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[发明专利]碳化硅粉末以及利用其制造碳化硅晶锭的方法-CN202211665374.6在审
发明人：朴钟辉;具甲烈;金政圭;崔正宇;徐正斗;甄明玉 -专利权人：赛尼克公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：公开了一种碳化硅粉末以及利用其制造碳化硅晶锭的方法。碳化硅粉末包含碳和硅并且通过二维图像分析测量的颗粒圆形度为0.4至0.9。
碳化硅粉末以及利用制造方法

[发明专利]碳化硅粉末、利用其制造碳化硅晶锭的方法及碳化硅晶片-CN202211665498.4在审
发明人：朴钟辉;具甲烈;金政圭;崔正宇;徐正斗;甄明玉 -专利权人：赛尼克公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅粉末、碳化硅粉末的制备方法及碳化硅晶片。碳化硅粉末包含碳和硅，并且在碳化硅粉末中，通过X射线光电子能谱法测量的表面的O1s/C1s是0.28以下。
碳化硅粉末利用制造方法晶片

[发明专利]碳化硅晶片及其制造方法-CN202211379327.5在审
发明人：甄明玉;具甲烈;金政圭;崔正宇;徐正斗;朴钟辉 -专利权人：赛尼克公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了碳化硅晶片及其制造方法。碳化硅晶片包括上表面和下表面，所述上表面包括第一目标区域，所述第一目标区域是以所述上表面的中心为基准在所述上表面的半径的85％以内的区域，在所述第一目标区域中，沿第一方向以15mm的间隔测量的摇摆曲线中的第一峰值ω角以在所述上表面的中心测量的摇摆曲线中的中心峰值ω角为基准在‑0.5°至+0.5°以内，所述第一方向是[1‑100]方向，是通过所述上表面的中心的方向。
碳化硅晶片及其制造方法

[发明专利]制造碳化硅锭的方法、碳化硅锭及其生长系统-CN202080101647.7在审
发明人：朴钟辉;崔正宇;金政圭;具甲烈;甄明玉 -专利权人：赛尼克公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：在本发明的制造碳化硅锭的方法、碳化硅锭、制造碳化硅锭的系统中，碳化硅锭通过以下方法提供：准备坩埚组件，该坩埚组件包括具有内部空间的坩埚本体和覆盖该坩埚本体的坩埚盖；布置原料和碳化硅晶种，然后生长碳化硅锭并进行应用等，使得基于原料的重量为1，坩埚组件的重量为1.5至2.7。因此，提供了具有大面积的同时具有减少缺陷的碳化硅锭。
制造碳化硅方法及其生长系统

[发明专利]碳化硅晶片、外延晶片和半导体器件-CN202210692252.X在审
发明人：崔正宇;甄明玉;朴钟辉;徐正斗;金政圭;具甲烈 -专利权人：赛尼克公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅晶片，外延晶片以及半导体器件。所述碳化硅晶片具有一个表面和与所述一个表面相对的另一个表面。一个表面的平均Rmax粗糙度为2.0nm或更小，一个表面的平均Ra粗糙度为0.1nm或更小。边缘区域是从碳化硅晶片边缘到中心的距离为碳化硅晶片半径的5％到75％的区域，中心区域是在碳化硅晶片的中心具有碳化硅晶片半径的25％的区域。该一个表面边缘区域的平均Rmax粗糙度和一个表面中心区域的平均Rmax粗糙度之间的差值为0.01nm至0.5nm。本发明的碳化硅晶片在表面的几乎所有区域都具有优异的粗糙度和光学特性，并且表现出均匀的质量。
碳化硅晶片外延半导体器件

[发明专利]碳化硅晶片和应用该碳化硅晶片的半导体装置-CN202210323093.6在审
发明人：崔正宇;朴钟辉;金政圭;徐正斗;具甲烈 -专利权人：赛尼克公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅晶片和应用该碳化硅晶片的半导体装置。碳化硅晶片包括彼此面对的一个表面和另一表面，其中，一个表面是碳化硅晶体的硅原子层露出的表面，并且另一表面是碳化硅晶体的碳原子层露出的表面，并且其中，在通过激光照射碳化硅晶片的一个表面所得到的光致发光信号强度谱图中，强度超过谱图的平均信号强度1.2倍的峰值信号的数量为1/cm2或更少。
碳化硅晶片应用半导体装置

[发明专利]具有保护膜的籽晶及其制备方法和附着方法、采用该籽晶的晶锭的制备方法-CN201910987523.2有效
发明人：高上基;金政圭;崔正宇;张炳圭;具甲烈 -专利权人：赛尼克公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及具有保护膜的籽晶的制备方法以及使用该制备方法的晶锭的制备方法等，所述具有保护膜的籽晶包括：第一层，位于籽晶后表面并直接与所述籽晶后表面接触；以及第二层，位于所述第一层上；基于从所述第一层的下表面到所述第二层的上表面，所述第一层的厚度为30％以下，通过采用所述具有保护膜的籽晶的制备方法，可以制备缺陷减少的晶锭。
具有保护膜籽晶及其制备方法附着采用

[发明专利]生长半绝缘碳化硅单晶锭的方法和用于生长碳化硅单晶锭的装置-CN201980056925.9有效
发明人：崔正宇;金政圭;具甲烈;高上基;张炳圭 -专利权人：赛尼克公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：实施方案涉及一种生长半绝缘SiC单晶锭的方法，所述方法包括以下步骤：(1)将涂覆有碳化硅(SiC)和碳基材料的掺杂剂放入包含固定有籽晶的反应容器中；以及(2)在所述籽晶上生长SiC单晶，从而产生高质量的半绝缘SiC单晶锭，其具有均匀的基于厚度的掺杂浓度。另外，另一实施方案涉及一种生长半绝缘碳化硅单晶锭的方法，所述方法包括以下步骤：(a)将包含含碳聚合物树脂、溶剂、掺杂剂和碳化硅(SiC)的组合物置于反应容器中；(b)固化所述组合物；(c)在固定于所述反应容器中的所述籽晶上生长SiC单晶锭，从而产生高质量的半绝缘SiC单晶锭，其具有均匀的基于厚度的掺杂浓度。另外，另一实施方案涉及一种用于生长SiC单晶锭的装置，其中所述装置能够生产高质量的SiC单晶锭，所述高质量的SiC单晶锭包括通过SiC组合物的碳化或石墨化产生的多孔体，因此当SiC单晶锭的直径较大时，仍然具有均匀的基于厚度的掺杂浓度。
生长绝缘碳化硅单晶锭方法用于装置

[发明专利]晶种附着方法-CN202010806156.4有效
发明人：高上基;金政圭;张炳圭;具甲烈;崔正宇 -专利权人：赛尼克公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及晶种附着方法，包括：步骤(1)，在锭生长的晶种的一面附着保护膜；步骤(2)，在上述晶种的另一面涂敷粘结组合物；步骤(3)，进行第一固化，即对上述晶种进行热处理；步骤(4)，去除上述保护膜；步骤(5)，进行第二固化，即对上述晶种进行热处理；以及步骤(6)，使上述晶种附着于晶种支架，从而可在碳化硅单晶锭生长时提高生长稳定性及质量。
附着方法

[发明专利]碳化硅晶片的制造方法、碳化硅晶片和制造晶片的系统-CN202210038941.9在审
发明人：金政圭;具甲烈;徐正斗;崔正宇;朴钟辉 -专利权人：赛尼克公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅晶片制造方法、碳化硅晶片和制造晶片的系统。所述碳化硅晶片制造方法包括弯曲测量步骤；切割开始步骤；切割进行步骤，第一切割速度在约±5％的变化范围内基本上恒定；以及完成步骤，增加所述第一切割速度并且完成碳化硅锭的切割。所述线锯的供给量在切割开始步骤中达到第一供应量，随后在所述完成步骤之前在约±5％的变化范围内基本上恒定。r是所述一个表面的半径，a可以是i)1.4弧度至1.75弧度或ii)2.96弧度至3.32弧度。
碳化硅晶片制造方法系统

[发明专利]碳化硅单晶锭生长装置-CN201910739465.1有效
发明人：崔正宇;金政圭;具甲烈;高上基;张炳圭 -专利权人：赛尼克公司
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明的实例提供如下的碳化硅单晶锭生长装置，即，收纳有晶锭的原料的原料收纳部的内部直径小于晶种的直径，从而可以在增加碳化硅单晶锭的直径的同时提升碳化硅单晶锭的品质。
碳化硅单晶锭生长装置

[发明专利]晶片的清洗方法、晶片以及半导体元件-CN202111094812.3在审
发明人：朴钟辉;刘日焕;具甲烈;金政圭;崔正宇;梁殷寿;张炳圭;高上基 -专利权人：赛尼克公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实施方式涉及一种晶片的清洗方法、晶片以及半导体元件，上述晶片的清洗方法包括：擦洗步骤，通过包括以200rpm以下的旋转速度对清洗对象晶片进行擦刷处理的过程，来准备被刷式清洗的晶片，及清洗步骤，用清洗液清洗经过被刷式清洗的上述晶片，来准备被清洗的晶片；上述清洗步骤顺次包括一次清洗步骤和二次清洗步骤，上述擦洗步骤进行285秒以上，上述一次清洗步骤为用含有氨和过氧化氢的第一清洗液对被刷式清洗的上述晶片进行清洗来准备经一次清洗的晶片的步骤，上述二次清洗步骤为用含有盐酸和过氧化氢的第二清洗液对经一次清洗的上述晶片进行清洗的步骤。
晶片清洗方法以及半导体元件

[发明专利]碳化硅晶片及其制造方法和半导体器件-CN202111093519.5在审
发明人：朴钟辉;具甲烈;崔正宇;张炳圭;甄明玉;金政圭;徐正斗 -专利权人：赛尼克公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实施方式提供如下的碳化硅锭及碳化硅晶片：在碳化硅锭的制造过程中，通过控制非活性气体的流量、反应容器的热特性来确保换算弹性模量、硬度等的机械特性。并且，本实施方式提供如下的碳化硅锭及晶片：如位错密度等的缺陷值降低，具有良好的质量。
碳化硅晶片及其制造方法半导体器件

[发明专利]晶锭的制备方法、晶锭生长用原料物质及其制备方法-CN201910886333.1有效
发明人：张炳圭;金政圭;崔正宇;具甲烈;高上基 -专利权人：赛尼克公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及晶锭的制备方法等，所述晶锭的制备方法包括：装入步骤，将含有D50为80μm以上的原料粉末的原料物质装入反应容器；颈缩步骤，通过调节所述反应容器内的温度来形成相邻的所述原料粉末的多个粒子相连的颈缩原料物质；以及晶锭生长步骤，升华多个原料成分，从而由所述颈缩原料物质来生长晶锭。由此可以快速制备实际无缺陷的晶锭。
制备方法生长原料物质及其

[发明专利]晶片及晶片的制造方法-CN202110671355.3在审
发明人：朴钟辉;具甲烈;高上基;金政圭;张炳圭;崔正宇;甄明玉;沈钟珉 -专利权人：赛尼克公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：实例提供一种晶片及其制造方法，上述晶片具有用520nm波长的光测量时的相位差分布，上述相位差的平均值、最大值、偏差为特定值以下。根据实例的晶片具有如下优点：具有用520nm波长的光测量时的低相位差值，晶体几乎不发生扭曲或翘曲，表现出良好的晶体品质。
晶片制造方法

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