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[发明专利]一种键合系统和键合方法-CN202211529118.4有效
发明人：田应超;刘天建;张越 -专利权人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种键合系统和键合方法。键合系统包括：键合组件、晶圆承载台、第一对准组件、第二对准组件和第三对准组件；第一对准组件和第二对准组件分别用于在键合头位于第一位置时，确定键合头上的第一对准标记的第一位置参数和键合头拾取的第一管芯上的第二对准标记的第二位置参数；第三对准组件用于确定晶圆上的第二管芯上的第三对准标记的第三位置参数以及在键合头位于第二位置时，确定键合头上的第一对准标记的第四位置参数；根据第一位置参数、第二位置参数、第三位置参数和第四位置参数，使得第一管芯和第二管芯相对准；键合组件用于键合第一管芯和第二管芯。如此，可以同时实现管芯到晶圆键合的高精度和高产出量。
一种系统方法

[发明专利]键合方法及键合结构-CN202310642479.8有效
发明人：张越;刘天建;田应超 -专利权人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种键合方法及键合结构。该键合方法包括：提供第一基底、第二基底；在所述第一基底上沉积第一键合层，并在所述第二基底上沉积第二键合层；采用激光扫描的方式激活所述第一键合层，并通过所述第一键合层、所述第二键合层将所述第一基底与所述第二基底键合。本发明可以在对键合区域进行界面激活的同时，无需激活键合区域外的界面，极大的提高了键合的效率。
方法结构

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202011309816.4有效
发明人： 刘天建;周如金;叶国梁 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，通过刻蚀去除部分所述第一金属层以在所述第一金属层中形成第一开口；所述第二金属层填充在所述第一开口中，且与刻蚀剩余的所述第一金属层电连接；硅通孔依次贯穿所述衬底和部分厚度的所述介质层且暴露出所述第二金属层；硅通孔中的互连层与所述第二金属层电连接。所述第二金属层和互连层在所述衬底上的投影落入所述第一金属层在所述衬底上的投影范围内即可实现将第一金属层引出，硅通孔不需要额外占用横向(平行于衬底方向)上第一金属层侧方的面积，提高了晶圆面积利用率。引出第一金属层的第二金属层通过一次光刻工艺(一张光罩)即可完成，此工序可减少光罩，降低成本，并降低工艺难度。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种晶圆处理方法-CN202211575189.8有效
发明人：张越;刘天建;潘超 -专利权人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本公开提供了一种晶圆处理方法，所述晶圆处理方法包括：提供晶圆；所述晶圆包括切割道；所述切割道包括测试区域和位于所述测试区域之间的缓冲区域；所述缓冲区域包括形成于衬底上的介质层；在所述缓冲区域的所述介质层中形成保护结构；形成覆盖所述测试区域和所述缓冲区域的保护层；所述保护结构的熔沸点高于所述介质层和所述保护层的熔沸点；对所述保护层执行激光切割，去除所述保护层中覆盖所述保护结构的部分，以在所述保护层中形成暴露所述保护结构的开口。本公开在晶圆切割道的缓冲区域形成具有高熔沸点的保护结构，通过激光切割去除保护层中覆盖保护结构的部分，避免介质层在激光切割的过程中产生熔渣和崩边，提高晶圆切割后芯片的洁净度。
一种处理方法

[发明专利]一种芯片及其制造方法、封装结构-CN202310134644.9有效
发明人：张越;刘天建;田应超 -专利权人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本公开提供了一种芯片及其制造方法、封装结构，所述方法包括：提供晶圆；所述晶圆包括形成于衬底上的主芯片区域和切割道区域；所述切割道区域包括第一区域和第二区域；所述第二区域位于所述主芯片区域与所述第一区域之间；所述第一区域包括金属结构，所述第二区域不包括所述金属结构；对所述第一区域执行划片切割，以将所述晶圆切割为若干个芯片；对所述第二区域执行第一倒角切割，以在所述若干个芯片的边角区域形成暴露所述衬底的倒角；对所述衬底执行第二倒角切割，以去除暴露的所述衬底，得到倒角后的芯片。本公开的芯片制造方法对不包括金属结构的区域进行倒角切割，避免在切割过程中产生熔渣，提高倒角后芯片的洁净度。
一种芯片及其制造方法封装结构

[发明专利]晶圆的匹配设计方法、晶圆键合结构以及芯片键合结构-CN202011042851.4有效
发明人：盛备备;胡胜;刘天建 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供的晶圆的匹配设计方法、晶圆键合结构以及芯片键合结构中，所述第一晶圆包括单元阵列，所述单元阵列包括至少两个第一芯片；所述第二晶圆包括第二芯片，一个所述第二芯片至少覆盖一个所述单元阵列；所述第二芯片与其覆盖所述单元阵列内的所述第一芯片性能匹配；所述第一晶圆上设置有第一对准标记，所述第二晶圆上设置有第二对准标记，所述第一对准标记和所述第二对准标记对应。本发明实现了两片或以上的晶圆中对应芯片的形状或面积差别较大的晶圆的匹配设计与键合。第一芯片和第二芯片的面积得到有效利用，第一芯片和第二芯片在面积和性能上更佳匹配；缩短新产品研发周期，也大大提升了产品设计多样性的自由度。
匹配设计方法晶圆键合结构以及芯片

[发明专利]半导体结构及其制作方法以及电容器-CN202211642774.5在审
发明人：曹瑞霞;胡杏;刘天建;李琳瑜 -专利权人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法，所述半导体结构包括：第一电极，第一电极具有相对设置的第一端和第二端；第一介电层，覆盖第一电极的部分顶表面和第二端的侧面；第二电极，位于第一介电层上，覆盖第一电极的部分顶表面和第二端的侧面；其中，第二电极和第一介电层显露第一端，第一电极和第二电极通过第一介电层电隔离；第二电极靠近第二端的一端包括第一台阶面和第二台阶面，第一台阶面的平面高度小于或者等于第二台阶面的平面高度；第一导电通道，位于第一端上，与第一端电连接；第二导电通道，位于第一台阶面上，与第一台阶面电连接。
半导体结构及其制作方法以及电容器

[发明专利]晶圆切割方法-CN202211587049.2在审
发明人：张越;刘天建;潘超 -专利权人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种晶圆切割方法，包括：提供待切割晶圆；所述待切割晶圆包括沿第一方向相对的正面和背面，所述第一方向为所述待切割晶圆的厚度方向；在所述待切割晶圆背面形成停止层；在所述停止层上形成保护层；从所述正面切割所述待切割晶圆，形成第一凹槽，所述第一凹槽暴露出所述停止层；从所述第一凹槽去除部分停止层，形成第二凹槽，所述第二凹槽暴露出所述保护层。
切割方法

[发明专利]一种晶圆的切割方法-CN202111478198.0有效
发明人： 刘天建;田应超;曹瑞霞;刘淑娟 -专利权人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司;湖北江城实验室
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： B23K26/346 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆的切割方法，采用第一激光切割工艺沿所述保护液的表面向下开槽，形成从所述保护液的表面延伸至所述介质层内的第一凹槽，所述第一凹槽的边缘上方形成有熔渣；采用第二激光切割工艺沿所述第一凹槽的底面向下开槽，形成连通所述第一凹槽的第二凹槽，且所述第一凹槽的横向宽度大于所述第二凹槽的横向宽度，所述第二凹槽的边缘上方形成有熔渣；进行等离子切割工艺沿所述第二凹槽的底面向下开槽，形成第三凹槽，所述第一凹槽、所述第二凹槽及所述第三凹槽共同贯穿所述晶圆并构成切割道，同时去除所述第一凹槽和所述第二凹槽的边缘上方的熔渣。本发明有利于提高混合键合工艺的效果。
一种切割方法

[发明专利]芯片系统-CN202210858221.7有效
发明人：田应超;刘天建;曹瑞霞;王逸群;谢冬 -专利权人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司;湖北江城实验室
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本公开提供一种芯片系统，所述芯片系统包括：第一基板；位于所述第一基板上阵列排布的多个第一功能芯片；以及位于所述第一功能芯片表面上的多个第二功能芯片；其中，所述第一功能芯片与所述第二功能芯片具有不同类型的功能；每个所述第二功能芯片在所述第一基板上的投影分别与至少两个所述第一功能芯片在所述第一基板上的投影至少部分重叠；所述第二功能芯片与至少两个所述第一功能芯片在重叠的区域内键合连接；键合连接的所述第一功能芯片与所述第二功能芯片之间具有多路连接通道；所述多路连接通道被配置为使所述第二功能芯片与至少两个所述第一功能芯片之间具有信号通信。
芯片系统

[发明专利]芯片系统-CN202210858190.5有效
发明人：田应超;刘天建;曹瑞霞;王逸群;任小宁 -专利权人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司;湖北江城实验室
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种芯片系统，所述芯片系统包括：第一晶圆，所述第一晶圆中具有阵列排布的多个第一功能芯片；第二晶圆，所述第二晶圆位于所述第一晶圆上方；所述第二晶圆中具有阵列排布的多个第二功能芯片；其中，所述第一功能芯片与所述第二功能芯片具有不同类型的功能；每个所述第二功能芯片在所述第一晶圆上的投影与至少两个相邻的所述第一功能芯片部分重叠；所述第二功能芯片与至少两个相邻的所述第一功能芯片在重叠的区域内键合连接；键合连接的所述第一功能芯片与所述第二功能芯片之间具有信号通道多路连接通道；所述多路连接通道被配置为使所述第二功能芯片与至少两个所述第一功能芯片之间具有信号通信。
芯片系统

[发明专利]一种键合补偿方法及装置、芯片再布线方法、键合结构-CN202210856839.X有效
发明人： 刘天建;田应超;曹瑞霞;王逸群;刘淑娟 -专利权人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司;湖北江城实验室
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种键合补偿方法及装置、芯片再布线方法、键合结构。所述补偿方法包括：提供至少一个底部芯片，所述底部芯片上键合有多个顶部芯片；获取各个所述顶部芯片的实际键合位置相对于所述底部芯片的偏移量和各个所述顶部芯片上的待形成再布线层的设置位置相对于所述底部芯片的预设误差精度；构建包含预补偿参数的所述待形成再布线层的设置位置相对于各个所述顶部芯片的补偿量，以所述预设误差精度作为边界条件，计算得到所述预补偿参数；其中，所述预补偿参数为所述待形成再布线层的设置位置相对于所述底部芯片的补偿参数。
一种补偿方法装置芯片布线结构

[发明专利]晶圆切割设备及晶圆切割方法-CN202210969355.6在审
发明人：宋林杰;刘天建;田应超 -专利权人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种晶圆切割设备及晶圆切割方法，该设备包括：晶圆承载台，用于承载晶圆，且在切割时使所述晶圆表面朝下；切割装置，位于所述晶圆承载台下方，用于切割所述晶圆承载台上的晶圆；熔渣清除装置，位于所述晶圆承载台下方，用于通过负气压抽走切割晶圆产生的熔渣。
切割设备方法

[发明专利]晶圆的切割方法和激光切割装置-CN202210489798.5有效
发明人：田应超;刘天建;胡杏;王逸群;刘淑娟 -专利权人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司;湖北江城实验室
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种晶圆的切割方法和激光切割装置。所述切割方法包括：提供待切割晶圆；其中，所述待切割晶圆包括多个管芯以及位于相邻的两个管芯之间的切割道；所述切割道包括沿所述切割道延伸方向并列设置的至少两个子区域；所述至少两个子区域内的材质厚度分布不同；对第一个所述子区域施加第一激光能量，以切割第一个所述子区域；其中，所述第一激光能量是根据第一个所述子区域内材质厚度分布的第一统计信息确定的；对第二个所述子区域施加第二激光能量，以切割第二个所述子区域；其中，所述第二激光能量是根据第二个所述子区域内材质厚度分布的第二统计信息确定的，所述第二激光能量和所述第一激光能量不同。
切割方法激光装置

[发明专利]CIS基因芯片及其制作方法-CN201910668230.8有效
发明人：叶国梁;刘天建;占迪 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C40B40/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种CIS基因芯片及其制作方法，所述方法包括：提供一CIS芯片，所述CIS芯片包含像素感光区，减薄所述CIS芯片像素感光区内的介质层；形成氨基化物质，所述氨基化物质覆盖所述介质层的减薄区域，由此形成的CIS基因芯片，可以缩短了信号源与信号收集区之间的距离，提高了信号灵敏度，提高了测试结果准确率，同时其分析设备可以迷你化，且打破基因分析的场地限制并缩减了成本，并且可以提高CIS基因芯片的批量化生产程度。
cis 基因芯片及其制作方法

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