“具炳秀”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]金属线蚀刻液组合物-CN201711347546.4有效
发明人： 具炳秀;朴民奎 -专利权人：东进世美肯株式会社
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明公开一种蚀刻金属膜而形成构成半导体线路的薄膜晶体管的栅极及源漏区域的金属线蚀刻液组合物。所述金属线蚀刻液组合物，包括：氧化剂；二元醇化合物；不包含氨基的唑类化合物；及水。
金属线蚀刻组合

[发明专利]由废蚀刻剂制备精制磷酸的方法-CN201911100421.0在审
发明人：金容宇;金东珍;具炳秀 -专利权人：株式会社东进世美肯
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： C01B25/234 文献下载
摘要：本发明公开了一种由废蚀刻剂制备精制磷酸的方法，所述废蚀刻剂在制备半导体或液晶显示器时用于蚀刻工序。所述精制磷酸的制备方法，包括：蒸馏包含金属离子、磷酸及水的蚀刻剂废液，得到经浓缩的磷酸水溶液的步骤；将包含钾离子的固态无机盐与所述经浓缩的磷酸水溶液混合的步骤；在所述磷酸水溶液中混合溶解磷酸但不溶解无机盐的有机不良溶剂，使所述无机盐晶体沉淀，同时使所述金属离子共沉淀的步骤；过滤并去除包含所述金属离子的无机盐晶体的步骤；以及蒸发通过所述过滤获得的滤液中的有机不良溶剂和水，以获得包含钾离子的磷酸的步骤。
蚀刻制备精制磷酸方法

[发明专利]金属配线蚀刻液及利用其的液晶显示装置的制造方法-CN201280030638.9无效
发明人： 具炳秀;李明翰;曺三永;李期范 -专利权人：株式会社东进世美肯
申请日： 2012-06-15 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：发明公开一种使用于半导体装置的包含铜的金属膜蚀刻液组合物及使用其的蚀刻方法。本发明的金属膜蚀刻液组合物包含氟硼酸或氟硼酸和至少一种含氟化合物。利用根据本发明的蚀刻液组合物的包含铜的金属膜的蚀刻方法，在蚀刻时不仅不损伤下部的玻璃基板，而且可以一并蚀刻含铜多层金属膜，可以提高半导体装置的生产收率。本发明的蚀刻液组合物和利用其的蚀刻方法由于不使用硫酸盐，从而可以防止因错层及侵蚀造成的断路(Data Open)不良，另外，由于不使用有机酸能够进行蚀刻，从而具有可以解决与金属盐的析出问题，也可以得到图案微细化的优点。
金属蚀刻利用液晶显示装置制造方法

[发明专利]薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物-CN201310110330.1无效
发明人：李骐范;曺三永;金南绪;具炳秀 -专利权人：株式会社东进世美肯
申请日： 2007-05-10 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，通过使用该组合物即可利用单一工序来对构成薄膜晶体管液晶显示装置的TFT中的作为栅极配线材料的Mo/AlNd双重膜或Mo/AlNd/Mo三重膜进行湿式蚀刻以获得优异的锥形而不会产生作为下部膜的AlNd或Mo的底切现象，同时使得作为源极/漏极配线材料的Mo单一膜和Mo/AlNd/Mo三重膜也可以形成优异的轮廓。本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，特别是涉及含有a)磷酸、b)硝酸、c)乙酸、d)锂类化合物、e)磷酸盐类化合物和f)水的薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物。
薄膜晶体管液晶显示装置蚀刻组合

[发明专利]用于有机发光二极管显示装置的蚀刻剂组合物-CN200910205785.5有效
发明人： 具炳秀;朴贵弘;申贤哲;曺三永;李期范 -专利权人：株式会社东进世美肯
申请日： 2009-09-11 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： C09K13/10 文献下载
摘要：一种蚀刻剂组合物，包括：0.1-34wt％的过硫酸铵((NH₄)₂S₂O₈)；0.1-9wt％的硝酸基化合物；0.1-10wt％的乙酸基化合物；0.2-5wt％的含氟基化合物；0.01-3wt％的含硼化合物；以及39-73wt％的水，但是不含唑基化合物。
用于有机发光二极管显示装置蚀刻组合

[发明专利]液晶显示装置用玻璃基板的清洗及蚀刻组成物以及利用它的玻璃基板的蚀刻方法-CN200910134360.X有效
发明人：申贤哲;具炳秀;朴贵弘;曺三永;李期范 -专利权人：株式会社东进世美肯
申请日： 2009-04-14 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明公开一种可以同时清洗及蚀刻液晶显示装置用玻璃基板的组成物，具体地公开一种包含氟化物盐、无机酸、表面活性剂及水的蚀刻液组成物。若使用根据本发明的一实施例的蚀刻液，则可以同时进行清洗和蚀刻，由于容易调节蚀刻速度，可以制造希望厚度的玻璃基板，并且可以确保玻璃基板的膜均匀度、光透射性及色再现性。另外，不使用氢氟酸，从而可以确保废水处理及工序上的安全性。
液晶显示装置玻璃清洗蚀刻组成以及利用方法

[发明专利]薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻液组合物-CN200810085047.7有效
发明人：郑锺铉;朴弘植;洪瑄英;金俸均;李智鲜;李炳珍;李骐范;曺三永;具炳秀;申贤哲;徐源国;朴贵弘;河泰成 -专利权人：东进世美肯株式会社
申请日： 2008-03-14 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻液组合物。本发明提供一种优异的蚀刻液，其保障了高的稳定性和工程裕度，能够对含铜的金属层均匀地进行锥角蚀刻。本发明涉及对液晶显示装置的电路图案中使用的铜配线进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明的蚀刻液组合物含有过硫酸铵和吡咯系化合物。本发明的蚀刻液组合物不含有过氧化氢，所以能够确保稳定性和工程上的裕度，具有能够得到优异的锥角蚀刻轮廓的特征。
薄膜晶体管液晶显示装置蚀刻组合

[发明专利]薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物-CN200710102300.0无效
发明人：李骐范;曺三永;金南绪;具炳秀 -专利权人：东进世美肯株式会社
申请日： 2007-05-10 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，通过使用该组合物即可利用单一工序来对构成薄膜晶体管液品显示装置的TFT中的作为栅极配线材料的Mo/AlNd双重膜或Mo/AlNd/Mo三重膜进行湿式蚀刻以获得优异的锥形而不会产生作为下部膜的AlNd或Mo的底切现象，同时使得作为源极/漏极配线材料的Mo单一膜和Mo/AlNd/Mo三重膜也可以形成优异的轮廓。本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，特别是涉及含有a)磷酸、b)硝酸、c)乙酸、d)锂类化合物、e)磷酸盐类化合物和f)水的薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物。
薄膜晶体管液晶显示装置蚀刻组合

1
共 8 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top