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[发明专利]缓冲型finFET器件-CN201210306226.5有效
发明人： I·拉希姆;J·T·瓦特;徐彦忠;刘令时 -专利权人：阿尔特拉公司
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一个实施例涉及一种缓冲型finFET器件。该器件包括形成于半导体衬底中的缓冲型竖直鳍形结构。竖直鳍形结构至少包括上半导体层、缓冲区域和阱区域的至少部分。缓冲区域具有第一掺杂极性，并且阱区域具有与第一掺杂极性相反的第二掺杂极性。至少一个p-n结形成于缓冲与阱区域之间，该p-n结至少部分地覆盖竖直鳍形结构的水平横截面。也公开了其它实施例、方面和特征。
缓冲 finfet 器件

[发明专利]用于可编程逻辑器件集成电路的带有提高的供电电平的易失性存储器单元-CN201110277157.5有效
发明人： 刘令时;M·T·陈;T·D·杜 -专利权人：阿尔特拉公司
申请日： 2006-11-10 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： G11C11/4193 文献下载
摘要：提供具有易失性存储器单元的集成电路。这些存储器单元产生输出信号。这些集成电路可能是含有可编程核心逻辑的可编程逻辑器件集成电路，该可编程核心逻辑包含带有栅极的晶体管。使用核心逻辑供电电平为核心逻辑供电，该核心逻辑供电电平由核心逻辑正供电电压和核心逻辑接地供电电压限定。当装载了配置数据时，这些存储器单元产生输出信号，这些输出信号被施加于核心逻辑中的晶体管的栅极以定制该可编程逻辑器件。使用存储器单元供电电平为存储器单元供电，该存储器单元供电电平由存储器单元正供电电压和存储器单元接地供电电压限定。该存储器单元供电电平相对于该核心逻辑供电电平被提高。
用于可编程逻辑器件集成电路带有提高供电电平易失性存储器单元

[发明专利]电源电平升高的可编程逻辑器件存储器单元-CN201110183540.4有效
发明人： 刘令时;陈天沐 -专利权人：奥特拉有限公司
申请日： 2006-11-17 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明提供了电源电平升高的可编程逻辑器件存储器单元。可编程逻辑器件集成电路包含被按可编程核心逻辑电源电压供电的可编程核心逻辑。向存储器单元中加载可编程逻辑器件配置数据，来对可编程核心逻辑进行配置以执行定制逻辑功能。在正常操作过程中，可以按比可编程核心逻辑电源电压高的电源电压对存储器单元供电。在数据加载操作过程中，可以按与可编程核心逻辑电源电压相等的电源电压对存储器单元供电。数据加载和读取电路向存储器单元中加载数据并从存储器单元读取数据。该数据加载和读取电路生成地址信号。地址信号在数据写入操作过程中可以具有比在读取操作过程中高的电压电平。
电源电平升高可编程逻辑器件存储器单元

[发明专利]用于可编程逻辑器件集成电路的具有升高输出电压的易失性存储元件-CN200680050800.8有效
发明人： 刘令时;M·T·陈 -专利权人：阿尔特拉公司
申请日： 2006-11-10 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： G06F7/38 文献下载
摘要：提供具有存储元件的集成电路。所述存储元件产生输出信号。所述集成电路可以是包含可编程逻辑的可编程逻辑器件集成电路，此可编程逻辑包括具有栅极的晶体管。当被加载配置数据时，所述存储元件产生输出信号，该输出信号被施加到所述可编程逻辑器件中所述晶体管的所述栅极以定制可编程逻辑。为保证所述可编程逻辑中的所述晶体管被合适地开启，所述存储元件在正常器件操作期间由被提高的供电电平供电。在数据加载操作期间，所述存储元件的所述供电电平被减小。在加载期间减小所述存储元件供电电平为所述存储元件增加了写裕量(write margin)。
用于可编程逻辑器件集成电路具有升高输出电压易失性存储元件

[发明专利]用于可编程逻辑器件集成电路的带有提高的供电电平的易失性存储器单元-CN200680050820.5有效
发明人： 刘令时;M·T·陈;T·D·杜 -专利权人：阿尔特拉公司
申请日： 2006-11-10 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：提供具有易失性存储器单元的集成电路。这些存储器单元产生输出信号。这些集成电路可能是含有可编程核心逻辑的可编程逻辑器件集成电路，该可编程核心逻辑包含带有栅极的晶体管。使用核心逻辑供电电平为核心逻辑供电，该核心逻辑供电电平由核心逻辑正供电电压和核心逻辑接地供电电压限定。当装载了配置数据时，这些存储器单元产生输出信号，这些输出信号被施加于核心逻辑中的晶体管的栅极以定制该可编程逻辑器件。使用存储器单元供电电平为存储器单元供电，该存储器单元供电电平由存储器单元正供电电压和存储器单元接地供电电压限定。该存储器单元供电电平相对于该核心逻辑供电电平被提高。
用于可编程逻辑器件集成电路带有提高供电电平易失性存储器单元

[发明专利]电源电平升高的可编程逻辑器件存储器单元-CN200610148491.X有效
发明人： 刘令时;陈天沐 -专利权人：奥特拉有限公司
申请日： 2006-11-17 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本发明提供了电源电平升高的可编程逻辑器件存储器单元。可编程逻辑器件集成电路包含被按可编程核心逻辑电源电压供电的可编程核心逻辑。向存储器单元中加载可编程逻辑器件配置数据，来对可编程核心逻辑进行配置以执行定制逻辑功能。在正常操作过程中，可以按比可编程核心逻辑电源电压高的电源电压对存储器单元供电。在数据加载操作过程中，可以按与可编程核心逻辑电源电压相等的电源电压对存储器单元供电。数据加载和读取电路向存储器单元中加载数据并从存储器单元读取数据。该数据加载和读取电路生成地址信号。地址信号在数据写入操作过程中可以具有比在读取操作过程中高的电压电平。
电源电平升高可编程逻辑器件存储器单元