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[发明专利]正极材料及其制备方法、锂离子电池-CN201710748386.8有效
发明人：刘兴泉;刘一町;何振华 -专利权人：四川富骅新能源科技有限公司
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供一种正极材料及其制备方法、锂离子电池，涉及锂离子电池技术领域。该正极材料的化学组成分子表达式为：Li1+δ[Ni0.8‑xMgx][Co0.1‑yAly][Mn0.1‑zM(IV)z]O2‑dFd，其中，0x0.1，0y0.1，0z0.1，0δ0.1，0d0.1，0.03≤x+y+z≤0.15。其在4.5V的高电压充电条件下具有极高的放电比容量和较优异的循环稳定性能。上述正极材料的制备方法，简单可控，有效提高正极材料的定向掺杂、取代效率，有效提高正极材料的性能。正极主要由上述正极材料制备的锂离子电池，具有优异的高能量密度。
正极材料及其制备方法锂离子电池

[发明专利]一种掺杂的高镍高电压NCM正极材料及其制备方法-CN201911075309.6在审
发明人：刘兴泉;刘一町;罗欢;何泽珍 -专利权人：四川富骅新能源科技有限公司
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂的高镍高电压NCM正极材料及其制备方法，属于锂离子电池领域，通过同时掺杂锰和钴得到NCM前驱体，再通过在前驱体中加入掺杂物M和在高压氧气气氛下烧结，得到锂离子电池正极材料，本发明的正极材料具有很高的放电比容量和优异的循环稳定性能，不仅能够满足大倍率充放电需求，而且可以在高电压下长寿命安全循环；采用四种溶液并流共沉淀结合高压固相合成法制备该正极材料，制备的产品纯度高、结晶品质高、产物颗粒密度大且分布均匀、电化学性能优异且制造成本低，是高能量密度的理想正极材料，具有广泛的应用前景。
正极材料高电压前驱体制备锂离子电池正极材料大倍率充放电循环稳定性能电化学性能放电比容量锂离子电池产品纯度产物颗粒高压氧气固相合成结晶品质制造成本烧结掺杂的掺杂物长寿命高能量共沉淀并流高镍掺杂应用安全

[发明专利]一种高镍低钴三元正极材料及其制备方法-CN201810581021.5在审
发明人：刘兴泉;刘一町;张萍;何泽珍;朱虹 -专利权人：四川富骅新能源科技有限公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种高镍低钴三元正极材料及其制备方法，该材料化学通式为Li[Ni_0.975Co_0.0125Mn_0.0125]_1‑xM_xO₂，x为摩尔百分比，0.01≤x≤0.05，M为Sc,Y,Zr,Ti,Mg或Al中的一种或几种组合。制备方法为采用共沉淀法制备前驱体，再采用简单的固相法合成含有过量锂同时掺杂M离子的正极材料，产品成本低廉，其制备方法简单，便于控制；原料来源广泛，易于工业化生产，制得的材料结晶度良好，无杂相，而且颗粒细小且分布均匀，同时具有高放电比容量和优异的循环性能。
制备三元正极材料低钴高镍放电比容量固相法合成摩尔百分比产品成本材料化学材料结晶循环性能正极材料共沉淀过量锂前驱体离子掺杂

[发明专利]一种锂离子电池正极材料及其制备方法-CN201710113471.7在审
发明人：刘兴泉;刘一町;钟万;张萍;何泽珍;何振华 -专利权人：四川富骅新能源科技有限公司
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01M4/136 文献下载
摘要：一种锂离子电池正极材料及其制备方法，其涉及锂离子电池领域。该制备方法采用溶胶凝胶法制备了钴、铝、钛、镁、氟分布均匀的锂离子电池正极材料前驱体，采用高温固相法合成了体相均匀掺杂的锂离子电池正极材料LiMn2‑2x‑2yCoxAlxTiyMgyO2‑zFz；通过该方法所制备的锂离子电池正极材料，不仅放电比容量高，而且在高温下的充放电循环寿命长，其在3.3‑4.5V电压区间循环充放电51次后，容量保持率为95.8％，表现出了优良的电化学性能。
一种锂离子电池正极材料及其制备方法

[发明专利]锂离子电池正极材料LiMn2‑2xM(II)xSixO4及其制备方法-CN201410085439.9有效
发明人：刘兴泉;赵红远;吴玥;张峥;刘一町 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-03-10 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明的目的在于针对锂离子电池正极材料锰酸锂(LiMn2O4)电化学循环稳定性差的缺点提供一种体相掺杂改性的尖晶石型锂离子电池正极材料LiMn2‑2xM(II)xSixO4及其制备方法，其中M(II)=Mg、Zn、Ni、Co、Cu等二价金属离子。通过同时等摩尔掺杂四价元素和二价金属取代材料中的锰得到锂离子电池正极材料LiMn2‑2xM(II)xSixO4，该锂离子电池正极材料LiMn2‑2xM(II)xSixO4具有平稳的充放电电压平台，较高的放电比容量以及优异的循环稳定性能，能够满足高倍率充放电需求，其制备方法克服了固相合成法合成时间长、产物粒径分布不均匀、电化学性能差的缺点，制备的产品化学均匀性好、颗粒细小、纯度高、结晶品质高、电化学性能优良，且制造成本低。
锂离子电池正极材料 limn2 xm ii xsixo4 及其制备方法

[发明专利]一种锂离子电池高电压三元正极材料及其制备方法-CN201611238223.7在审
发明人：刘兴泉;刘一町;何振华 -专利权人：四川富骅新能源科技有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01M4/48 文献下载
摘要：本发明提出了一种锂离子电池高电压三元正极材料及其制备方法，具有如下化学式，LiNi0.6‑xMgxCo0.2‑yAlyMn0.2‑zTizO2‑dFd，其中0<x,y,z,d≤0.05。采用梯度共沉淀法合成正极材料前驱体，固相法制备正极材料。合成的前驱体颗粒中镍元素含量由内而外呈梯度分布。将所得前驱体按比例与锂源和氟源混合研磨均匀，并放入管式炉中；在富氧空气气氛下预烧；再升温至烧结，即得到目标产物。该方法制备的锂离子电池正极材料无杂相，结晶度好，在4.5V高电压充电条件下表现出了优异的电化学性能，是一种高能量密度正极材料，而且操作工艺较简单，原料来源广泛，易于实现规模化工业生产。
一种锂离子电池电压三元正极材料及其制备方法

[发明专利]锂离子电池正极材料LiMn2‑2xM(II)xTixO4及其制备方法-CN201410085311.2有效
发明人：刘兴泉;吴玥;赵红远;张峥;刘一町 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-03-10 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明的目的在于针对锂离子电池正极材料锰酸锂(LiMn2O4)电化学循环稳定性差的缺点提供一种体相掺杂改性的尖晶石型锂离子电池正极材料LiMn2‑2xM(II)xTixO4及其制备方法，其中M(II)=Mg、Zn、Ni、Co、Cu等二价金属离子。通过同时等摩尔掺杂四价元素和二价金属取代材料中的锰得到锂离子电池正极材料LiMn2‑2xM(II)xTixO4，该锂离子电池正极材料LiMn2‑2xM(II)xTixO4具有平稳的充放电电压平台，较高的放电比容量以及优异的循环稳定性能，能够满足高倍率充放电需求，其制备方法克服了固相合成法合成时间长、产物粒径分布不均匀、电化学性能差的缺点，制备的产品重现性好、化学均匀性好、颗粒细小、纯度高、结晶品质高、电化学性能优良，且制造成本低。
锂离子电池正极材料 limn2 xm ii xtixo4 及其制备方法

[发明专利]一种高容量锂离子电池正极材料及其制备方法-CN201510909098.7在审
发明人：刘兴泉;刘一町;何振华 -专利权人：四川富骅新能源科技有限公司
申请日： 2016-01-18 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种高容量锂离子电池正极材料及其制备方法，包括原料溶解于去离子水中，配制成两种体积相同、浓度不同的混合溶液A和B，并将氢氧化钠溶液和氨水溶液，并流地加入到容器C中进行共沉淀，制备出共沉淀物Ni_1-x-yCo_xAl_y(OH)_2+y前驱体。制备好的共沉淀物前驱体经过陈化、过滤、洗涤、干燥后，与锂源混合均匀，把混合后的物料压制成型，置于管式炉中预烧，然后在氧气/富氧空气气流中烧结，即得目标产物。本发明的锂离子电池正极材料无杂相，结晶品质高，产物粒径分布均匀并具有规则的球形形貌，具有很高的放电比容量和较优异的循环稳定性，能够满足高能量密度和大倍率充放电需求，工艺简单，制造成本较低。
一种容量锂离子电池正极材料及其制备方法

[发明专利]高电压钴酸锂正极材料及其制备方法-CN201610022196.3在审
发明人：刘兴泉;刘一町;何振华 -专利权人：四川富骅新能源科技有限公司
申请日： 2016-01-13 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01M4/525 文献下载
摘要：本发明提供一种高电压钴酸锂正极材料及其制备方法，包括将钴源原料和锂源原料混合研磨均匀，得到混合物A；将含金属铝的原料、四价元素M(IV)和二价金属M(II)的原料通过溶解于适量去离子水或乙醇溶剂中或三者直接混合后，得到混合物B；将混合物B加入到混合物A中搅拌混合均匀后，在红外灯下或烘箱中干燥除去溶剂，研磨均匀，得到混合物C；将混合物C置于马弗炉中，在空气气氛下750～850℃预烧4～8h；将所得预烧产物继续在马弗炉中，在空气气氛下于900～1000℃烧结12～24h；将所得烧结产物冷却，研磨，过筛，得高电压钴酸锂正极材料LiCo_1-xAl_x-2yM(IV)_yM(II)_yO₂(0≤x≤0.1，x≥2y，0≤y≤0.05)。制备的产品纯度高、结晶品质好、形貌规整、产物颗粒密度大、能量密度高、电化学性能优良且制造成本低。
电压钴酸锂正极材料及其制备方法

[发明专利]一种高容量锂离子电池正极材料及其制备方法-CN201510906729.X在审
发明人：刘兴泉;刘一町;何振华 -专利权人：四川富骅新能源科技有限公司
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01M4/525 文献下载
摘要：本发明公开了一种高容量锂离子电池正极材料及其制备方法，为LiNi_1-x-yCo_xAl_yO₂；在将富镍的硫酸镍溶液加入到贫镍的镍、钴和铝的混合溶液的同时，将混合溶液加入到反应槽；同时将氢氧化钠和氨水溶液加入到反应槽中，制备出共沉淀物Ni_1-x-yCo_xAl_y(OH)_2+y前驱体；前驱体经过陈化、过滤、洗涤、干燥后，与锂源混合，把混合后的物料压制成型；将压制成型的物料置于管式炉中在氧气气流或富氧空气气流中预烧和烧结，即得到目标产物。本发明制备的锂离子电池正极材料无杂相，结晶品质高，产物粒径分布均匀，具有很高的放电比容量和循环稳定性，操作工艺简单，原料来源广泛，制造成本低，易于实现规模化工业生产。
一种容量锂离子电池正极材料及其制备方法

[发明专利]一种化合物半导体薄膜材料的制备方法-CN201410831285.3在审
发明人：刘兴泉;刘一町;张铭菊;张峥;赵红远;何永成;张怀武 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物半导体薄膜材料的制备方法，通过本发明中的一步法可以大规模的制备化合物半导体目标薄膜材料，一次制备多片薄膜，且制备周期短，制备效率高，对衬底(基片)材料适应性强，不需要对其衬底(基片)特别处理，制备成本低；采用两步法制备的化合物半导体薄膜材料纯度高、结晶度好；制备工艺中采用密封体系，避免因升华造成原料损失，工艺可控性高；且制备温度更低，节约能耗。
一种化合物半导体薄膜材料制备方法

[发明专利]一种制备碳包覆硅酸铁锂复合材料的方法-CN201410212133.5有效
发明人：刘兴泉;张峥;吴玥;赵红远;刘一町 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-05-19 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供了一种制备碳包覆硅酸铁锂(Li₂FeSiO₄)复合材料的方法，首先将原料进行球磨、干燥后得到前驱体，再采用两段合成法，第一段使用化学沉积法，在管式炉中通过惰性保护气体代入有机碳源在高温下于前驱体表面分解得到碳包覆层，待随炉冷却后进行研磨，然后进行第二段烧结得到碳包覆硅酸铁锂复合材料，为了进一步提高材料的电化学性能，并在原料中添加无机碳源使最后的产物中形成碳骨架使活性物质颗粒之间形成良好的电子导通网络。该方法所获得的碳包覆Li₂FeSiO₄复合材料比容量高，循环性能优异。并且该方法工艺流程简单，易于实现工业化生产。
一种制备碳包覆硅酸复合材料方法

[发明专利]一种制备InP薄膜材料的方法-CN201410160592.3有效
发明人：刘兴泉;刘一町;张铭菊;何永成 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-04-21 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种制备InP薄膜材料的方法，以In₂O₃、P₂O₅为起始原料，将In₂O₃与P₂O₅按摩尔比混合，密封与真空安瓶中，在500℃～600℃条件下反应生成InPO₄固体材料；然后以氢气、氢气-氩气混合气、活性炭及碳氢化合物等为还原萃取剂，采用高温原位固相类萃取反应气相沉积法，在垂直梯度冷凝薄膜沉积装置中，在较低真空条件下、在Si、Ge、不锈钢、导电玻璃、导电陶瓷等不同衬底上成功制备得厚度完全可控的、具有高结晶度的、高纯度单一物相的InP薄膜材料；本发明适用于较大规模的制备InP薄膜材料，制备周期短，对衬底材料适应性强；使用原料简单、价廉易得，且均为固体或无毒气体，对环境无污染，制备工艺简单、易于操作，产品制备成本极低。
一种制备 inp 薄膜材料方法

[发明专利]一种碳包覆硅酸亚铁锂复合正极材料的制备方法-CN201410119394.2有效
发明人：刘兴泉;张峥;吴玥;赵红远;刘一町 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明提供一种碳包覆硅酸亚铁锂复合正极材料的制备方法，克服了现有制备方法工艺复杂、生产周期长、成本高的缺陷。本发明首先采用液相法制备得硅酸锂前驱体，再与廉价的三价铁源及碳源混合后一次烧结得到碳包覆硅酸亚铁锂复合正极材料。该方法由液相法合成的硅酸锂具有较高的活性，整个前驱体过程无需气氛保护；碳热还原法中添加的有机物不仅做碳源，并且参与三价铁源的还原过程，使碳的包覆过程和三价铁的还原过程同时进行，有效的简化了工艺流程、缩短了生产周期；同时以廉价的三价铁源为原料，有效降低了生产成本；并且，最终制备得碳包覆硅酸亚铁锂复合正极材料产品一致性高、颗粒分布范围窄，颗粒间团聚现象较少，具有良好的电化学性能。
一种碳包覆硅酸亚铁复合正极材料制备方法

[发明专利]一种制备GaP薄膜材料的方法-CN201310750279.0有效
发明人：刘兴泉;张铭菊;刘一町;何永成 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明提供一种制备GaP薄膜材料的方法，以Ga₂O₃、P₂O₅为起始原料，将Ga₂O₃与P₂O₅进行等摩尔比混合，密封于真空安瓶中，在500℃～600℃条件下反应，生成GaPO₄；然后打碎安瓶，以氢气、氢气-氩气混合气、活性炭及碳氢化合物等为还原萃取剂，采用自创的高温原位固相类萃取反应气相沉积法，在较低真空条件下、在Si、Ge、不锈钢、导电玻璃、导电陶瓷等不同衬底（基片）上成功制备得厚度可控的、灰黑色的、具有较高结晶度、高纯度单一物相的GaP薄膜材料。本发明使用的原料简单，价廉易得，均为固体或无毒气体，对环境无污染，对操作人员无安全威胁；制备设备简单，制备周期短，对衬底（基片）材料适应性强，制备成本较低，可实现较大规模的GaP薄膜材料制备。
一种制备 gap 薄膜材料方法

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