“冲田恭子”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果48个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]碳化硅单晶衬底及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法-CN201910821706.7有效
发明人： 冲田恭子;本家翼 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅单晶衬底及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法。一种碳化硅单晶衬底(1)，其包括第一主表面(1a)、第二主表面(1b)和圆周边缘部(3)。第二主表面(1b)与第一主表面(1a)相反。圆周边缘部(3)连接第一主表面(1a)和第二主表面(1b)。当沿着与第一主表面(1a)垂直的方向观察时，圆周边缘部(3)具有：直线形的定向平面部(OF1)，具有第一半径(R1)的第一圆弧部(A1)，和连接定向平面部(OF1)和第一圆弧部(A1)并具有小于第一半径(R1)的第二半径(R2)的第二圆弧部(A2)。提供了一种能够抑制在碳化硅外延膜的表面中的级差的发生的碳化硅单晶衬底、及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法。
碳化硅衬底用于制造方法

[发明专利]碳化硅单晶衬底-CN201780007967.4有效
发明人： 冲田恭子;樱田隆;高须贺英良;上田俊策;佐佐木将;梶直树;三岛英彦;江口宽航 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2017-01-30 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G01N23/207 文献下载
摘要：在检测器6配置于[11‑20]方向、在相对于[‑1‑120]方向在±15°以内的方向上用X射线照射包括主面11的中心O的第一测量区域31、以及使用所述检测器测量源自所述第一测量区域31的衍射X射线的情况下，第一强度分布1的最大强度的比例大于或等于1500。在检测器6配置于[‑1100]方向、在相对于[1‑100]方向在±6°以内的方向上用X射线照射所述第一测量区域31、以及使用所述检测器6测量源自所述第一测量区域31的衍射X射线的情况下，第二强度分布2的最大强度的比例大于或等于1500。在所述第一强度分布1指示最大值时的能量的最大值EH1与最小值EL1之差的绝对值小于或等于0.06keV。
碳化硅衬底

[发明专利]碳化硅基板-CN201880090463.8有效
发明人： 冲田恭子;本家翼 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本公开的碳化硅基板为包含第一主表面和位于所述第一主表面的相反侧的第二主表面的碳化硅基板，并且由具有4H多型的碳化硅制成。所述第一主表面的最大直径为140mm以上。所述第一主表面为{0001}面或相对于所述{0001}面以大于0°且小于或等于8°的偏角倾斜的面。在所述第一主表面的平面内，与所述碳化硅基板的拉曼光谱的纵向光学分支的折叠模式相对应的峰的半峰宽的平均值小于2.5cm‑1，并且所述半峰宽的标准偏差为0.06cm‑1以下。
碳化硅

[发明专利]碳化硅衬底和碳化硅衬底的制造方法-CN202080082070.X在审
发明人： 冲田恭子;本家翼;上田俊策 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：碳化硅衬底具有第一主面和与第一主面相对的第二主面。碳化硅衬底包含螺旋位错和凹坑，所述凹坑在与第一主面平行的方向上的最大直径为1μm以上且10μm以下。在对第一主面观测螺旋位错和凹坑的情况下，凹坑的数量除以螺旋位错的数量而得到的比率为1％以下。在第一主面中，镁的浓度小于1×1011原子/cm2。
碳化硅衬底制造方法

[发明专利]碳化硅衬底和碳化硅衬底的制造方法-CN202080078036.5在审
发明人： 冲田恭子;本家翼;上田俊策 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：将凹坑的数量除以螺旋位错的数量而得到的比率为1％以下。第一主面的表面粗糙度为0.15nm以下。将第一正方区域中，表示碳化硅的拉曼光谱的峰的波数的平均值作为第一波数；将第二正方区域中，表示碳化硅的拉曼光谱的峰的波数的平均值作为第二波数；将第一正方区域中，碳化硅的拉曼光谱的峰的半峰宽的平均值作为第一半峰宽；并且将第二正方区域中，碳化硅的拉曼光谱的峰的半峰宽的平均值作为第二半峰宽，在此情况下，第一波数与第二波数之差的绝对值为0.2cm‑1以下，并且第一半峰宽与第二半峰宽之差的绝对值为0.25cm‑1以下。
碳化硅衬底制造方法

[发明专利]碳化硅衬底-CN201880078475.9有效
发明人： 冲田恭子;本家翼 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明满足规定的数学表达式，其中ν0代表指示与具有4H多型并且具有零应力的碳化硅的拉曼光谱的纵向光分支的折叠模式相对应的峰的波数，νmax代表指示与从第一主表面到第二主表面的区域中的碳化硅衬底的拉曼光谱的纵向光分支的折叠模式相对应的峰的波数的最大值，νmin代表指示与从第一主表面到第二主表面的区域中的碳化硅衬底的拉曼光谱的纵向光分支的折叠模式相对应的峰的波数的最小值，并且ν1代表指示与在第一主表面处的碳化硅衬底的拉曼光谱的纵向光分支的折叠模式相对应的峰的波数。
碳化硅衬底

[发明专利]碳化硅基板-CN201910475115.9有效
发明人：本家翼;冲田恭子 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-11-04 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L29/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅基板，其包含碳化硅，其中，当用氯气对其主表面进行蚀刻时，在所述主表面中观察到的线性蚀坑组的总长度为20mm至150mm，所述基板的直径为150mm，且所述碳化硅具有六方晶体结构。本发明还涉及一种碳化硅基板，其包含碳化硅，其中，当用氯气对其主表面进行蚀刻时，在所述主表面中观察到的线性蚀坑组的总长度为20mm至150mm，所述基板的直径为150mm，且所述主表面为相对于Si面具有小于8度的偏角的晶面。根据本发明，可以提供可以在其主表面上形成高品质半导体层的碳化硅基板。
碳化硅

[发明专利]碳化硅衬底-CN202080034932.1在审
发明人：本家翼;冲田恭子 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：碳化硅衬底具有第一主面、第二主面和倒角部。第二主面位于与第一主面相反侧。倒角部与第一主面和第二主面各自连接。所述碳化硅衬底的最大直径为150mm以上。倒角部的表面锰浓度为1×1011原子/cm2以下。
碳化硅衬底

[发明专利]碳化硅衬底-CN202080034953.3在审
发明人： 冲田恭子;本家翼 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本公开内容所涉及的碳化硅衬底具有主面。所述碳化硅衬底的最大直径为150mm以上。在主面中，钠、铝、钾、钙、钛、铁、铜和锌各自的浓度小于5×1010原子/cm2的区域的总面积为主面的面积的95％以上。
碳化硅衬底

[发明专利]碳化硅外延晶片-CN201880055130.1有效
发明人：堀勉;宫濑贵也;本家翼;山本裕史;冲田恭子 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅外延晶片，所述碳化硅外延晶片包含：4H多型的单晶碳化硅衬底，所述单晶碳化硅衬底具有相对于{0001}面以角度θ向11‑20方向倾斜的主面；和形成在所述主面上的厚度为t的碳化硅外延层，其中所述单晶碳化硅衬底的直径大于或等于150mm，其中所述角度θ大于0°且小于或等于6°，其中在所述碳化硅外延层的表面中存在螺旋位错坑和距所述坑的距离为t/tanθ的对角线缺陷的一个以上的对，并且其中所述坑和所述对角线缺陷的对的密度小于或等于2对/cm2。
碳化硅外延晶片

[发明专利]碳化硅再生基板和碳化硅半导体装置的制造方法-CN201980084296.0在审
发明人：本家翼;冲田恭子 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：碳化硅再生基板具有碳化硅基板和第一碳化硅层。所述碳化硅基板具有第一主面和与所述第一主面相反的第二主面。所述第一碳化硅层与所述第一主面接触。所述碳化硅基板包括从所述第一主面朝向所述第二主面在10μm以内的基板区域。在与所述第一主面垂直的方向上，通过从所述基板区域的氮浓度的平均值减去作为所述基板区域的氮浓度的标准偏差的3倍的值而获得的值大于所述第一碳化硅层的氮浓度的最小值。
碳化硅再生半导体装置制造方法

[发明专利]碳化硅单晶衬底、碳化硅外延衬底及它们的制造方法-CN201910216446.0有效
发明人：本家翼;冲田恭子 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅单晶衬底、碳化硅外延衬底及它们的制造方法。碳化硅单晶衬底(1)包括第一主面(1b)和与第一主面(1b)相反的第二主面(1a)。所述第一主面(1b)具有100mm以上的最大直径。所述第一主面(1b)包括第一中心区域(IRb)，所述第一中心区域(IRb)为不包括从外周向内延伸3mm的区域(ORb)的第一主面(1b)。当将所述第一中心区域(IRb)划分为各自具有250μm边长的第一正方形区域时，各个第一正方形区域具有小于0.2nm的算术平均粗糙度(Sa)且具有5原子％以上且小于20原子％的氧浓度。因此，提供有效降低真空吸附失效发生的碳化硅单晶衬底和碳化硅外延衬底以及所述衬底的制造方法。
碳化硅衬底外延它们制造方法

[发明专利]碳化硅衬底-CN202011131017.2在审
发明人： 冲田恭子 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅衬底。所述碳化硅衬底具有主表面，所述主表面具有小于或等于0.1nm的表面粗糙度(Ra)，以及所述主表面包含钒、钨、钼、铂、镍、钛、锆和铬，在所述主表面中，钒、钨、钼、铂、镍、钛、锆和铬各自具有小于或等于1.0×1012原子/cm2的浓度，其中，在所述主表面中的钒、钨、钼、铂和锆中的每一个具有大于或等于1.0×106原子/cm2的浓度。
碳化硅衬底

[发明专利]碳化硅衬底和用于制造所述碳化硅衬底的方法-CN201580055161.3有效
发明人： 冲田恭子 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种用于制造碳化硅衬底的方法，包括以下步骤：制备具有主表面的碳化硅衬底(S10)、使用含有金属催化剂的抛光剂抛光碳化硅衬底的主表面(S20)、以及在抛光的步骤之后清洗碳化硅衬底(S30)。清洗的步骤包括利用王水清洗所述碳化硅衬底的步骤(S33)。
碳化硅衬底用于制造方法

[发明专利]碳化硅单晶衬底-CN202010466190.1在审
发明人：本家翼;冲田恭子;川濑智博;堀勉 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅单晶衬底。一种碳化硅单晶衬底，具有包含直径为100mm的圆的形状的主表面，其中，在布及所述主表面的整个面的任意的位置处通过将c轴向所述主面投影而得到的多个方向上的角度全部分布在3°以内。
碳化硅衬底

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 48 条