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[发明专利]保偏反射式近红外傅里叶变换偏振光谱仪-CN202010464914.9有效
发明人：王博雨;刘涛;张凌云;王玥;陈楠;冷兴龙;李楠;赵丽莉;刘键;景玉鹏;何萌;夏洋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G01J3/447 文献下载
摘要：一种保偏反射式近红外傅里叶变换偏振光谱仪，包括：激光干涉子系统及其探测单元、白光干涉子系统及其探测单元；所述激光干涉子系统及其探测单元，包括激光器、动镜、保偏反射聚焦模块、分束器和激光探测器；所述白光干涉子系统及其探测单元，包括白光光源、滤波片、斩波器、第一聚焦元件、第一偏振器、动镜、第二聚焦元件、分束器、第二偏振器、保偏反射聚焦模块、探测器、锁相放大器。本发明采用的曲面反射元件具有光焦度，不会产生色差，同时可在较宽光谱范围内保证高反射率。
反射红外傅里叶变换偏振光谱仪

[发明专利]一种用于提高原子层沉积多层膜膜厚控制精度的方法-CN202210149529.4在审
发明人：邹家宝;何萌;卢维尔;谭明生;夏洋;刘涛;冷兴龙;屈芙蓉;赵丽莉;李楠 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于提高原子层沉积多层膜膜厚控制精度的方法，S100：在反应腔室中放置样品和陪片；S200：进行原子层沉积，获得多层膜样品；S300：获得膜层生长数据；S400：对比实际膜厚与理论膜厚，获得平均生长速率；S500、S600：当平均生长速率不满足第一生长速率变化趋势时，进行误差数据排除，重复S400‑S600；S700：将平均生长速率作为初始生长速率；S800：保持工艺条件不变，调整工艺参数，重复S100‑S700；S900：获得多层膜器件。解决了现有技术对原子层沉积多层膜膜厚控制方法的研究相对较少，导致控制精度不高，存在无法获得理想的多层膜膜厚控制精度的技术问题。
一种用于提高原子沉积多层膜膜厚控制精度方法

[外观设计]石榴礼盒套装（66大顺）-CN202230735610.1有效
发明人： 冷兴龙 -专利权人： 冷兴龙
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： 09-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：石榴礼盒套装（66大顺）。2.本外观设计产品的用途：用于产品的外包装礼盒套装。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状、图案与色彩的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：使用状态参考图。5.请求保护的外观设计包含色彩。6.套件1俯视图设计要点已经在其他视图中全部体现，省略套件1俯视图;套件2组件1后视图无设计要点，省略套件2组件1后视图;套件3组件1后视图无设计要点，省略套件3组件1后视图。7.本外观设计产品为成套销售产品，套件1为外包装袋，套件2、套件3分别由2个组件组成。
石榴礼盒套装 66 大顺

[发明专利]一种用于半导体中子探测器的微结构-CN202110942190.9在审
发明人：刘键;李超波;张凌云;刘涛;王玥;冷兴龙;赵丽莉;李楠;夏洋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G01T3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体中子探测器的微结构，其中，所述微结构包括：半导体衬底；若干个沟槽，所述若干个沟槽均匀排列在所述半导体衬底上，所述沟槽包括：若干立柱，所述若干立柱均匀分布在所述半导体衬底上，其中，每相邻两个所述立柱构成一个所述沟槽，且所述沟槽侧壁沿竖直方向依次排布多个曲面结构；中子反应材料，所述中子反应材料填充在所述沟槽中。通过增大中子反应材料的填充量，实现了提高半导体中子探测器的探测效率的技术效果。
一种用于半导体中子探测器微结构

[发明专利]一种碘化亚铜薄膜的制备方法-CN202010432624.6有效
发明人：明帅强;李楠;赵丽莉;何萌;卢维尔;夏洋;文庆涛;高雅增;冷兴龙;李培源;屈芙蓉;刘涛 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本申请公开了一种碘化亚铜薄膜的制备方法，涉及半导体器件技术领域，所述方法包括:在原子层沉积反应腔室中放置衬底，将所述反应腔室抽真空并开始进行加热处理，其中，加热对象包括基底、反应腔室、管路、反应源；所述衬底包括硅、蓝宝石、玻璃中的一种；待所述加热对象稳定在特定温度时，往所述原子层沉积反应腔室内通入铜源0.001‑5s，吹扫1‑180s，通入碘源0.001‑5s，吹扫1‑180s，在所述反应腔室中进行原子层沉积，获得碘化亚铜薄膜；沉积完所述碘化亚铜薄膜后，让所述基底在真空中自然冷却到室温后取出；得到均匀的碘化亚铜薄膜置于真空干燥箱中备用。
一种碘化薄膜制备方法

[发明专利]一种掺杂的碘化亚铜薄膜的制备方法-CN202010431946.9有效
发明人：明帅强;赵丽莉;李楠;何萌;卢维尔;夏洋;高雅增;文庆涛;李培源;冷兴龙;刘涛;屈芙蓉 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本申请公开了一种掺杂的碘化亚铜薄膜的制备方法，包括:在原子层沉积反应腔室中放置衬底，将所述反应腔室抽真空并开始进行加热处理，其中，加热对象包括基底、反应腔室、管路、反应源；所述衬底包括硅、蓝宝石、玻璃中的一种；待所述加热对象稳定在特定温度时，往所述原子层沉积反应腔室内通入铜源0.001‑5s，吹扫1‑180s，通入碘源0.001‑5s，吹扫1‑180s，往所述反应腔室内通入所述铜源0.001‑5s，吹扫1‑180s，通入掺杂源0.001‑5s，吹扫1‑180s，在反应腔室中进行原子层沉积，获得掺杂的碘化亚铜薄膜，其中，所述杂质源包括氯源、溴源中的一种；沉积完所述掺杂的碘化亚铜薄膜后，让所述基底在真空中自然冷却到室温后取出；得到均匀的掺杂的碘化亚铜薄膜置于真空干燥箱中备用。
一种掺杂碘化薄膜制备方法

[发明专利]一种X射线显微成像系统及其厚度渐变式菲涅尔波带片-CN202110033929.4在审
发明人：高雅增;卢维尔;夏洋;刘涛;冷兴龙;李楠;屈芙蓉;赵丽莉;何萌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G21K1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种X射线显微成像系统及其厚度渐变式菲涅尔波带片，包括：波带片本体；中心丝结构，所述中心丝结构位于所述波带片本体的中心位置处；M层膜光栅，所述M层膜光栅采用第一沉积方式沉积于所述中心丝结构外部，且与所述中心丝结构同心设置，且，所述M层膜光栅包括P个第一类环带膜层和Q个第二类环带膜层；其中，P个所述第一类环带膜层和Q个所述第二类环带膜层依次交替设置，且，P个所述第一类环带膜层和Q个所述第二类环带膜层的厚度各不相同。提高了菲涅尔波带片衍射成像效率和分辨率，达到通过所述菲涅尔波带片获得的X射线对样品的高质量成像的技术效果。
一种射线显微成像系统及其厚度渐变式菲涅尔波带片

[发明专利]一种多层膜菲涅尔波带片的设计方法及系统-CN202110033950.4在审
发明人：高雅增;卢维尔;夏洋;刘涛;冷兴龙;李楠;屈芙蓉;赵丽莉;何萌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G02B27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层膜菲涅尔波带片的设计方法及系统，获得第一光源能量信息；获得所述多层膜菲涅尔波带片的应用焦距；获得所述多层膜菲涅尔波带片的分辨率信息；确定菲涅尔波带片的最外环宽度；确定多层膜菲涅尔波带片的半径；确定所述多层膜菲涅尔波带片的环带宽度；获得所述第一光源下菲涅尔波带片衍射效率，根据所述菲涅尔波带片衍射效率确定第一材料和第一厚度范围；根据所述第一材料、第一厚度范围、多层膜菲涅尔波带片的半径、多层膜菲涅尔波带片的环带宽度，构建多层膜菲涅尔波带片的模型。解决了现有技术中对于高分辨率的多层膜菲涅尔波带片的设计方法仍然不够完善，缺少高分辨率多层膜菲涅尔波带片设计方法的技术问题。
一种多层膜菲涅尔波带片设计方法系统

[发明专利]基于柔性衬底的有机半导体阵列转移方法-CN202010515854.9在审
发明人：吴朋桦;卢维尔;赵丽莉;刘涛;何萌;屈芙蓉;夏洋;江雷;吴雨辰;孙冰朔;李培源;冷兴龙;李楠 -专利权人：中国科学院微电子研究所;中国科学院理化技术研究所
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了基于柔性衬底的有机半导体阵列转移方法，根据预设阵列形式，制备获得包括硅柱阵列的硅片；对所述硅柱进行表面处理，使所述硅柱的表面顶端亲水且侧壁疏水；在表面处理后的所述硅柱的顶端表面覆盖有机半导体溶液；将中间衬底镀有金属薄膜的表面与覆盖有机半导体溶液的所述顶端表面贴合后进行处理，使所述有机半导体溶液自组装在所述金属薄膜的表面，在所述金属薄膜的表面形成半导体阵列；然后，将所述半导体阵列转移到柔性衬底上。该方法通过中间衬底上的金属薄膜为中间媒介，解决了柔性衬底不耐高温不能直接作为衬底制备有机微纳阵列的问题，从而提供了一种新的有机半导体阵列制备方法。
基于柔性衬底有机半导体阵列转移方法

[发明专利]近红外傅里叶变换偏振光谱仪-CN202010540000.6在审
发明人：王玥;张凌云;王博雨;陈楠;冷兴龙;刘涛;李楠;赵丽莉;刘键;景玉鹏;何萌;夏洋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G01N21/359 文献下载
摘要：一种近红外傅里叶变换偏振光谱仪，包括：激光干涉子系统及其探测单元、白光干涉子系统及其探测单元；所述激光干涉子系统及其探测单元包括激光器、分束器、动镜、探测器和传感器；所述白光干涉子系统及其探测单元包括光源、滤波片、斩波器、光阑、偏振器、补偿器、曲面反射镜、聚焦组件和锁相放大器。本发明使用偏振器，进行各向异性特征样品的红外光谱测量。在光路中加入精密针孔，限制光斑尺寸，滤去杂散光，探测光再经聚焦于探测器时可获得高对比度干涉图。
红外傅里叶变换偏振光谱仪

[发明专利]一种图案化有机半导体的制备方法及形变拉伸测试方法-CN202010525014.0在审
发明人：吴朋桦;屈芙蓉;夏洋;江雷;吴雨辰;孙冰朔;李楠;李培源;冷兴龙;卢维尔;赵丽莉;刘涛;何萌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种图案化有机半导体的制备方法及形变拉伸测试方法，通过制备图案化硅柱以及镀铜膜的硅片；对所述图案化硅柱侧壁化学修饰，使所述图案化硅柱达到侧壁疏水顶端亲水状态；退浸润过程发生，毛细液桥自组织装使图案化微纳阵列结构生长在铜膜上；利用化学反应去除所述铜膜，将图案转移到柔性衬底上，获得图案化有机半导体。利用毛细液桥制备的图案化阵列高质量且长程有序，并且这种转移方法操作简单，在柔性衬底上具有优异的拉伸形变，为可穿戴领域的发展提供了新的应用前景。
一种图案有机半导体制备方法形变拉伸测试

[发明专利]反射式近场光学偏振光谱仪-CN202010464915.3在审
发明人：刘涛;张凌云;王玥;陈楠;李磊;王博雨;冷兴龙;李楠;赵丽莉;景玉鹏;刘键;何萌;夏洋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G01J3/447 文献下载
摘要：一种反射式近场光学偏振光谱仪，包括：入射光发生模块、探针扫描显微模块和出射光检测模块，其中，探测光在入射光发生模块中经过整形和调制，发出不同偏振状态的探测光，入射光束聚焦至探针扫描显微模块的探针针尖上，探测光与探针针尖和样品表面构成的微纳空间结构相互作用，偏振状态发生变化，然后该光束的反射光/散射光由出射光检测模块收集后进行整形聚焦。本发明能够实现纳米级的超高横向空间分辨率，满足半导体关键器件对纳米级尺寸精确测量需求；可避免因使用透镜元件产生色差而造成的离焦问题；同时可通过保偏结构保证探测光经调制后的偏振态在经反射元件反射后到达探针时保持不变；并且具有与样品非接触、对样品无破坏性等优点。
反射近场光学偏振光谱仪

[发明专利]近场光学偏振光谱仪-CN202010464978.9在审
发明人：张凌云;刘涛;王玥;陈楠;李磊;王博雨;冷兴龙;赵丽莉;李楠;刘键;景玉鹏;何萌;夏洋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G01J3/447 文献下载
摘要：一种近场光学偏振光谱仪，包括入射光发生模块，探针扫描显微模块和出射光检测模块，其中，入射光发生模块发出不同偏振状态的探测光，入射光束入射至探针扫描显微模块的探针针尖上，探测光与探针针尖和样品表面构成的微纳空间结构相互作用，偏振状态发生变化，然后该光束的散射光、透射光或反射光由出射光检测模块收集，通过对出射光偏振状态的解调获得相互作用中偏振态产生的变化信息，对该信息进行反演计算，就能够获得被测样品的相关信息。本发明能够实现纳米级的超高横向空间分辨率，满足半导体关键器件对纳米级尺寸精确测量需求，同时具有与样品非接触、对样品无破坏性等优点。
近场光学偏振光谱仪

[发明专利]一种有机半导体材料的阵列制备方法-CN202010375402.5在审
发明人：吴朋桦;屈芙蓉;孙冰朔;夏洋;李楠;赵丽莉;冷兴龙;李磊 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机半导体材料的阵列制备方法，根据预设阵列形式，制备获得包括硅柱阵列的硅片；对所述硅柱的表面进行化学修饰，使所述硅柱的表面达到超疏水状态；在真空条件下对有机半导体材料进行热蒸发，使所述有机半导体材料的有机分子在处于超疏水状态的所述硅柱顶部表面结晶，在所述硅柱顶部表面形成预设厚度的有机半导体材料样品；将所述硅片的形成所述有机半导体材料样品转移到所述基底上，在所述基底上获得具有所述预设阵列形式的有机半导体材料阵列。一方面，由于采用热蒸镀的方法，因此，特别适用于难以液相微纳加工的有机半导体材料；另一方面，采用超疏水处理的硅柱表面结晶并平行转移的方式，保证阵列的微纳加工质量。
一种有机半导体材料阵列制备方法

[发明专利]一种铝掺杂氧化镓膜及其制备方法-CN202010375991.7在审
发明人：王蕾;卢维尔;明帅强;夏洋;赵丽莉;李楠;冷兴龙;何萌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝掺杂氧化镓膜的制备方法，通过在沉积腔室内的加热基片上采用原子层沉积技术进行复合沉积，获得铝掺杂氧化镓膜。首先设定满足对氧化镓掺铝的条件：沉积腔室内的温度为50‑400℃，压强为0.01‑0.5torr；在此基础上，在加热基片上，按照第一预设循环次数与第二预设循环次数，交替执行第一沉积过程和第二沉积过程，通过原子层单层循环生长时对镓源、铝源和氧源的通入时间的精确控制(镓源的通入时间为0.001‑5s，氧源的通入时间为1‑20s，铝源的通入时间为0.001‑5s)，可实现铝掺杂比例的精确控制，从而获得具有精确禁带宽度的铝掺杂氧化镓膜。
一种掺杂氧化及其制备方法

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