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[实用新型]RPD镀膜装置-CN202321361583.1有效
发明人：王琦;赵宇;冉孝超;董刚强;吕立强;郁操 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及光伏电池制造技术领域，尤其涉及一种RPD镀膜装置。该RPD镀膜装置包括反应腔室、第一离子枪组件、第二离子枪组件和高温蒸发组件。其中，反应腔室内设置有硅片。第一离子枪组件内设置有第一坩埚，第一坩埚用于盛放第一掺杂金属，第一坩埚连通反应腔室，且第一离子枪组件的功率可调。第二离子枪组件内设置有第二坩埚，第二坩埚用于盛放第二掺杂金属，第二坩埚连通反应腔室，且第二离子枪组件的功率可调。高温蒸发组件与反应腔室连通，高温蒸发组件内盛放有热丝材料，且高温蒸发组件的功率可调。该RPD镀膜装置能够控制TCO薄膜的掺杂比例，提高太阳能电池的发电效率，节约成本。
rpd 镀膜装置

[发明专利]减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置及方法-CN202210250332.X有效
发明人：董刚强;赵宇;郁操;彭振维;冉孝超 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及真空镀膜技术领域，尤其涉及减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置及方法，旨在解决镀膜过程中成膜载板上硅片背面被氧化和污染导致硅片成膜质量差，降低电池效率的问题。本发明提供的减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置包括基板、第一连接模块和第二连接模块；基板安装有电位发生器；基板处于成膜载板的下部时，以基板为第一基板；基板处于成膜载板的上部时，以基板为第二基板；第一连接模块用于控制电位发生器向第一基板施加正电位；第二连接模块用于控制电位发生器向第二基板施加负电位。通过控制电位发生器产生电场，利用电场对等离子体加速以轰击成膜载板的硅片背面，提高硅片成膜质量、提高电池效率。
减少溅射镀膜损伤硅片衬底装置方法

[实用新型]热处理装置及太阳能电池生产设备-CN202223402916.9有效
发明人：董刚强;郁操;冉孝超;赵宇;王琦;姜昊 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种热处理装置及太阳能电池生产设备，属于太阳能电池领域。一种热处理装置，包括：工艺腔体，用于在工艺腔体内对电池片进行热处理；传输机构，所述传输机构包括用于传送电池片的链式传送带，以向工艺腔体内输入或从工艺腔体内运出电池片；保护气体源，所述保护气体源通过气体输送管路与工艺腔体连通，用于向工艺腔体内注入保护气体；预热机构，所述预热机构设置于气体输送管路上，用于将保护气体进行预热处理；水汽供给机构，所述水汽供给机构与气体输送管路连通，用于向工艺腔体内提供水汽。本申请可以缓解当前太阳能电池的制备过程中，在空气氛围下进行热处理影响电池性能的问题。
热处理装置太阳能电池生产设备

[实用新型]热处理装置及太阳能电池的制备设备-CN202223402948.9有效
发明人：董刚强;郁操;冉孝超;赵宇;王琦;姜昊 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： C21D9/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种热处理装置及太阳能电池的制备设备，属于太阳能电池领域。一种热处理装置，用于太阳能电池的制备设备，该热处理装置包括：沿物料流动方向设置的进料腔室、工艺腔室和出料腔室；进料腔室的出料端与工艺腔室的进料端之间通过第一门阀相连，工艺腔室的出料端与出料腔室的进料端之间通过第二门阀相连；进料腔室、工艺腔室和出料腔室分别通过管路与抽真空装置连接，所述管路上设置有调节阀；工艺腔室通过气体输送管道与保护气体源连通，用于进料腔室中注入保护气体。本申请可以缓解当前太阳能电池的制备过程中，在空气氛围下进行固化或退火的热处理影响电池的问题，可以改善电池的性能。
热处理装置太阳能电池制备设备

[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制备方法-CN202310067168.3在审
发明人：郁操;王琦;董刚强;冉孝超;赵宇 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本申请涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法。所述方法包括：提供硅片；硅片包括相背设置的第一表面和第二表面；在第一表面沉积第一钝化层、第一掺杂层，在第二表面沉积第二钝化层、第二掺杂层；在第一掺杂层远离硅片的表面沉积第一缓冲层；在第二掺杂层远离硅片的表面沉积第二缓冲层；在第一缓冲层远离硅片的表面沉积第一氧化锡层，在第二缓冲层远离硅片的表面沉积第二氧化锡层，得到电池第一样品；对第一样品进行电镀铜，得到第一电池。采用本方法能够降低生产成本，且可靠性高，提高光利用率。
一种异质结太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种异质结太阳能电池-CN202222269608.7有效
发明人：董刚强;郁操;张永胜;冉孝超;赵宇 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种异质结太阳能电池，属于太阳能电池领域。针对现有技术中存在的现有的异质结太阳能电池成本居高不下，且长期存放或加温过程中导电性能差的问题，本实用新型提供了一种异质结太阳能电池。异质结太阳能电池包括n型衬底，位于n型衬底一侧的第一钝化层、n型掺杂层、n面透明导电层，以及第一电极；位于n型衬底另一侧的第二钝化层、p型掺杂层、p面透明导电层，以及第二电极；其特征在于：所述n面透明导电层和/或所述p面透明导电层包括至少一层缓冲透明导电层，缓冲透明导电层为钽掺杂氧化锡层、钼掺杂氧化锡层或者钽钼共掺氧化锡层。它稳定性好且成本低。
一种异质结太阳能电池

[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制备方法-CN202310066348.X在审
发明人：王琦;赵宇;冉孝超;董刚强;郁操 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本申请涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法。所述方法包括：提供硅片；硅片包括相背设置的第一表面和第二表面；在第一表面沉积第一钝化层、第一掺杂层，在第二表面沉积第二钝化层、第二掺杂层；通过PVD沉积方式在第一掺杂层远离硅片的表面沉积缓冲层；在缓冲层远离硅片的表面沉积第一导电层，在第二掺杂层远离硅片的表面沉积第二导电层，得到电池第一样品；对第一样品进行电镀铜，得到第一电池。通过设置缓冲与掺杂层接触，可显著降低电池的接触电阻值，可提高电池性能。
一种异质结太阳能电池及其制备方法

[实用新型]太阳能电池测试掩膜治具-CN202222665191.6有效
发明人： 冉孝超;赵宇;王琦;董刚强;郁操 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了太阳能电池测试掩膜治具，包括底板和盖板，底板设有用于放置玻璃片的放置槽；盖板可相对底板移动并与底板之间形成有扣手槽，盖板上设有沿厚度方向贯通盖板的连通口，沿盖板的厚度方向投影，连通口的投影区域位于放置槽的投影区域内。设置扣手槽以便于移动盖板；与现有技术的胶粘掩膜板的制作方式相比，本申请的太阳能电池测试掩膜治具，减少了粘贴和切割这两道工序，节省了时间和避免粘贴对TCO样品造成的污染和切割对TCO样品的TCO膜层的损害，从而提高了制样效率以及测试准确性，同时，既能够提高TCO膜层及银电极制作的标准性，又使用盖板压紧玻璃片的方式，解决了边缘虚掩所引起的TCO膜层质量问题。
太阳能电池测试掩膜治具

[实用新型]一种带有微晶隧穿层的异质结太阳能电池-CN202220746879.4有效
发明人：彭振维;张继腾;郁操;董刚强;冉孝超 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型提供一种带有微晶隧穿层的异质结太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域，能够实现微晶P型掺杂层和微晶N型掺杂层之间的同质隧穿效应，避免微晶P与TCO层之间电荷累积；此外，微晶N与TCO均为N型半导体，可避免形成肖特基接触，降低接触电阻，从而提高太阳能电池的转化效率。该异质结太阳能电池的层结构依次包括：第一TCO层、微晶P型掺杂层、第一本征钝化层、N型晶体硅衬底、第二本征钝化层、第一N型掺杂层和第二TCO层；两TCO层的外侧分别设有电极，所述太阳能电池的微晶P型掺杂层与相邻的第一TCO层之间设有能够与所述微晶P型掺杂层形成同质隧穿效应的隧穿层；所述隧穿层为具有纳米晶结构的N型材料。
一种带有微晶隧穿层异质结太阳能电池

[发明专利]一种物理气相沉积用双面镀膜载板-CN202210703651.1在审
发明人：赵宇;董刚强;郁操;冉孝超;张永胜 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种物理气相沉积用双面镀膜载板，属于真空镀膜技术领域。它包括在载板上镂空形成的多个基板放置区，所述基板放置区上下两面均设有开口；至少两个所述基板放置区之间设有穿过载板的通孔；所述通孔的端部相邻于基板放置区一侧设有阻挡件，所述阻挡件由载板表面向外延伸设置，用于阻挡镀膜时溅射出的电子和/或离子和/或原子和/或等离子体。本发明能解决电子在载板上的积累以及绕镀现象的问题，能够进一步提高基板表面镀膜的质量。
一种物理沉积双面镀膜

[实用新型]一种掩膜载具及电池加工系统-CN202220757555.0有效
发明人： 冉孝超;董刚强;郁操;赵宇 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型属于太阳能电池技术领域，具体公开了一种掩膜载具及电池加工系统。其中，掩膜载具包括载板，所述载板上贯通开设有加工孔，且所述载板具有沿所述加工孔的边缘设置的承载面，所述承载面用于承载基片并对所述基片的背面边缘进行遮挡；所述掩膜载具还包括柔性遮挡条，所述柔性遮挡条与所述载板可拆卸连接，所述柔性遮挡条具有横跨所述加工孔的遮挡段，所述遮挡段与所述基片的背面抵接，所述遮挡段用于对所述基片的待切片位置进行遮挡。本实用新型公开的掩膜载具及电池加工系统，可以实现对基片的边缘遮挡和待切片位置的遮挡，提高基片加工良率。
一种掩膜载具电池加工系统

[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法-CN202210083031.2在审
发明人：董刚强;郁操;彭振维;赵宇;冉孝超 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。一种异质结太阳能电池的制备方法，该方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底的两侧均分别形成透明导电层；利用等离子体工艺对至少一侧的透明导电层进行等离子体处理；利用原子层沉积在等离子体处理后的透明导电层表面形成氧化锡层；利用等离子体工艺对氧化锡层进行等离子体处理，并进行退火处理；在退火处理后的氧化锡层表面形成种子层；利用电镀工艺在半导体衬底的两侧的种子层表面均分别形成金属电极。本发明可以降低电池的串联电阻，降低电池的制备成本，提升电池结构中各层与层之间的结合力，能确保电池的光电转换效率。
异质结太阳能电池及其制备方法

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