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[发明专利]一种通过等离子体辉光光谱来控制磁控溅射镀膜杂质含量的方法-CN202011601018.9有效
发明人：瞿佳华;刘宽菲;任宇航 -专利权人：尚越光电科技股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过等离子体辉光光谱来控制磁控溅射镀膜杂质含量的方法，光谱分析工作站分析收集到的光谱内容进行处理，对其中的光谱信息进行表征，并得出等离子体的光谱图；将所得光谱图和标准光谱图进行对比分析，若光谱图正常，则磁控溅射工艺正常进行，若光谱图异常，则自动停止磁控溅射工艺，并采取修正措施后继续磁控溅射；最终磁控溅射镀膜获得Mo背电极或TCO层。本发明通过辉光放电过程进行监控，能准确检测出惰性气体氛围和靶材中的杂质，同时能确定杂质的种类，针对不同的杂质做出准确有效的调控措施，从而有效控制镀膜中的杂质含量，并确保镀膜质量。
一种通过等离子体辉光光谱控制磁控溅射镀膜杂质含量方法

[发明专利]铜铟镓硒太阳能电池缓冲层的卷对卷化学喷淋沉积设备-CN202211498066.9在审
发明人： 刘宽菲;任宇航;沈凯;徐彩军;罗明新;刘亚敬 -专利权人：尚越光电科技股份有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒太阳能电池缓冲层的卷对卷化学喷淋沉积设备，解决柔性薄膜光伏基底在CSD喷淋镀膜时基底不平整，导致加热和镀膜不均匀的问题。本装置放卷区和收卷区之间依次输送辊输送基底，各输送辊之间在基底下方设置导热基板，所述导热基板上表面设置两侧向上翘起，中间平整的U型槽，导热基板内部在U型槽下方穿设有加热管，导热基板的下方依次设置有绝热保温板和磁吸体，导热基板上方设有密封保温盖板，所述基底磁吸贴合导热基板的U型槽输送。本发明采用CSD喷淋镀膜的方法，配合U型磁吸式的导热基板，可以基底保持底面平整，确保镀膜溶液均匀、基底各处加热均匀，从而保证基底上CdS缓冲层薄膜的均匀。
铜铟镓硒太阳能电池缓冲化学喷淋沉积设备

[发明专利]一种延长柔性CIGS电池组件寿命并降低成本的方法-CN202210353776.6在审
发明人： 刘宽菲;任宇航;沈凯;任宇珂 -专利权人：尚越光电科技股份有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种延长柔性CIGS电池组件寿命并降低成本的方法，用CIGS电池高碱金属掺杂技术，减少碱金属流失对CIGS芯片效率的影响，提高CIGS电池组件的长期使用的稳定性。利用柔性CIGS预封装技术实现CIGS电池的表面钝化，减少CIGS芯片对水汽的敏感度。利用复合干燥剂的封装胶膜，吸收透过封装材料中水汽，避免过饱和的水汽析出对CIGS芯片产生腐蚀，使得低成本的封装材料能够实现高成本封装胶膜的阻隔性能，从而有效降低成本。
一种延长柔性 cigs 电池组件寿命降低成本方法

[发明专利]一种卷对卷柔性CIGS吸收层碱金属后处理设备-CN202210543904.3在审
发明人： 刘宽菲;任宇航;沈凯;任宇珂 -专利权人：尚越光电科技股份有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及一种卷对卷柔性CIGS吸收层碱金属后处理设备，解决现有的柔性CIGS太阳能电池片的碱金属PDT处理水平不高的问题。本装置包括真空腔，真空腔两侧分别设有放卷轴和收卷轴，放卷轴和收卷轴之间收放输送柔性基板，柔性基板底面有CIGS层，放卷轴和收卷轴之间的柔性基板沿输送方向依次设有碱金属前驱体镀膜区、硒化区和冷却区，碱金属前驱体镀膜区的下方设有碱金属源，硒化区下方设有硒源，所述碱金属前驱体镀膜区、硒化区柔性基板上方分别设有上加热器。本发明实现了带有CIGS吸收层的柔性基底的碱金属后处理工艺，PDT处理效果好，可以有效提升了太阳能电池片的性能。
一种柔性 cigs 吸收碱金属处理设备

[发明专利]一种解决铜铟镓硒太阳能电池光衰问题的缺陷钝化方法-CN202011509085.8有效
发明人：胡煜霖;刘宽菲;任宇航 -专利权人：尚越光电科技股份有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种解决铜铟镓硒太阳能电池光衰问题的缺陷钝化方法，包括以下步骤：（1）在衬底上沉积Mo背电极；（2）在Mo背电极上沉积铜铟镓硒光吸收层；（3）在铜铟镓硒光吸收层上沉积CdS缓冲层；（4）在CdS缓冲层上沉积高阻i‑ZnO层和ZnO:Al窗口层，形成铜铟镓硒太阳能电池；（5）对铜铟镓硒太阳能电池进行缺陷钝化处理。本发明能够有效减少铜铟镓硒太阳能电池的缺陷密度，延长铜铟镓硒薄膜太阳能电池的最佳使用寿命，提高户外铜铟镓硒薄膜太阳能电池的实际使用功率。
一种解决铜铟镓硒太阳能电池问题缺陷钝化方法

[发明专利]一种室内应用的弱光型铜铟镓硒太阳能电池的制备方法-CN202011542727.4有效
发明人：胡煜霖;刘宽菲;任宇航 -专利权人：尚越光电科技股份有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种室内应用的弱光型铜铟镓硒太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：（1）在衬底上沉积Mo背电极；（2）在Mo背电极上共蒸法沉积CIGS光吸收层；（3）在CIGS光吸收层上沉积缓冲层；（4）在缓冲层上磁控溅射沉积高阻i‑ZnO层或ZnxMg(1‑x)O层，以及ITO层或AZO层；（5）利用气氛炉对铜铟镓硒太阳能电池进行退火；（6）制备CIGS柔光电池的上电极，获得弱光型铜铟镓硒太阳能电池；（7）对弱光型铜铟镓硒太阳能电池进行切割、封装，最终获得成品。本发明制备的弱光型铜铟镓硒太阳能电池在较低的光照度下具有良好的光电性能，属于环境友好型产品，非常适合作为室内弱光太阳能电池进行使用。
一种室内应用弱光型铜铟镓硒太阳能电池制备方法

[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池大规模生产时的碱金属掺杂处理法-CN201911203612.X有效
发明人：胡煜霖;刘宽菲;任宇航 -专利权人：尚越光电科技股份有限公司;浙江尚越新能源开发有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池大规模生产时的碱金属掺杂处理法，依次包括如下步骤：（1）先沉积一层Mo背电极层；（2）再沉积一层碱金属卤化物；（3）再共蒸发In、Ga、第六主族固态单质，（4）再共蒸发Cu、第六主族固态单质；（5）再沉积一层碱金属卤化物；（6）再共蒸发Cu、第六主族固态单质；（7）再共蒸发In、Ga、第六主族固态单质；（8）最后再沉积一层碱金属卤化物；（9）退火处理。本发明能够有效增加Mo层与CIGS层的附着力、增加CIGS空穴浓度、降低薄膜表面粗糙度、减少CdS缓冲层厚度并且提高薄膜太阳能电池开路电压、光电转换效率。
一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池大规模生产碱金属掺杂处理

[发明专利]一种超薄不锈钢柔性衬底铜铟镓硒太阳能电池背电极及其制备方法-CN202011509093.2在审
发明人：王吉应;刘宽菲;马林;任宇航 -专利权人：尚越光电科技股份有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄不锈钢柔性衬底铜铟镓硒太阳能电池背电极及其制备方法，包括超薄不锈钢柔性衬底，其特征在于，超薄不锈钢柔性衬底的正面上设有阻隔层，阻隔层上设有正面Mo薄膜，超薄不锈钢柔性衬底的底面上设有背面Mo薄膜。本发明能够显著减少膜层与衬底之间的应力，增强衬底与膜层之间的结合力，有效抑制衬底卷曲以及背电极膜层的开裂、脱落。
一种超薄不锈钢柔性衬底铜铟镓硒太阳能电池电极及其制备方法

[发明专利]一种柔性CIGS太阳能电池片硒源加氢增强硒反应活性的系统-CN201911203726.4有效
发明人：瞿佳华;刘宽菲;任宇航 -专利权人：尚越光电科技股份有限公司;浙江尚越新能源开发有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性CIGS太阳能电池片硒源加氢增强硒反应活性的系统，包括硒源、氢气储罐、气体自动混合装置及混合气输出管道，所述气体自动混合装置包含硒蒸气控制阀门、氢气控制阀门及气体输送管道，硒源的硒蒸汽出口连接硒蒸气控制阀门的入口，氢气储罐的氢气出口连接氢气控制阀门的入口，硒蒸气控制阀门的出口连接气体输送管道的硒蒸气入口，氢气控制阀门的出口连接气体输送管道的氢气入口，气体输送管道的出口连接混合气输出管道的入口，硒蒸气控制阀门与氢气控制阀门联动。本发明能实现硒蒸汽和氢气的自动并均匀混合，能有效打开团簇Se并生成少量硒化氢，增加反应活性，减少薄膜的缺陷。
一种柔性 cigs 太阳能电池片硒源加氢增强反应活性系统

[发明专利]一种利用In-Ga合金蒸发源制备大面积均匀性CIGS薄膜太阳能电池的方法-CN201910749760.5有效
发明人： 刘宽菲;张卫彪;任宇航 -专利权人：尚越光电科技股份有限公司;浙江尚越新能源开发有限公司
申请日： 2019-08-14 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用In‑Ga合金蒸发源制备大面积均匀性CIGS薄膜太阳能电池的方法，通过In/Ga混合金属蒸发源替代常规的单质In和单质Ga金属源，使得In和Ga金属在蒸发前就以特定的比例进行混合，并利用实验方式，获得混合金属液体在高温蒸发时的In/Ga喷射比例预测经验公式，确保In、Ga金属按照我们设计的成分比例在基底表面形成CIGS薄膜，从而实现In/Ga混合源长时间大面积镀膜的稳定性，同时实现CIGS薄膜内In和Ga金属分布的均匀性。
一种利用 in ga 合金蒸发制备大面积均匀 cigs 薄膜太阳能电池方法

[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层的制备系统及方法-CN201710004751.4有效
发明人：任宇航;张龙飞;刘宽菲;罗明新 -专利权人：浙江尚越新能源开发有限公司
申请日： 2017-01-04 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层的制备系统，包括原料输送子系统、机械传动子系统、加热子系统、清洗子系统，原料输送子系统包括若干原料输送装置、若干超声波喷嘴，机械传动子系统包括放卷辊、若干托辊、张力控制辊和收卷辊，加热子系统包括若干加热块，清洗子系统包括冲淋冷却装置、最终冲洗装置、干燥装置。本发明还公开其制备方法。将原料输送子系统、机械传动子系统、加热子系统、清洗子系统集于一体，保证高纯度的反应溶液可控供应给超声波喷嘴，超声波喷嘴将反应溶液均匀喷洒在柔性衬底上，随着衬底向温度高的区域卷进，这些化学物质因为加热而反应完全，最终制备厚度可控的均匀的具有良好光电性能的缓冲层。
超声波喷嘴加热子系统清洗子系统机械传动原料输送缓冲层铜铟镓硒薄膜太阳能电池反应溶液制备系统衬底制备原料输送装置张力控制辊冲洗装置干燥装置光电性能厚度可控化学物质均匀喷洒冷却装置放卷辊高纯度加热块收卷辊冲淋可控托辊加热保证

[实用新型]用于化学喷射沉积的超声波喷嘴-CN201720006825.3有效
发明人：张龙飞;任宇航;刘宽菲;罗明新 -专利权人：浙江尚越新能源开发有限公司
申请日： 2017-01-04 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： B05B17/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于化学喷射沉积的超声波喷嘴，包括喷嘴本体，喷嘴本体上端设置溶液进孔，上端两侧分别设置超声波发生部件，喷嘴本体下端设置若干溶液出孔，以每列溶液出孔计数，分为n孔、n‑1孔、n‑2孔，溶液出孔按若干列n孔–若干列n‑1孔–若干列n‑2孔‑若干列n‑1孔–若干列n孔在喷嘴本体下端排列。本实用新型通过设置超声波发生部件和改变溶液出孔排列，使得溶液喷洒更流畅，喷射的液体在衬底表面分布更均匀，保持了衬底表面液体的均匀性，充分提高了化学喷射沉积薄膜的均匀性。
用于化学喷射沉积超声波喷嘴

[发明专利]氧化锌纳米棒阵列薄膜的制备方法-CN201310356630.8有效
发明人：武卫兵;刘宽菲;张楠楠;陈晓东;陈宝龙 -专利权人：济南大学
申请日： 2013-08-16 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明属于半导体薄膜制备技术领域，尤其涉及一种氧化锌纳米棒阵列薄膜的制备方法。本发明的技术方案为：氧化锌纳米棒阵列薄膜的制备方法，包括以下步骤：1）采用高度（001）取向的ZnO作为种子层，将ZnO种子层放入硝酸锌（Zn(NO3)2）、聚乙烯亚胺（PEI）和六次甲基四胺（HMT）水溶液中外延生长得到（001）择优取向的超长ZnO纳米棒阵列薄膜；2）对薄膜进行快速退火处理，提高ZnO阵列薄膜光致发光性能。该技术能够实现ZnO纳米棒在高于100℃下的连续生长，高温生长条件改善了纳米棒的结晶质量，内部缺陷明显减少，具有优良的光电性能，更有利于在染料敏化太阳能电池、紫外探测器、场效应晶体管、发光二级管、纳米发电机等光电器件中的应用。
氧化锌纳米阵列薄膜制备方法

[发明专利]一种在水相碱性条件下电化学制备碲化镉半导体薄膜的方法-CN201110381115.6有效
发明人：武卫兵;陈晓东;刘宽菲;胡广达 -专利权人：济南大学
申请日： 2011-11-26 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： C25D9/00 文献下载
摘要：本发明涉及碲化镉半导体薄膜制备技术领域一种在水相碱性条件下电化学制备碲化镉半导体薄膜的方法，采用三电极电化学沉积体系，在温度为20℃～80℃、阴极沉积电位为-1.0V~-2.0V下从碱性前躯体沉积溶液中电化学沉积CdTe薄膜在沉积基体上，并通过对沉积出的CdTe薄膜退火处理来提高薄膜的结晶质量。采用高的阴极电位避免了低阴极电位下形成的非晶态CdTe在后期热晶化处理时薄膜缩聚所导致的开裂问题；采用弱碱性溶液，减少了电解质溶液对沉积基底的腐蚀；弱碱性溶液中H+离子浓度低，电沉积过程中生成的H2气较少，解决了沉积过程中氢气生成引起的针状气孔问题，薄膜致密度和光电性能大大改善。
一种碱性条件下电化学制备碲化镉半导体薄膜方法

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