SE‑PERC太阳能电池的抛光液，并且因此简化制作流程、降低制作成本。
一种抛光添加剂方法电池制备

[发明专利]一种异质结太阳电池及其制备方法-CN202310167068.8在审
发明人：冯博文;杜小龙;陈兴谦;李昊臻;刘尧平 -专利权人：松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种异质结太阳电池及其制备方法，涉及新能源领域。金属种子层的制备方法包括以下步骤：取电池片，其中电池片的至少一表面设置有透明导电层，透明导电层中含有金属氧化物；金属氧化物为氧化铟、氧化锡、氧化锌、氧化锑、氧化镉中的任一种；使用电化学法在透明导电层的部分区域制备金属形核层；在金属形核层的表面电镀金属薄层，相同材质的金属薄层与金属形核层结合形成金属种子层；再以金属种子层为基础，形成金属栅线。本申请实施例的异质结太阳电池中，金属栅线和电池片之间的附着力强，有利于增大异质结太阳电池的使用寿命和转化效率，而且本申请实施例的制备方法也较为简单。
一种异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]碱制绒液、晶体硅V型槽绒面结构及其制备方法-CN202210620667.6有效
发明人：陈兴谦;刘尧平;陈伟;张小虎;王燕;邢国光;冯博文;李昊臻;孙纵横;杜小龙 -专利权人：松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：一种碱制绒液、晶体硅V型槽绒面结构及其制备方法，属于太阳能电池生产技术。碱制绒液按质量百分比计，其包括：表面活性剂0.0001％‑0.1％，含氯氧化剂0.001％‑0.1％，强碱1％‑20％，以及余量的水。碱制绒液在实际应用于晶体硅绒面结构的制备过程中时，能够利用碱制绒的方式形成晶体硅V型槽绒面结构，并且上述各原料配比合理，有利于获得表面无毛刺且较为均匀分布的V型槽绒面结构。
碱制绒液晶体型槽绒面结构及其制备方法

[发明专利]一种制绒液及制绒方法-CN202210629488.9有效
发明人：陈伟;张小虎;陈兴谦;刘尧平;杜小龙 -专利权人：松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种制绒液及制绒方法，涉及晶硅太阳能电池领域。晶硅制绒添加剂的组分按质量百分数计包括：0.1%‑10%的次氯酸盐，0.01%‑1%的聚奈甲醛磺酸钠盐，0.001%‑0.1%的羟丙基甲基纤维素，余量为去离子水。制绒方法主要是将硅片放入制绒液中进行反应，制绒液为上述的晶硅制绒添加剂和碱性溶液混合而成。制绒液及制绒方法的工艺简单，与现有的碱制绒生产工艺相兼容，成本较低，且制备的V型槽结构具有优异的全向性，实际应用价值较高。
一种制绒液方法

[发明专利]一种光电突触器件及其应用-CN202110537677.9有效
发明人：朱锐;梁会力;王燕;刘尧平;梅增霞 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本申请提供一种光电突触器件及其应用，属于人工突触技术领域。光电突触器件包括多个电性连接的光电突触元器件。每个光电突触元器件包括层叠设置的基片、非晶氧化镓层以及收集电极，非晶氧化镓层与收集电极相邻设置，非晶氧化镓层中氧空位浓度的控制可通过在0～0.2sccm的氧流量条件下磁控溅射沉积得以实现。光电突触器件具备较稳定的突触性能和较低的突触触发能耗；光电突触器件用作模拟生物突触行为的器件在人工神经网络硬件中的应用，能以较低能耗执行突触事件；光电突触器件用作图像处理的器件在图像传感设备中的应用，能有效实现抑噪。
一种光电突触器件及其应用

[发明专利]一种低反射绒面结构、制绒添加剂和制绒方法-CN202210618960.9有效
发明人：陈伟;张小虎;刘尧平;孙纵横;杜小龙 -专利权人：松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本申请提供一种低反射绒面结构、制绒添加剂和制绒方法，涉及晶硅太阳能电池领域。低反射绒面结构包括设置于硅片表面的多条平行的金字塔链，每条金字塔链是由多个金字塔结构单元连接而成，且相邻的两个金字塔结构单元相互重叠。制绒添加剂其中的组分按质量百分数计包括：主形核剂、辅助形核剂、绒面调节剂、阴离子表面活性剂和去离子水。制绒方法主要是将硅片放入上述制绒添加剂和碱性溶液混合而成的制绒液中进行反应。该绒面结构相比于常规的金字塔结构具有更低的反射率，并且只需要在碱性溶液中加入一定浓度的添加剂即可制得，与现有的碱制绒生产工艺相兼容，工艺简单，成本低廉，具有大规模推广应用价值。
一种反射结构添加剂方法

[发明专利]具有锥形绒面的压花玻璃和太阳能电池组件-CN201910154196.2有效
发明人：陈全胜;赵燕;刘尧平;吴俊桃;唐旱波;林珊;杜小龙 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明提供一种具有锥形绒面的压花玻璃，其中，所述具有锥形绒面的压花玻璃包括迎光面和背光面，所述迎光面具有锥形绒面结构；所述锥形绒面结构为正置棱锥或倒置棱锥。本发明还提供一种太阳能电池组件，包括：本发明所述的具有锥形绒面的压花玻璃、封装胶膜、电池片以及背板。在光线垂直入射时，本发明所述的具有锥形绒面的压花玻璃具有优异的光学性能；同时与现有平面玻璃相比，具有非常优异的全向性能，能够满足全天候发电、易于接收散射光能。采用本发明所述的具有锥形绒面的压花玻璃的太阳能电池可以明显提高太阳能电池的功率，并可以在实际应用中，增加一天内的发电量。
具有锥形压花玻璃太阳能电池组件

[发明专利]日盲紫外探测器及其制备方法、以及日盲紫外探测方法-CN202110427683.9有效
发明人：朱锐;梁会力;王燕;刘尧平;梅增霞 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本申请提供一种日盲紫外探测器及其制备方法、以及日盲紫外探测方法，属于日盲紫外探测技术领域。探测器包括：高阻非晶氧化镓层，氧空位浓度和致密度可在1～2sccm的氧流量条件下磁控溅射沉积，厚度15～30nm，有相对的第一和第二表面；低阻非晶氧化镓层，氧空位浓度和致密度可在不高于0.2sccm的氧流量条件下磁控溅射沉积，连接于第一表面；收集电极，有分别与第二表面连接的第一和第二电极。探测方法采用探测器，包括：在20～100V的工作电压下进行探测；或每次探测后转换电压正负性。探测器作为两端结构可兼具高的响应度和低的暗电流；探测时能够获得较大的光电流增益而实现高的比探测率，还能够有效减弱持续光电导。
紫外探测器及其制备方法以及探测

[发明专利]日盲紫外探测器及其制备方法、以及日盲紫外探测方法-CN202210056151.3有效
发明人：朱锐;梁会力;王燕;刘尧平;梅增霞 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本申请提供一种日盲紫外探测器及其制备方法、以及日盲紫外探测方法，属于日盲紫外探测技术领域。探测器包括：高阻非晶氧化镓层，其氧空位浓度和致密度可在1～2sccm的氧流量条件下磁控溅射沉积得到，厚度为15～30nm，具有相对的第一表面和第二表面；低阻非晶氧化镓层，其氧空位浓度和致密度可在不高于0.2sccm的氧流量条件下磁控溅射沉积得到，连接于第一表面；收集电极，具有分别与第二表面连接的第一电极和第二电极。探测方法包括：在20～100V的工作电压下，采用探测器对日盲紫外光进行探测。探测器作为两端结构可兼具高的响应度和低的暗电流，探测方法能够获得较大的光电流增益，实现高的比探测率。
紫外探测器及其制备方法以及探测

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